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    多區電極陣列之射頻功率分配方法
    4.
    发明专利
    多區電極陣列之射頻功率分配方法 审中-公开
    多区电极数组之射频功率分配方法

    公开(公告)号：TW201812832A

    公开(公告)日：2018-04-01

    申请号：TW106123403

    申请日：2017-07-13

    Applicant: 日商東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

    Inventor： 沃羅寧 謝爾蓋 ,  VORONIN, SERGEY ,  蘭傑 艾洛克 ,  RANJAN, ALOK

    IPC: H01J37/32

    CPC classification number: H01J37/32082 ,  C23C16/509 ,  C23C16/5093 ,  H01J37/3244

    Abstract: 本文敘述用於多區電極陣列中RF功率分布的系統與方法的實施例。系統可包括配置成產生電漿場的電漿源。並且，系統可包括耦接至電漿源、且配置成供應RF功率至電漿源的RF功率源。系統亦可包括來源控制器，其係耦接至RF功率源，且配置成，控制供給至電漿源之RF功率的調變，以增進由電漿源產生之電漿場的均勻性。

    Abstract in simplified Chinese: 本文叙述用于多区电极数组中RF功率分布的系统与方法的实施例。系统可包括配置成产生等离子场的等离子源。并且，系统可包括耦接至等离子源、且配置成供应RF功率至等离子源的RF功率源。系统亦可包括来源控制器，其系耦接至RF功率源，且配置成，控制供给至等离子源之RF功率的调制，以增进由等离子源产生之等离子场的均匀性。

    遠端電漿增強化學氣相沈積系統之電漿產生裝置
    5.
    发明专利
    遠端電漿增強化學氣相沈積系統之電漿產生裝置 审中-公开
    远程等离子增强化学气相沉积系统之等离子产生设备

    公开(公告)号：TW201812088A

    公开(公告)日：2018-04-01

    申请号：TW105129774

    申请日：2016-09-13

    Applicant: 張宇順

    Inventor： 張宇順

    IPC: C23C16/50 ,  C23C16/52

    CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/452 ,  C23C16/455 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/46 ,  C23C16/503 ,  C23C16/505 ,  C23C16/517 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32357

    Abstract: 一種遠端電漿增強化學氣相沈積(PECVD)系統之電漿產生裝置，其係針對一遠端PECVD系統提供一電漿產生裝置，該電漿產生裝置係隔離地設置有一直流(DC)放電單元、一射頻(RF)放電單元及一微波放電單元，使該直流(DC)放電單元、該射頻(RF)放電單元及該微波放電單元得在使用該遠端電漿增強化學氣相沈積(PECVD)系統時能同步產生放電作用，藉以對進入該遠端電漿產生裝置之源材料或製程氣體進行作用以產生符合要求的電漿源，藉以提昇該遠端PECVD系統之使用效率及其製程效率。

    Abstract in simplified Chinese: 一种远程等离子增强化学气相沉积(PECVD)系统之等离子产生设备，其系针对一远程PECVD系统提供一等离子产生设备，该等离子产生设备系隔离地设置有一直流(DC)放电单元、一射频(RF)放电单元及一微波放电单元，使该直流(DC)放电单元、该射频(RF)放电单元及该微波放电单元得在使用该远程等离子增强化学气相沉积(PECVD)系统时能同步产生放电作用，借以对进入该远程等离子产生设备之源材料或制程气体进行作用以产生符合要求的等离子源，借以提升该远程PECVD系统之使用效率及其制程效率。

    用以降低基板處理系統中之再循環之套管、圓錐狀噴淋頭及/或頂板
    6.
    发明专利
    用以降低基板處理系統中之再循環之套管、圓錐狀噴淋頭及/或頂板 审中-公开
    用以降低基板处理系统中之再循环之套管、圆锥状喷淋头及/或顶板

