公开(公告)号：TW201812077A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW106124813

申请日：2017-07-25

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 奈馬尼 史林尼法斯D ,  NEMANI, SRINIVAS D. ,  羅伊 珊胡N ,  ROY, SHAMBHU N. ,  馬立克 蘇坦 ,  MALIK, SULTAN ,  芭芭洋 維亞契史拉維 ,  BABAYAN, VIACHSLAV

IPC分类号： C23C16/44 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687

CPC分类号： H01L21/68735 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68785

摘要： 本文提供用於處理基板的方法與設備的實施例。在一些實施例中，基板支撐件包括：底座，具有設計成支撐具有給定寬度的基板的第一支撐表面；複數個弧形槽，該等複數個弧形槽係穿過底座而形成；相應複數個提升銷，設置為穿過弧形槽，其中提升銷可相對於底座旋轉及垂直移動；以及蓋板，設置在底座上但並未耦接至底座，以覆蓋第一支撐表面，其中蓋板具有大於給定寬度的直徑，且其中蓋板包括設計成支撐具有給定寬度的基板的第二支撐表面。

简体摘要： 本文提供用于处理基板的方法与设备的实施例。在一些实施例中，基板支撑件包括：底座，具有设计成支撑具有给定宽度的基板的第一支撑表面；复数个弧形槽，该等复数个弧形槽系穿过底座而形成；相应复数个提升销，设置为穿过弧形槽，其中提升销可相对于底座旋转及垂直移动；以及盖板，设置在底座上但并未耦接至底座，以覆盖第一支撑表面，其中盖板具有大于给定宽度的直径，且其中盖板包括设计成支撑具有给定宽度的基板的第二支撑表面。

公开(公告)号：TW201810488A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW106107586

申请日：2017-03-08

申请人： 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

发明人： 藤田陽 ,  FUJITA, AKIRA ,  水野剛資 ,  MIZUNO, TSUYOSHI

IPC分类号： H01L21/67 ,  C23C14/00

CPC分类号： H01L21/02052 ,  B08B3/02 ,  B08B3/041 ,  B08B3/08 ,  C23F1/02 ,  C23F1/08 ,  C23F1/16 ,  C23F1/32 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68764 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

摘要： 提供可降低伴隨著膜之特性不同所造成之去除寛度的變動之基板處理裝置等。在將處理液供給至基板(W)之周緣部而去除膜的基板處理裝置(16)中，可往基板(W)之徑方向移動的吐出部(411)，係將處理液吐出至保持於基板保持部(31)而旋轉之基板(W)的周緣部。吐出位置設定部(18)，係與配方所含有之膜的去除寛度對應地設定來自吐出部(411)之處理液的吐出位置，特性資訊取得部(7)，係取得應去除之膜的特性資訊。修正量取得部(18)，係取得因應膜的特性資訊而修正處理液之吐出位置的修正量，吐出位置修正部(18)，係基於藉由修正量取得部(18)所取得的修正量，修正吐出部(411)所致之處理液的吐出位置。

简体摘要： 提供可降低伴随着膜之特性不同所造成之去除寛度的变动之基板处理设备等。在将处理液供给至基板(W)之周缘部而去除膜的基板处理设备(16)中，可往基板(W)之径方向移动的吐出部(411)，系将处理液吐出至保持于基板保持部(31)而旋转之基板(W)的周缘部。吐出位置设置部(18)，系与配方所含有之膜的去除寛度对应地设置来自吐出部(411)之处理液的吐出位置，特性信息取得部(7)，系取得应去除之膜的特性信息。修正量取得部(18)，系取得因应膜的特性信息而修正处理液之吐出位置的修正量，吐出位置修正部(18)，系基于借由修正量取得部(18)所取得的修正量，修正吐出部(411)所致之处理液的吐出位置。

公开(公告)号：TW201806010A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：TW106125794

申请日：2017-08-01

申请人： 日商東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

发明人： 中森光則 ,  NAKAMORI, MITSUNORI ,  川淵洋介 ,  KAWABUCHI, YOSUKE ,  增住拓朗 ,  MASUZUMI, TAKURO ,  山下浩司 ,  YAMASHITA, KOJI ,  前田昭三 ,  MAEDA, SHOZOU

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： B29C64/393 ,  B08B3/10 ,  B29C64/236 ,  B33Y30/00 ,  B33Y50/02 ,  B41J2/01 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/68764

