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    具優異切斷性之半導體晶片表面保護用黏結膜及其製造方法
    3.
    发明专利
    具優異切斷性之半導體晶片表面保護用黏結膜及其製造方法 审中-公开
    具优异切断性之半导体芯片表面保护用黏结膜及其制造方法

    公开(公告)号：TW201319211A

    公开(公告)日：2013-05-16

    申请号：TW101139371

    申请日：2012-10-24

    申请人： 樂金華奧斯有限公司 ,  LG HAUSYS, LTD.

    发明人： 金章淳 ,  KIM, JANG-SOON ,  趙顯珠 ,  CHO, HYUN-JU ,  徐周用 ,  SEO, JU-YONG

    IPC分类号： C09J7/02 ,  C09J9/00 ,  C08J3/28 ,  H01L21/304

    CPC分类号： H01L21/6836 ,  C08J7/047 ,  C08J7/18 ,  C08J2375/16 ,  C09J7/20 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  Y10T428/266 ,  Y10T428/28

    摘要： 本發明提供一種具優異切斷性之半導體晶片表面保護用黏結膜，其包含一基材膜及一黏結層，黏結層係形成於基材膜的一側表面上。所述基材膜的拉伸強度為2 kg/mm2-10 kg/mm2，而其斷裂延伸率為50%-200%。所述黏結層的凝膠含量為80%以上。本發明的半導體晶片表面保護用黏結膜可以確保切割性及切斷性，防止隨著晶片膜化的彎曲發生及晶片破碎現象，在高溫中也不發生熔解等現象，從而可以在晶片研磨時提高收率。

    简体摘要： 本发明提供一种具优异切断性之半导体芯片表面保护用黏结膜，其包含一基材膜及一黏结层，黏结层系形成于基材膜的一侧表面上。所述基材膜的拉伸强度为2 kg/mm2-10 kg/mm2，而其断裂延伸率为50%-200%。所述黏结层的凝胶含量为80%以上。本发明的半导体芯片表面保护用黏结膜可以确保切割性及切断性，防止随着芯片膜化的弯曲发生及芯片破碎现象，在高温中也不发生熔解等现象，从而可以在芯片研磨时提高收率。

    用於半導體晶圓之表面保護黏結膜及其製備方法
    4.
    发明专利
    用於半導體晶圓之表面保護黏結膜及其製備方法 审中-公开
    用于半导体晶圆之表面保护黏结膜及其制备方法

    公开(公告)号：TW201402770A

    公开(公告)日：2014-01-16

    申请号：TW102124687

    申请日：2013-07-10

    申请人： 樂金華奧斯有限公司 ,  LG HAUSYS, LTD.

    发明人： 金民政 ,  KIM, MIN-JEONG ,  趙顯珠 ,  CHO, HYUN-JU ,  徐周用 ,  SEO, JU-YONG ,  李在官 ,  LEE, JAE-GWAN ,  金章淳 ,  KIM, JANG-SOON

    IPC分类号： C09J7/02 ,  B32B27/30

    CPC分类号： H01L21/6836 ,  C08L2203/206 ,  C09J7/25 ,  C09J2433/006 ,  C09J2475/006 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834

    摘要： 本發明提供一種黏結膜，包括：一基材膜，拉伸彈性區域(B)與拉伸塑性區域(A)的面積比(B/A)為0.015以下且延伸率為250%以上；以及一黏結層，形成於該基材膜上。並且，本發明提供一種黏結膜的製備方法，包括如下步驟：製備一包含氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物及丙烯酸酯單體的組合物；使該組合物固化而形成一基材膜；以及在該基材膜上形成一黏結層，其中該基材膜的拉伸彈性區域(B)與拉伸塑性區域(A)的面積比(B/A)為0.015以下且延伸率為250%以上。

    简体摘要： 本发明提供一种黏结膜，包括：一基材膜，拉伸弹性区域(B)与拉伸塑性区域(A)的面积比(B/A)为0.015以下且延伸率为250%以上；以及一黏结层，形成于该基材膜上。并且，本发明提供一种黏结膜的制备方法，包括如下步骤：制备一包含氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物及丙烯酸酯单体的组合物；使该组合物固化而形成一基材膜；以及在该基材膜上形成一黏结层，其中该基材膜的拉伸弹性区域(B)与拉伸塑性区域(A)的面积比(B/A)为0.015以下且延伸率为250%以上。