    公开(公告)号：TW201812081A

    公开(公告)日：2018-04-01

    申请号：TW106122979

    申请日：2017-07-10

    Applicant: 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

    Inventor： 飛利浦 理查 ,  PHILLIPS, RICHARD ,  布拉基埃 萊恩 ,  BLAQUIERE, RYAN ,  史旺明內森 珊卡 ,  SWAMINATHAN, SHANKAR

    IPC: C23C16/455 ,  H01J37/32

    CPC classification number: H01J37/32082 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45565 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/334

    Abstract: 基板處理系統包括處理腔室以及噴淋頭，該噴淋頭包括面板、桿部以及圓柱形基部。套管將噴淋頭連接至處理腔室之上表面。套管定義用以接收二次沖洗氣體之氣體通道以及複數氣體狹縫，該氣體狹縫朝徑向向外和徑向向下的方向引導來自氣體通道的二次沖洗氣體。圓錐形表面係設置為鄰近圓柱形基座並且環繞噴淋頭的桿部。倒圓錐形表面係設置為鄰近處理腔室之上表面以及側壁。圓錐形表面和倒圓錐形表面定義從複數氣體狹縫至一間隙的具角度氣體通道，該間隙係定義於圓柱形基部之徑向外部與處理腔室之側壁之間。

    Abstract in simplified Chinese: 基板处理系统包括处理腔室以及喷淋头，该喷淋头包括皮肤、杆部以及圆柱形基部。套管将喷淋头连接至处理腔室之上表面。套管定义用以接收二次冲洗气体之气体信道以及复数气体狭缝，该气体狭缝朝径向向外和径向向下的方向引导来自气体信道的二次冲洗气体。圆锥形表面系设置为邻近圆柱形基座并且环绕喷淋头的杆部。倒圆锥形表面系设置为邻近处理腔室之上表面以及侧壁。圆锥形表面和倒圆锥形表面定义从复数气体狭缝至一间隙的具角度气体信道，该间隙系定义于圆柱形基部之径向外部与处理腔室之侧壁之间。

    電漿處理系統中之混合模式脈動蝕刻
    7.
    发明专利
    電漿處理系統中之混合模式脈動蝕刻 审中-公开
    等离子处理系统中之混合模式脉动蚀刻

    公开(公告)号：TW201810423A

    公开(公告)日：2018-03-16

    申请号：TW106142833

    申请日：2012-12-25

    Applicant: 美商蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

    Inventor： 凱那瑞克凱倫 賈考柏思 ,  KANARIK,KEREN JACOBS

    IPC: H01L21/3065

    CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32155 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/334

    Abstract: 提供一種在處理室中處理基板的方法，此處理室具有至少一電漿產生源、用以提供反應性氣體至處理室之內部區域的反應性氣體源、及用以提供非反應性氣體至該內部區域的非反應性氣體源。此方法包含進行混合模式脈動(MMP)預備階段，此階段包含：使反應性氣體流入該內部區域；及形成第一電漿以處理置於工作件載具上之該基板。此方法更包含進行MMP反應階段，此階段包含：使至少一非反應性氣體流入該內部區域；及形成第二電漿以處理該基板，在該MMP反應階段內利用一反應性氣體流形成該第二電漿，其中該MMP反應階段內的該反應性氣體流係小於該MMP預備階段內的反應性氣體流。重覆進行該方法步驟複數次。

    Abstract in simplified Chinese: 提供一种在处理室中处理基板的方法，此处理室具有至少一等离子产生源、用以提供反应性气体至处理室之内部区域的反应性气体源、及用以提供非反应性气体至该内部区域的非反应性气体源。此方法包含进行混合模式脉动(MMP)预备阶段，此阶段包含：使反应性气体流入该内部区域；及形成第一等离子以处理置于工作件载具上之该基板。此方法更包含进行MMP反应阶段，此阶段包含：使至少一非反应性气体流入该内部区域；及形成第二等离子以处理该基板，在该MMP反应阶段内利用一反应性气体流形成该第二等离子，其中该MMP反应阶段内的该反应性气体流系小于该MMP预备阶段内的反应性气体流。重复进行该方法步骤复数次。

