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    Ga-face III族/氮化物磊晶結構及其主動元件與其製作方法
    3.
    发明专利
    Ga-face III族/氮化物磊晶結構及其主動元件與其製作方法 审中-公开
    Ga-face III族/氮化物磊晶结构及其主动组件与其制作方法

    公开(公告)号：TW201743450A

    公开(公告)日：2017-12-16

    申请号：TW105118481

    申请日：2016-06-14

    申请人： 江文章

    发明人： 江文章

    IPC分类号： H01L29/778

    CPC分类号： H01L21/8252 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/26546 ,  H01L21/283 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/324 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/085 ,  H01L27/0883 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

    摘要： 本發明係關於一種Ga-face III族/氮化物磊晶結構及其主動元件與其製作方法。在此Ga face之AlGaN/GaN磊晶結構包含有一基底；一位於基底上之i-GaN(C-doped)層；一位於i-GaN(C-doped)層上之i-Al(y)GaN緩衝層；一位於i-Al(y)GaN緩衝層上之i-GaN Channel層；以及一位於i-GaN Channel層上之i-Al(x) GaN層，其中該X=0.1-0.3，該y=0.05-0.75。在元件設計上藉由P-GaN倒置梯型閘極或陽極結構使Ga-face III族/氮化物磊晶結構內之2DEG在P-GaN倒置梯型結構下方處能呈現空乏狀態，以製作出P型氮化鎵閘極加強型AlGaN/GaN高速電子遷移率電晶體、P型氮化鎵陽極AlGaN/GaN蕭特基位障二極體或混合型元件。

    简体摘要： 本发明系关于一种Ga-face III族/氮化物磊晶结构及其主动组件与其制作方法。在此Ga face之AlGaN/GaN磊晶结构包含有一基底；一位于基底上之i-GaN(C-doped)层；一位于i-GaN(C-doped)层上之i-Al(y)GaN缓冲层；一位于i-Al(y)GaN缓冲层上之i-GaN Channel层；以及一位于i-GaN Channel层上之i-Al(x) GaN层，其中该X=0.1-0.3，该y=0.05-0.75。在组件设计上借由P-GaN倒置梯型闸极或阳极结构使Ga-face III族/氮化物磊晶结构内之2DEG在P-GaN倒置梯型结构下方处能呈现空乏状态，以制作出P型氮化镓闸极加强型AlGaN/GaN高速电子迁移率晶体管、P型氮化镓阳极AlGaN/GaN萧特基位障二极管或混合型组件。

    於共同基板上之功率裝置整合
    7.
    发明专利
    於共同基板上之功率裝置整合 审中-公开
    于共同基板上之功率设备集成

    公开(公告)号：TW201725698A

    公开(公告)日：2017-07-16

    申请号：TW106113034

    申请日：2013-07-30

    申请人： 矽瀾納股份有限公司 ,  SILANNA ASIA PTE LTD.

    发明人： 寇瑞克杰席克 ,  KOREC,JACEK ,  楊鉑儀 ,  YANG,BOYI

    IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L29/70

    CPC分类号： H01L27/082 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/402 ,  H01L29/73 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7394 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

    摘要： 本發明揭示一種半導體結構，其用於促進在一共同基板上整合功率裝置，該半導體結構包含：一第一絕緣層，其形成於該基板上；及一作用區域，其具有一第一導電類型且形成於該第一絕緣層之至少一部分上。一第一端子形成於該結構之一上部表面上，且與形成於該作用區域中之具有該第一導電類型之至少一個其他區域電連接。具有一第二導電類型之一經埋入井形成於該作用區域中且與形成於該結構之該上部表面上之一第二端子耦合。該經埋入井與該作用區域形成一箝位二極體，該箝位二極體將一突崩潰區域定位於該經埋入井與該第一端子之間。該等功率裝置中之至少一者之一崩潰電壓隨該經埋入井之特性而變。

    简体摘要： 本发明揭示一种半导体结构，其用于促进在一共同基板上集成功率设备，该半导体结构包含：一第一绝缘层，其形成于该基板上；及一作用区域，其具有一第一导电类型且形成于该第一绝缘层之至少一部分上。一第一端子形成于该结构之一上部表面上，且与形成于该作用区域中之具有该第一导电类型之至少一个其他区域电连接。具有一第二导电类型之一经埋入井形成于该作用区域中且与形成于该结构之该上部表面上之一第二端子耦合。该经埋入井与该作用区域形成一箝位二极管，该箝位二极管将一突崩溃区域定位于该经埋入井与该第一端子之间。该等功率设备中之至少一者之一崩溃电压随该经埋入井之特性而变。

    半導體裝置
    10.
    发明专利
    半導體裝置 审中-公开
    半导体设备

    公开(公告)号：TW201711208A

    公开(公告)日：2017-03-16

    申请号：TW105107238

    申请日：2016-03-09

    申请人： 東芝股份有限公司 ,  KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

    发明人： 堀陽一 ,  HORI, YOICHI ,  大田剛志 ,  OOTA, TSUYOSHI ,  河野洋志 ,  KONO, HIROSHI ,  山下敦子 ,  YAMASHITA, ATSUKO

    IPC分类号： H01L29/872

    CPC分类号： H01L29/1608 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/45 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

    摘要： 本發明之半導體裝置包括：元件區域，係具有第一面與第二面之半導體層之一部分；終端區域，包圍元件區域；第一電極，設於第一面；第二電極，設於第二面；第一導電型之第一半導體區域，設於半導體層內且一部分與第一電極相接；第二導電型之第二半導體區域，設於元件區域內之第一半導體區域與第一電極之間；第二導電型之第三半導體區域，設於第二半導體區域與第一電極之間，與第一電極電性連接，且第二導電型之雜質濃度高於第二半導體區域；及第二導電型之第四半導體區域，設於終端區域內之第一半導體區域與第一面之間，與第一電極電性連接。

    简体摘要： 本发明之半导体设备包括：组件区域，系具有第一面与第二面之半导体层之一部分；终端区域，包围组件区域；第一电极，设于第一面；第二电极，设于第二面；第一导电型之第一半导体区域，设于半导体层内且一部分与第一电极相接；第二导电型之第二半导体区域，设于组件区域内之第一半导体区域与第一电极之间；第二导电型之第三半导体区域，设于第二半导体区域与第一电极之间，与第一电极电性连接，且第二导电型之杂质浓度高于第二半导体区域；及第二导电型之第四半导体区域，设于终端区域内之第一半导体区域与第一面之间，与第一电极电性连接。