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公开(公告)号：TW201814903A
公开(公告)日：2018-04-16
申请号：TW106127136
申请日：2017-08-10
申请人： 美商英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 拉多撒福傑維克 馬可 , RADOSAVLJEVIC, MARKO , 達斯古塔 山薩塔克 , DASGUPTA, SANSAPTAK , 陳 漢威 , THEN, HAN WUI
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/328
CPC分类号： H01L29/2003 , H01L21/76898 , H01L21/823807 , H01L21/8258 , H01L27/0605 , H01L27/0688 , H01L27/092 , H01L29/778
摘要： 在後段產線處理期間形成以氮化鎵為基礎的電晶體的方法及設備被揭露。範例積體電路包括形成於第一半導體基板上之第一電晶體。範例積體電路包括形成於第一半導體基板上之介電材料。介電材料延伸越過第一電晶體。範例積體電路更包括形成於介電材料上之第二半導體基板。範例積體電路亦包括形成於第二半導體基板上之第二電晶體。
简体摘要： 在后段产线处理期间形成以氮化镓为基础的晶体管的方法及设备被揭露。范例集成电路包括形成于第一半导体基板上之第一晶体管。范例集成电路包括形成于第一半导体基板上之介电材料。介电材料延伸越过第一晶体管。范例集成电路更包括形成于介电材料上之第二半导体基板。范例集成电路亦包括形成于第二半导体基板上之第二晶体管。
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公开(公告)号：TW201742118A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW106104976
申请日：2017-02-16
发明人： 鹿內洋志 , SHIKAUCHI, HIROSHI , 佐藤憲 , SATO, KEN , 篠宮勝 , SHINOMIYA, MASARU , 土屋慶太郎 , TSUCHIYA, KEITARO , 萩本和德 , HAGIMOTO, KAZUNORI
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC分类号： H01L21/20 , H01L29/778 , H01L29/812
摘要： 本發明為一種半導體基體，包含矽系基板、於矽系基板上將含有第一材料的氮化物系化合物半導體之第一層與含有第二材料之氮化物系化合物半導體之第二層予以反覆配置所形成之層的緩衝層及於緩衝層上含有第二材料之氮化系化合物半導體的通道層，緩衝層之第一層上的與第二層之間的至少一處有第二材料組成比例朝上漸大且第一材料組成比例朝上漸小的氮化物系化合物半導體的第一組成傾斜層、及第二層上的與該第一層之間的至少一處有第一材料組成比例朝向上漸大且第二材料組成比例朝上漸小的第二組成傾斜層，第一組成傾斜層厚於該第二組成傾斜層。
简体摘要： 本发明为一种半导体基体，包含硅系基板、于硅系基板上将含有第一材料的氮化物系化合物半导体之第一层与含有第二材料之氮化物系化合物半导体之第二层予以反复配置所形成之层的缓冲层及于缓冲层上含有第二材料之氮化系化合物半导体的信道层，缓冲层之第一层上的与第二层之间的至少一处有第二材料组成比例朝上渐大且第一材料组成比例朝上渐小的氮化物系化合物半导体的第一组成倾斜层、及第二层上的与该第一层之间的至少一处有第一材料组成比例朝向上渐大且第二材料组成比例朝上渐小的第二组成倾斜层，第一组成倾斜层厚于该第二组成倾斜层。
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公开(公告)号：TWI599000B
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：TW104126433
申请日：2015-08-13
申请人： 東芝股份有限公司 , TOSHIBA CORPORATION
发明人： 楊 隆 , YANG, LONG
IPC分类号： H01L21/8252 , H01L29/20 , H01L29/778
CPC分类号： H01L29/778 , H01L21/02271 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/02538 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/28264 , H01L29/2003 , H01L29/2006 , H01L29/205 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/66462 , H01L29/7786
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公开(公告)号：TWI598945B
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：TW102127608
申请日：2013-08-01
发明人： 山田敦史 , YAMADA, ATSUSHI , 溫井健司 , NUKUI, KENJI
CPC分类号： H01L29/66462 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/42372 , H01L29/66431 , H01L29/778 , H01L29/7787
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公开(公告)号：TW201719898A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105134046
申请日：2014-06-06
申请人： 科銳公司 , CREE, INC.
发明人： 斯利拉姆 思普薩利希 , SRIRAM, SAPTHARISHI , 奧爾康 泰利 , ALCORN, TERRY , 拉度雷思裘 費比安 , RADULESCU, FABIAN , 謝帕德 史考特 , SHEPPARD, SCOTT
IPC分类号： H01L29/778 , H01L23/52
CPC分类号： H01L29/778 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/407 , H01L29/7787
摘要： 描述了一種包括一場板之電晶體裝置。此裝置之一個實施例包括與一半導體層隔開達一薄間隔物層之一場板。在一個實施例中，將該場板與該等半導體層隔開之間隔物層的厚度小於將該場板與閘極隔開之間隔物層的厚度。在另一實施例中，將該場板與該等半導體層隔開之非零距離約為1500Å或1500Å以下。根據本發明之裝置可展示具有較少汲極偏壓依賴性從而導致改良之線性的電容。
简体摘要： 描述了一种包括一场板之晶体管设备。此设备之一个实施例包括与一半导体层隔开达一薄间隔物层之一场板。在一个实施例中，将该场板与该等半导体层隔开之间隔物层的厚度小于将该场板与闸极隔开之间隔物层的厚度。在另一实施例中，将该场板与该等半导体层隔开之非零距离约为1500Å或1500Å以下。根据本发明之设备可展示具有较少汲极偏压依赖性从而导致改良之线性的电容。
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公开(公告)号：TWI578519B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW100131228
申请日：2011-08-31
发明人： 福原昇 , FUKUHARA, NOBORU
CPC分类号： H01L29/778 , H01L29/1029 , H01L29/201 , H01L29/205 , H01L29/36 , H01L29/51 , H01L29/517 , H01L29/66462 , H01L29/7785
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公开(公告)号：TW201711196A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105127919
申请日：2010-08-24
申请人： 全斯法姆公司 , TRANSPHORM INC.
