公开(公告)号：TWI604592B

公开(公告)日：2017-11-01

申请号：TW104129061

申请日：2015-09-02

申请人： 東芝股份有限公司 ,  KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

发明人： 鈴木拓馬 ,  SUZUKI, TAKUMA ,  藤澤文 ,  FUJISAWA, HIROFUMI ,  白川努 ,  SHIRAKAWA, TSUTOMU ,  佐野賢也 ,  SANO, KENYA

IPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/302 ,  H01L21/268

CPC分类号： H01L23/544 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/24 ,  H01L29/872 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54473

公开(公告)号：TW201633490A

公开(公告)日：2016-09-16

申请号：TW104129061

申请日：2015-09-02

申请人： 東芝股份有限公司 ,  KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

发明人： 鈴木拓馬 ,  SUZUKI, TAKUMA ,  藤澤文 ,  FUJISAWA, HIROFUMI ,  白川努 ,  SHIRAKAWA, TSUTOMU ,  佐野賢也 ,  SANO, KENYA

IPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/302 ,  H01L21/268

CPC分类号： H01L23/544 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/24 ,  H01L29/872 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54473

摘要： 本發明之實施形態提供一種能夠減少器件不良之半導體裝置。 實施形態之半導體裝置包括：常壓下為非液相之材料之單晶基板；及識別標記，其設置於上述基板，且具有非晶質之上述材料之區域、或偏離了化學計量之上述材料之區域。

简体摘要： 本发明之实施形态提供一种能够减少器件不良之半导体设备。 实施形态之半导体设备包括：常压下为非液相之材料之单晶基板；及识别标记，其设置于上述基板，且具有非晶质之上述材料之区域、或偏离了化学计量之上述材料之区域。