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    磊晶結構
    6.
    发明专利
    磊晶結構 审中-公开
    磊晶结构

    公开(公告)号：TW202008427A

    公开(公告)日：2020-02-16

    申请号：TW107126691

    申请日：2018-08-01

    申请人： 環球晶圓股份有限公司 ,  GLOBALWAFERS CO., LTD.

    发明人： 劉嘉哲 ,  LIU, JIA-ZHE ,  黃彥綸 ,  HUANG, YEN-LUN ,  施英汝 ,  SHIH, YING-RU

    IPC分类号： H01L21/20

    摘要： 一種磊晶結構，包括：基板、成核層、緩衝層以及氮化物層。成核層設置於基板上，所述成核層於厚度方向上由數個區域組成，所述區域的化學組成為Al(1-x)InxN，其中0≦x≦1。緩衝層設置於成核層上，成核層的厚度小於緩衝層的厚度。氮化物層則設置於緩衝層上，其中所述成核層與所述緩衝層接觸的表面的粗糙度大於所述緩衝層與所述氮化物層接觸的表面的粗糙度。

    简体摘要： 一种磊晶结构，包括：基板、成核层、缓冲层以及氮化物层。成核层设置于基板上，所述成核层于厚度方向上由数个区域组成，所述区域的化学组成为Al(1-x)InxN，其中0≦x≦1。缓冲层设置于成核层上，成核层的厚度小于缓冲层的厚度。氮化物层则设置于缓冲层上，其中所述成核层与所述缓冲层接触的表面的粗糙度大于所述缓冲层与所述氮化物层接触的表面的粗糙度。