公开(公告)号：TWI624945B

公开(公告)日：2018-05-21

申请号：TW105134046

申请日：2014-06-06

申请人： 科銳公司 ,  CREE, INC.

发明人： 斯利拉姆 思普薩利希 ,  SRIRAM, SAPTHARISHI ,  奧爾康 泰利 ,  ALCORN, TERRY ,  拉度雷思裘 費比安 ,  RADULESCU, FABIAN ,  謝帕德 史考特 ,  SHEPPARD, SCOTT

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L23/52

公开(公告)号：TW201719898A

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：TW105134046

申请日：2014-06-06

申请人： 科銳公司 ,  CREE, INC.

发明人： 斯利拉姆 思普薩利希 ,  SRIRAM, SAPTHARISHI ,  奧爾康 泰利 ,  ALCORN, TERRY ,  拉度雷思裘 費比安 ,  RADULESCU, FABIAN ,  謝帕德 史考特 ,  SHEPPARD, SCOTT

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7787

摘要： 描述了一種包括一場板之電晶體裝置。此裝置之一個實施例包括與一半導體層隔開達一薄間隔物層之一場板。在一個實施例中，將該場板與該等半導體層隔開之間隔物層的厚度小於將該場板與閘極隔開之間隔物層的厚度。在另一實施例中，將該場板與該等半導體層隔開之非零距離約為1500Å或1500Å以下。根據本發明之裝置可展示具有較少汲極偏壓依賴性從而導致改良之線性的電容。

简体摘要： 描述了一种包括一场板之晶体管设备。此设备之一个实施例包括与一半导体层隔开达一薄间隔物层之一场板。在一个实施例中，将该场板与该等半导体层隔开之间隔物层的厚度小于将该场板与闸极隔开之间隔物层的厚度。在另一实施例中，将该场板与该等半导体层隔开之非零距离约为1500Å或1500Å以下。根据本发明之设备可展示具有较少汲极偏压依赖性从而导致改良之线性的电容。

公开(公告)号：TWI560877B

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：TW103119694

申请日：2014-06-06

申请人： 科銳公司 ,  CREE, INC.

发明人： 斯利拉姆 思普薩利希 ,  SRIRAM, SAPTHARISHI ,  奧爾康 泰利 ,  ALCORN, TERRY ,  拉度雷思裘 費比安 ,  RADULESCU, FABIAN ,  謝帕德 史考特 ,  SHEPPARD, SCOTT

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7787

公开(公告)号：TW201511261A

公开(公告)日：2015-03-16

申请号：TW103119694

申请日：2014-06-06

申请人： 科銳公司 ,  CREE, INC.

发明人： 斯利拉姆 思普薩利希 ,  SRIRAM, SAPTHARISHI ,  奧爾康 泰利 ,  ALCORN, TERRY ,  拉度雷思裘 費比安 ,  RADULESCU, FABIAN ,  謝帕德 史考特 ,  SHEPPARD, SCOTT

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7787

摘要： 描述了一種包括一場板之電晶體裝置。此裝置之一個實施例包括與一半導體層隔開達一薄間隔物層之一場板。在一個實施例中，將該場板與該等半導體層隔開之間隔物層的厚度小於將該場板與閘極隔開之間隔物層的厚度。在另一實施例中，將該場板與該等半導體層隔開之非零距離約為1500Å或1500Å以下。根據本發明之裝置可展示具有較少汲極偏壓依賴性從而導致改良之線性的電容。

简体摘要： 描述了一种包括一场板之晶体管设备。此设备之一个实施例包括与一半导体层隔开达一薄间隔物层之一场板。在一个实施例中，将该场板与该等半导体层隔开之间隔物层的厚度小于将该场板与闸极隔开之间隔物层的厚度。在另一实施例中，将该场板与该等半导体层隔开之非零距离约为1500Å或1500Å以下。根据本发明之设备可展示具有较少汲极偏压依赖性从而导致改良之线性的电容。