摘要： 本發明旨在提供一種液體處理方法，其可去除存在於基板的圖案內的純水並儘早置換成溶劑。本發明的液體處理方法，其對受到水平固持且表面形成有圖案的基板供給純水之後，使基板乾燥，其特徵為包含：純水供給程序，對基板表面供給純水；加熱溶劑供給程序，於該純水供給程序之後，對存有純水的基板表面，於液體狀態下，供給加熱至水的沸點以上的溫度的溶劑；及乾燥程序，去除該基板表面的溶劑，並使該基板乾燥。

简体摘要： 本发明旨在提供一种液体处理方法，其可去除存在于基板的图案内的纯水并尽早置换成溶剂。本发明的液体处理方法，其对受到水平固持且表面形成有图案的基板供给纯水之后，使基板干燥，其特征为包含：纯水供给进程，对基板表面供给纯水；加热溶剂供给进程，于该纯水供给进程之后，对存有纯水的基板表面，于液体状态下，供给加热至水的沸点以上的温度的溶剂；及干燥进程，去除该基板表面的溶剂，并使该基板干燥。

公开(公告)号：TWI610358B

公开(公告)日：2018-01-01

申请号：TW103130145

申请日：2014-09-01

申请人： 信越半導體股份有限公司 ,  SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.

发明人： 橋本浩昌 ,  HASHIMOTO, HIROMASA ,  宇佐美佳宏 ,  USAMI, YOSHIHIRO ,  青木一晃 ,  AOKI, KAZUAKI ,  大葉茂 ,  OBA, SHIGERU

IPC分类号： H01L21/304

CPC分类号： H01L21/02024 ,  B24B37/08 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/304 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26

公开(公告)号：TWI609987B

公开(公告)日：2018-01-01

申请号：TW104137106

申请日：2015-11-11

申请人： 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

发明人： 加藤壽 ,  KATO, HITOSHI ,  三浦繁博 ,  MIURA, SHIGEHIRO ,  菊地宏之 ,  KIKUCHI, HIROYUKI ,  相川勝芳 ,  AIKAWA, KATSUYOSHI

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  H01L21/677

CPC分类号： C23C16/4584 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68792

公开(公告)号：TW201735138A

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW105136690

申请日：2016-11-10

申请人： 迪思科股份有限公司 ,  DISCO CORPORATION

发明人： 岩本拓 ,  IWAMOTO, TAKU ,  大久保広成 ,  OHKUBO, HIRONARI ,  九鬼潤一 ,  KUKI, JUNICHI ,  小田中健太郎 ,  ODANAKA, KENTARO

IPC分类号： H01L21/301 ,  B23K26/351 ,  B23K26/02

CPC分类号： H01L22/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67259 ,  H01L21/67282 ,  H01L21/681 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/78 ,  H01L22/32 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/5446 ,  H01S3/11 ,  H01S3/163

摘要： 基於和雷射加工裝置相關的因素造成加工位置產生誤差之情況下，亦可以對所要位置進行加工。 雷射加工溝形成中，藉由攝像手段(36)針對包含對晶圓照射脈衝雷射光線而產生之射束電漿(300)的加工區域進行攝像，對脈衝雷射光線之射束電漿(300)之位置與事先設定的加工位置(36a)間之位置關係進行計測，據此而在雷射加工中，可以即時把握所要位置是否被加工，當發生加工位置偏離之情況下，可以立即修正加工位置。

简体摘要： 基于和激光加工设备相关的因素造成加工位置产生误差之情况下，亦可以对所要位置进行加工。 激光加工沟形成中，借由摄像手段(36)针对包含对晶圆照射脉冲激光光线而产生之射束等离子(300)的加工区域进行摄像，对脉冲激光光线之射束等离子(300)之位置与事先设置的加工位置(36a)间之位置关系进行计测，据此而在激光加工中，可以实时把握所要位置是否被加工，当发生加工位置偏离之情况下，可以立即修正加工位置。

公开(公告)号：TW201732996A

公开(公告)日：2017-09-16

申请号：TW105107719

申请日：2016-03-14

申请人： 環球晶圓股份有限公司

发明人： 黃彥綸 ,  HUANG, YEN-LUN ,  孫健仁 ,  SUN, CHIEN-JEN ,  施英汝 ,  SHIH, YING-RU ,  徐文慶 ,  HSU, WEN-CHING

