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公开(公告)号：TW202022917A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108131486
申请日：2019-09-02
发明人： 凡特薩克 彼得 , VENTZEK, PETER , 蘭傑 艾洛克 , RANJAN, ALOK
IPC分类号： H01J37/147 , H01L21/3065 , H01L21/20
摘要： 所揭示之實施例將電子束施加至微電子工件之基板以改善電漿蝕刻及沉積製程。使電子束產生並利用DC(直流)偏壓、RF(射頻)電漿源、及/或其他電子束產生及控制技術以將電子束導向基板表面。對於某些實施例而言，受DC偏壓的RF電漿源(例如DC疊加(DCS)或混合式DC-RF源)係用以在與受DC偏壓之電極相對的表面上提供可控的電子束。對於某些進一步的實施例而言，受DC偏壓之電極為脈衝的。此外，電子束亦可經由從外部及/或非雙極性源提取電子束而產生。所揭示之技術亦可與額外的電子束源及/或額外的蝕刻或沉積製程一起使用。
简体摘要： 所揭示之实施例将电子束施加至微电子工件之基板以改善等离子蚀刻及沉积制程。使电子束产生并利用DC(直流)偏压、RF(射频)等离子源、及/或其他电子束产生及控制技术以将电子束导向基板表面。对于某些实施例而言，受DC偏压的RF等离子源(例如DC叠加(DCS)或混合式DC-RF源)系用以在与受DC偏压之电极相对的表面上提供可控的电子束。对于某些进一步的实施例而言，受DC偏压之电极为脉冲的。此外，电子束亦可经由从外部及/或非双极性源提取电子束而产生。所揭示之技术亦可与额外的电子束源及/或额外的蚀刻或沉积制程一起使用。
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公开(公告)号：TW202004819A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108112298
申请日：2019-04-09
发明人： 吉田祐介 , YOSHIDA, YUSUKE , 沃羅寧 謝爾蓋 , VORONIN, SERGEY , 蘭傑 艾洛克 , RANJAN, ALOK , 辜姆 大衛 J , COUMOU, DAVID J. , 懷特 史考特 E , WHITE, SCOTT E.
摘要： 將多諧波頻率成分使用於電漿處理中之電漿激發。控制不同頻率成分之間的相對振幅及/或相移，俾提供期望的離子能量電漿性質。相對振幅及/或相移可在沒有直接及/或手動的離子能量量測之情況下加以控制。相對地，可透過監視電漿設備中的一或更多電特性(例如，阻抗位準、射頻(RF)產生器中的電信號、匹配網路中的電信號、及電漿處理設備之其他電路中的電信號)，而動態地控制電漿內的離子能量。可在電漿處理期間動態地完成離子能量之監視及控制，俾維持期望的離子能量分佈。
简体摘要： 将多谐波频率成分使用于等离子处理中之等离子激发。控制不同频率成分之间的相对振幅及/或相移，俾提供期望的离子能量等离子性质。相对振幅及/或相移可在没有直接及/或手动的离子能量量测之情况下加以控制。相对地，可透过监视等离子设备中的一或更多电特性(例如，阻抗位准、射频(RF)产生器中的电信号、匹配网络中的电信号、及等离子处理设备之其他电路中的电信号)，而动态地控制等离子内的离子能量。可在等离子处理期间动态地完成离子能量之监视及控制，俾维持期望的离子能量分布。
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公开(公告)号：TWI679676B
公开(公告)日：2019-12-11
申请号：TW106140217
申请日：2017-11-21
发明人： 沃羅寧 謝爾蓋 , VORONIN, SERGEY , 馬里昂 傑生 , MARION, JASON , 吉田祐介 , YOSHIDA, YUSUKE , 蘭傑 艾洛克 , RANJAN, ALOK , 榎本隆 , ENOMOTO, TAKASHI , 石川吉夫 , ISHIKAWA, YOSHIO
IPC分类号： H01J37/32
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公开(公告)号：TW201919089A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW107132925
申请日：2018-09-19
发明人： 山澤陽平 , YAMAZAWA, YOHEI , 齊藤武尚 , SAITO, TAKEHISA , 宇田真代 , UDA, MAYO , 豊田啟吾 , TOYODA, KEIGO , 南江 阿洛克 , RANJAN, ALOK , 中島俊希 , NAKAJIMA, TOSHIKI
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/3053 , H01J37/3211 , H01J37/32495 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/6831 , H05H1/2406 , H05H2001/4667 , H05H2001/469
