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    半導體裝置
    1.
    发明专利
    半導體裝置 审中-公开
    半导体设备

    公开(公告)号：TW201904008A

    公开(公告)日：2019-01-16

    申请号：TW107110825

    申请日：2018-03-29

    申请人： 日商艾普凌科有限公司 ,  ABLIC INC.

    发明人： 北島裕一郎 ,  KITAJIMA, YUICHIRO

    IPC分类号： H01L23/58

    摘要： 本發明是一種半導體裝置，具有配置於半導體基板上所形成的層間絕緣膜上的保險絲元件，所述保險絲元件藉由多晶矽及設於所述多晶矽的上表面的矽化物而形成，於俯視時，被照射雷射的範圍所包含的所述多晶矽的區域設為未導入雜質的非摻雜多晶矽，藉此，成為具有能夠不對基底造成損傷地藉由雷射穩定地進行切斷的保險絲元件的半導體裝置。

    简体摘要： 本发明是一种半导体设备，具有配置于半导体基板上所形成的层间绝缘膜上的保险丝组件，所述保险丝组件借由多晶硅及设于所述多晶硅的上表面的硅化物而形成，于俯视时，被照射激光的范围所包含的所述多晶硅的区域设为未导入杂质的非掺杂多晶硅，借此，成为具有能够不对基底造成损伤地借由激光稳定地进行切断的保险丝组件的半导体设备。