发明人： 儲榮明 , CHU, RONGMING , 可菲羅柏特 , COFFIE, ROBERT
IPC分类号： H01L29/41 , H01L21/28 , H01L29/778 , H01L29/861
CPC分类号： H01L29/402 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/283 , H01L21/28587 , H01L21/30612 , H01L21/31105 , H01L21/765 , H01L29/0607 , H01L29/2003 , H01L29/404 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/518 , H01L29/66212 , H01L29/66462 , H01L29/66522 , H01L29/66666 , H01L29/778 , H01L29/7781 , H01L29/7786 , H01L29/7787 , H01L29/78 , H01L29/872
摘要： 所述III族氮化物(III-Nitride或III-N)元件具有III-N材料層、位於III-N材料層表面之絕緣層、位於遠離III-N材料層的絕緣層對側之蝕刻終止層、以及位於遠離絕緣層、遠離蝕刻終止層的蝕刻終止層對側之電極定義層。在該電極定義層中形成凹部。在該凹部中形成電極。特別是在電極與III-N材料層間的絕緣層可具有精確控制的厚度。
简体摘要： 所述III族氮化物(III-Nitride或III-N)组件具有III-N材料层、位于III-N材料层表面之绝缘层、位于远离III-N材料层的绝缘层对侧之蚀刻终止层、以及位于远离绝缘层、远离蚀刻终止层的蚀刻终止层对侧之电极定义层。在该电极定义层中形成凹部。在该凹部中形成电极。特别是在电极与III-N材料层间的绝缘层可具有精确控制的厚度。
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公开(公告)号：TW201640560A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：TW105100569
申请日：2016-01-08
申请人： 簡森 艾利克 , JANZEN, ERIK , 陳志泰 , CHEN, JR TAI
发明人： 簡森 艾利克 , JANZEN, ERIK , 陳志泰 , CHEN, JR TAI
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02694 , H01L21/02378 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/02661 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L29/7787
摘要： 本發明揭露一半導體元件結構，由一碳化矽(SiC)基板、一氮化銦鋁鎵(Inx1Aly1Ga1-x1-y1N，其中x1、y1介於0至1之間，且x1+y1=1)緩衝層與一氮化銦鋁鎵(Inx2Aly2Ga1-x2-y2N，其中x2、y2介於0至1之間，且x2+y2=1)成核層所構成，該成核層位於碳化矽基板和緩衝層之間。由X光繞射儀(XRD)測量後得到以下結果，緩衝層的晶格面之搖擺曲線呈現出最大半高寬低於250角秒(arcsec)，而成核層的晶格面之搖擺曲線呈現出最大半高寬低於200角秒。 生產此類型知半導體元件結構之製法也在此揭露。
简体摘要： 本发明揭露一半导体组件结构，由一碳化硅(SiC)基板、一氮化铟铝镓(Inx1Aly1Ga1-x1-y1N，其中x1、y1介于0至1之间，且x1+y1=1)缓冲层与一氮化铟铝镓(Inx2Aly2Ga1-x2-y2N，其中x2、y2介于0至1之间，且x2+y2=1)成核层所构成，该成核层位于碳化硅基板和缓冲层之间。由X光绕射仪(XRD)测量后得到以下结果，缓冲层的晶格面之摇摆曲线呈现出最大半高宽低于250角秒(arcsec)，而成核层的晶格面之摇摆曲线呈现出最大半高宽低于200角秒。 生产此类型知半导体组件结构之制法也在此揭露。
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公开(公告)号：TWI555199B
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：TW099128303
申请日：2010-08-24
申请人： 全斯法姆公司 , TRANSPHORM INC.
发明人： 儲榮明 , CHU, RONGMING , 可菲羅柏特 , COFFIE, ROBERT
IPC分类号： H01L29/41 , H01L21/28 , H01L29/778 , H01L29/861
CPC分类号： H01L29/402 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/283 , H01L21/28587 , H01L21/30612 , H01L21/31105 , H01L21/765 , H01L29/0607 , H01L29/2003 , H01L29/404 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/518 , H01L29/66212 , H01L29/66462 , H01L29/66522 , H01L29/66666 , H01L29/778 , H01L29/7781 , H01L29/7786 , H01L29/7787 , H01L29/78 , H01L29/872
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公开(公告)号：TWI552191B
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW102138065
申请日：2013-10-22
申请人： 富士通股份有限公司 , FUJITSU LIMITED
发明人： 佐藤信太郎 , SATO, SHINTARO
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L29/78618 , B82Y40/00 , C01B32/16 , C01B32/184 , H01L21/043 , H01L29/0673 , H01L29/1606 , H01L29/517 , H01L29/66045 , H01L29/778 , H01L29/78603 , H01L29/78684 , H01L51/0045
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