摘要： 本發明之課題在於抑制異常放電並且極細微地調整電漿之密度分佈。 本發明之電漿處理裝置10包括氣體噴射部41與天線54。氣體噴射部41自腔室11之上部向腔室11內供給處理氣體。天線54包含內側線圈542與外側線圈541。內側線圈542設置於氣體噴射部41之周圍。外側線圈541設置於氣體噴射部41及內側線圈542之周圍。又，外側線圈541其構成外側線圈541之線路之兩端開放，於該線路之中點或其附近自高頻電源61被供電，於該中點之附近接地，且其係以自高頻電源61被供給之高頻電力之1/2波長共振。又，內側線圈542其構成內側線圈542之線路之兩端經由電容器而相互連接，且與外側線圈541感應耦合。
简体摘要： 本发明之课题在于抑制异常放电并且极细微地调整等离子之密度分布。 本发明之等离子处理设备10包括气体喷射部41与天线54。气体喷射部41自腔室11之上部向腔室11内供给处理气体。天线54包含内侧线圈542与外侧线圈541。内侧线圈542设置于气体喷射部41之周围。外侧线圈541设置于气体喷射部41及内侧线圈542之周围。又，外侧线圈541其构成外侧线圈541之线路之两端开放，于该线路之中点或其附近自高频电源61被供电，于该中点之附近接地，且其系以自高频电源61被供给之高频电力之1/2波长共振。又，内侧线圈542其构成内侧线圈542之线路之两端经由电容器而相互连接，且与外侧线圈541感应耦合。
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公开(公告)号：TW201842574A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107106123
申请日：2018-02-23
发明人： 夏爾巴 索南 , SHERPA, SONAM , 蘭傑 艾洛克 , RANJAN, ALOK
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/3213
摘要： 描述一種蝕刻的方法。該方法包含提供具有包含矽氮化物的第一材料及不同於該第一材料之第二材料的一基板；藉由電漿激發包含H及選用性地包含一惰性氣體之第一處理氣體以形成第一化學混合物；以及將在該基板上的該第一材料暴露於該第一化學混合物。其後，該方法包含藉由電漿激發包含S、F及選用性地包含一惰性元素之第二處理氣體而形成第二化學混合物；以及將在該基板上的該第一材料暴露於經電漿激發的該第二處理氣體，以相對於該第二材料選擇性地蝕該第一材料。
简体摘要： 描述一种蚀刻的方法。该方法包含提供具有包含硅氮化物的第一材料及不同于该第一材料之第二材料的一基板；借由等离子激发包含H及选用性地包含一惰性气体之第一处理气体以形成第一化学混合物；以及将在该基板上的该第一材料暴露于该第一化学混合物。其后，该方法包含借由等离子激发包含S、F及选用性地包含一惰性元素之第二处理气体而形成第二化学混合物；以及将在该基板上的该第一材料暴露于经等离子激发的该第二处理气体，以相对于该第二材料选择性地蚀该第一材料。
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公开(公告)号：TW201826380A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106132155
申请日：2017-09-20
发明人： 沃羅寧 謝爾蓋 , VORONIN, SERGEY , 塔洛内 克里斯多佛 , TALONE, CHRISTOPHER , 蘭傑 艾洛克 , RANJAN, ALOK
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/70
摘要： 本說明書提供一種在圖案化系統中使用整合方案將基板上之結構圖案化的方法，其步驟包含：將一基板置於一處理室中，該基板具有複數個結構及一圖案，該基板包含一下伏層以及一目標層，至少一結構與另一結構交叉，每一交叉部具有一交叉角度以及一角落，該整合方案需要在每一交叉部有一垂直角落輪廓 ；於該基板上交替且依序地執行蝕刻及清洗，以將該圖案轉移至該目標層上，並在每一個交叉部達成一目標垂直角落輪廓；在該交替且依序執行之蝕刻及清洗處理操作中，控制該整合方案中選定之兩個或更多的操作變數，以達成目標整合目的。
简体摘要： 本说明书提供一种在图案化系统中使用集成方案将基板上之结构图案化的方法，其步骤包含：将一基板置于一处理室中，该基板具有复数个结构及一图案，该基板包含一下伏层以及一目标层，至少一结构与另一结构交叉，每一交叉部具有一交叉角度以及一角落，该集成方案需要在每一交叉部有一垂直角落轮廓 ；于该基板上交替且依序地运行蚀刻及清洗，以将该图案转移至该目标层上，并在每一个交叉部达成一目标垂直角落轮廓；在该交替且依序运行之蚀刻及清洗处理操作中，控制该集成方案中选定之两个或更多的操作变量，以达成目标集成目的。
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公开(公告)号：TWI689989B
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：TW106124707
申请日：2017-07-24
发明人： 蘭傑 艾洛克 , RANJAN, ALOK , 凡特薩克 彼得 LG , VENTZEK, PETER L.G.