    用以蝕刻高深寬比特徵部之多頻功率調變
    8.
    发明专利
    用以蝕刻高深寬比特徵部之多頻功率調變 审中-公开
    用以蚀刻高深宽比特征部之多频功率调制

    公开(公告)号：TW201807738A

    公开(公告)日：2018-03-01

    申请号：TW106117335

    申请日：2017-05-25

    Applicant: 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

    Inventor： 大竹浩人 ,  OHTAKE, HIROTO

    IPC: H01J37/32 ,  H05H1/46 ,  H01L21/311

    CPC classification number: H01J37/32165 ,  H01J37/32082 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67063 ,  H05H1/46

    Abstract: 描述一種蝕刻基板的方法。該方法包含：在一電漿處理系統的一處理空間中設置一基板，該基板具有露出一第一材料及一第二材料的一表面；及執行一調變電漿蝕刻製程，以大於移除該第二材料的一速率選擇性地移除該第一材料。該調變電漿蝕刻製程包含一功率調變循環，該功率調變循環由以下步驟所組成：將一第一功率調變序列施加至該電漿處理系統，及將一第二功率調變序列施加至該電漿處理系統。該第二功率調變序列係不同於該第一功率調變序列。

    Abstract in simplified Chinese: 描述一种蚀刻基板的方法。该方法包含：在一等离子处理系统的一处理空间中设置一基板，该基板具有露出一第一材料及一第二材料的一表面；及运行一调制等离子蚀刻制程，以大于移除该第二材料的一速率选择性地移除该第一材料。该调制等离子蚀刻制程包含一功率调制循环，该功率调制循环由以下步骤所组成：将一第一功率调制串行施加至该等离子处理系统，及将一第二功率调制串行施加至该等离子处理系统。该第二功率调制串行系不同于该第一功率调制串行。

    電漿處理裝置及顆粒附著抑制方法
    9.
    发明专利
    電漿處理裝置及顆粒附著抑制方法 审中-公开
    等离子处理设备及颗粒附着抑制方法

    公开(公告)号：TW201806450A

    公开(公告)日：2018-02-16

    申请号：TW106116813

    申请日：2017-05-22

    Applicant: 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

    Inventor： 鈴木敬紀 ,  SUZUKI, YOSHINORI ,  原田彰俊 ,  HARADA, AKITOSHI

    IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

    CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/32715

    Abstract: 本發明之課題係以抑制顆粒附著在基板為目的。 本發明提供一種電漿處理裝置，該電漿處理裝置包含有處理室、載置台、對向電極、第1高頻電源、第2高頻電源、直流電源及控制部，該處理室用以收容基板，並可在內部進行電漿處理；該載置台用以載置基板；該對向電極與該載置台對向；該第1高頻電源用以對該載置台或該對向電極施加電漿產生用之第1高頻電力；該第2高頻電源用以對該載置台施加頻率低於該第1高頻電源之偏電壓產生用之第2高頻電力；該直流電源用以對該對向電極施加直流電壓；該控制部用以控制該第1高頻電源、該第2高頻電源及該直流電源；該控制部在電漿處理時或電漿處理後且在使該第1高頻電力及該第2高頻電力之施加停止前，使該直流電壓緩降。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明之课题系以抑制颗粒附着在基板为目的。 本发明提供一种等离子处理设备，该等离子处理设备包含有处理室、载置台、对向电极、第1高频电源、第2高频电源、直流电源及控制部，该处理室用以收容基板，并可在内部进行等离子处理；该载置台用以载置基板；该对向电极与该载置台对向；该第1高频电源用以对该载置台或该对向电极施加等离子产生用之第1高频电力；该第2高频电源用以对该载置台施加频率低于该第1高频电源之偏电压产生用之第2高频电力；该直流电源用以对该对向电极施加直流电压；该控制部用以控制该第1高频电源、该第2高频电源及该直流电源；该控制部在等离子处理时或等离子处理后且在使该第1高频电力及该第2高频电力之施加停止前，使该直流电压缓降。

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