IPC分类号： H01L21/683 ,  C23C16/00

CPC分类号： H01L21/67383 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

摘要： 一種晶圓承載裝置，供多個晶圓置放，該晶圓承載裝置包含一盤體，表面凹陷形成多個容置槽，每一容置槽供一晶圓置放且由一側槽壁及一底槽壁配合界定而成，該側槽壁包括一供該晶圓靠抵的凸部，及一連接該凸部上方且不接觸該晶圓的凹部，該凸部與該凹部之交界位於該晶圓遠離該底槽壁之一面的下方，本發明藉由凸部以及凹部使得容置槽內的晶圓在該盤體旋轉時受壓均勻分佈，避免因受離心力擠壓而導致邊緣或表面產生缺陷、損傷，使得晶圓品質下降。

简体摘要： 一种晶圆承载设备，供多个晶圆置放，该晶圆承载设备包含一盘体，表面凹陷形成多个容置槽，每一容置槽供一晶圆置放且由一侧槽壁及一底槽壁配合界定而成，该侧槽壁包括一供该晶圆靠抵的凸部，及一连接该凸部上方且不接触该晶圆的凹部，该凸部与该凹部之交界位于该晶圆远离该底槽壁之一面的下方，本发明借由凸部以及凹部使得容置槽内的晶圆在该盘体旋转时受压均匀分布，避免因受离心力挤压而导致边缘或表面产生缺陷、损伤，使得晶圆品质下降。

公开(公告)号：TW201729287A

公开(公告)日：2017-08-16

申请号：TW105139596

申请日：2016-12-01

申请人： 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

发明人： 安格洛夫 伊弗霖 ,  ANGELOV, IVELIN ,  貝里三世 伊凡 L ,  BERRY III, IVAN L.

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687

CPC分类号： H01L21/68764 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67069

摘要： 一系統包含腔室、卡盤組件、及離子源。該卡盤組件包含基板支撐體及進動組件，其中中心支撐體係連接至該基板支撐體的下方區域之靜止的中心點。該進動組件包含第一及第二致動器，其各自連接至第一及第二位置，該第一及第二位置位於該下方區域中且偏離該中心點。在該第一及第二致動器相對於該中心支撐體而上移及下移時，該進動組件對該基板支撐體賦予進動運動，而在該基板支撐體無轉動的情況下，被賦予至該基板支撐體的該進動運動造成該基板支撐體的轉動傾斜。該基板支撐體的該轉動傾斜係安排以使由離子源所產生的離子以持續改變的入射角撞擊基板之表面。

简体摘要： 一系统包含腔室、卡盘组件、及离子源。该卡盘组件包含基板支撑体及进动组件，其中中心支撑体系连接至该基板支撑体的下方区域之静止的中心点。该进动组件包含第一及第二致动器，其各自连接至第一及第二位置，该第一及第二位置位于该下方区域中且偏离该中心点。在该第一及第二致动器相对于该中心支撑体而上移及下移时，该进动组件对该基板支撑体赋予进动运动，而在该基板支撑体无转动的情况下，被赋予至该基板支撑体的该进动运动造成该基板支撑体的转动倾斜。该基板支撑体的该转动倾斜系安排以使由离子源所产生的离子以持续改变的入射角撞击基板之表面。

公开(公告)号：TW201729245A

公开(公告)日：2017-08-16

申请号：TW105137188

申请日：2016-11-15

申请人： 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

发明人： 凡 克林帕 派崔克 A ,  VAN CLEEMPUT, PATRICK A. ,  恩迪居 尼可拉斯 穆加 ,  NDIEGE, NICHOLAS MUGA

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02348 ,  C23C16/00 ,  C23C18/00 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02277 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76844 ,  H01L23/53238

摘要： 本文中提供用於進行紫外光(UV)輔助毛細凝結作用以形成介電材料之方法及設備。在一些實施例中，UV驅動的反應促進液相可流動材料之光聚合作用。應用包括高深寬比結構中的高品質間隙填充、及孔洞性固體介電膜的封孔。根據各種實施例，提供配置用於進行毛細凝結作用及UV暴露的單站及多站腔室。

简体摘要： 本文中提供用于进行紫外光(UV)辅助毛细凝结作用以形成介电材料之方法及设备。在一些实施例中，UV驱动的反应促进液相可流动材料之光聚合作用。应用包括高深宽比结构中的高品质间隙填充、及孔洞性固体介电膜的封孔。根据各种实施例，提供配置用于进行毛细凝结作用及UV暴露的单站及多站腔室。

公开(公告)号：TWI595541B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：TW105136697

申请日：2016-11-10

申请人： 瓦里安半導體設備公司 ,  VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.

发明人： 泰伊 喬丹B. ,  TYE, JORDAN B. ,  亞瑪多 馬克 R. ,  AMATO, MARK R.

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01J37/317

CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J2237/31703 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/68764