IPC分类号： H01L21/311
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公开(公告)号：TW201921489A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107131476
申请日：2018-09-07
发明人： 夏爾巴 索南 D , SHERPA, SONAM D. , 蘭傑 艾洛克 , RANJAN, ALOK
IPC分类号： H01L21/3065 , G03F1/80
摘要： 本文描述蝕刻的方法。該方法包含藉由電漿激發第一處理氣體而形成第一化學混合物，該第一處理氣體包含惰性氣體及選自由He和H2所組成之群組的至少一額外氣體，及將基板上的第一材料曝露於第一化學混合物以改質第一材料的第一區域。之後，該方法包含藉由電漿激發第二處理氣體而形成第二化學混合物，該第二處理氣體包含惰性氣體和含有C、H、和F的額外氣體，及將基板上的第一材料曝露於經電漿激發之第二處理氣體以相對於第二材料選擇性地蝕刻包含矽氧化物的第一材料，並自基板的第一區域移除經改質的第一材料。
简体摘要： 本文描述蚀刻的方法。该方法包含借由等离子激发第一处理气体而形成第一化学混合物，该第一处理气体包含惰性气体及选自由He和H2所组成之群组的至少一额外气体，及将基板上的第一材料曝露于第一化学混合物以改质第一材料的第一区域。之后，该方法包含借由等离子激发第二处理气体而形成第二化学混合物，该第二处理气体包含惰性气体和含有C、H、和F的额外气体，及将基板上的第一材料曝露于经等离子激发之第二处理气体以相对于第二材料选择性地蚀刻包含硅氧化物的第一材料，并自基板的第一区域移除经改质的第一材料。
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公开(公告)号：TW201826377A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106129116
申请日：2017-08-28
发明人： 夏爾巴 索南 , SHERPA, SONAM , 蘭傑 艾洛克 , RANJAN, ALOK
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/68
摘要： 本發明描述一種蝕刻的方法。該方法包含：提供具有包含矽氮化物的第一材料及不同於該第一材料之第二材料的一基板；藉由電漿激發包含H及選用性的一稀有氣體之第一處理氣體而形成第一化學混合物；及將在該基板上的該第一材料曝露於該第一化學混合物。之後，該方法包含：藉由電漿激發包含N、F、O及選用性的一稀有元素之第二處理氣體而形成第二化學混合物；及將在該基板上的該第一材料曝露於經電漿激發的該第二處理氣體，以相對於該第二材料選擇性地蝕該第一材料。
简体摘要： 本发明描述一种蚀刻的方法。该方法包含：提供具有包含硅氮化物的第一材料及不同于该第一材料之第二材料的一基板；借由等离子激发包含H及选用性的一稀有气体之第一处理气体而形成第一化学混合物；及将在该基板上的该第一材料曝露于该第一化学混合物。之后，该方法包含：借由等离子激发包含N、F、O及选用性的一稀有元素之第二处理气体而形成第二化学混合物；及将在该基板上的该第一材料曝露于经等离子激发的该第二处理气体，以相对于该第二材料选择性地蚀该第一材料。
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公开(公告)号：TW201812832A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106123403
申请日：2017-07-13
发明人： 沃羅寧 謝爾蓋 , VORONIN, SERGEY , 蘭傑 艾洛克 , RANJAN, ALOK
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32082 , C23C16/509 , C23C16/5093 , H01J37/3244
摘要： 本文敘述用於多區電極陣列中RF功率分布的系統與方法的實施例。系統可包括配置成產生電漿場的電漿源。並且，系統可包括耦接至電漿源、且配置成供應RF功率至電漿源的RF功率源。系統亦可包括來源控制器，其係耦接至RF功率源，且配置成，控制供給至電漿源之RF功率的調變，以增進由電漿源產生之電漿場的均勻性。
简体摘要： 本文叙述用于多区电极数组中RF功率分布的系统与方法的实施例。系统可包括配置成产生等离子场的等离子源。并且，系统可包括耦接至等离子源、且配置成供应RF功率至等离子源的RF功率源。系统亦可包括来源控制器，其系耦接至RF功率源，且配置成，控制供给至等离子源之RF功率的调制，以增进由等离子源产生之等离子场的均匀性。
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