公开(公告)号：TW201526207A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：TW104110136

申请日：2014-01-24

申请人： 美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

发明人： 霍普金斯 約翰 ,  HOPKINS, JOHN ,  范 達爾文 法蘭塞達 ,  FAN, DARWIN FRANSEDA ,  席賽克 艾吉 費瑪馬 雅遜 ,  SIMSEK-EGE, FATMA ARZUM ,  布萊登 詹姆士 ,  BRIGHTEN, JAMES ,  莫瑞 歐瑞里歐 吉安卡羅 ,  MAURI, AURELIO GIANCARLO ,  傑亞提 史瑞坎特 ,  JAYANTI, SRIKANT

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L29/788

CPC分类号： H01L29/7887 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/7889

摘要： 本文大體上討論三維記憶體單元及製造及使用該等記憶體單元之方法。在一或多個實施例中，一三維垂直記憶體可包含一記憶體堆疊。此一記憶體堆疊可包含記憶體單元及介於鄰近記憶體單元之間之一介電質，各記憶體單元包含一控制閘極及一電荷儲存結構。該記憶體單元可進一步包含介於該電荷儲存結構與該控制閘極之間之一障壁材料，該電荷儲存結構及該障壁材料具有一實質上相等之尺寸。

简体摘要： 本文大体上讨论三维内存单元及制造及使用该等内存单元之方法。在一或多个实施例中，一三维垂直内存可包含一内存堆栈。此一内存堆栈可包含内存单元及介于邻近内存单元之间之一介电质，各内存单元包含一控制闸极及一电荷存储结构。该内存单元可进一步包含介于该电荷存储结构与该控制闸极之间之一障壁材料，该电荷存储结构及该障壁材料具有一实质上相等之尺寸。

公开(公告)号：TWI548065B

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：TW104110136

申请日：2014-01-24

申请人： 美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

发明人： 霍普金斯 約翰 ,  HOPKINS, JOHN ,  范 達爾文 法蘭塞達 ,  FAN, DARWIN FRANSEDA ,  席賽克 艾吉 費瑪馬 雅遜 ,  SIMSEK-EGE, FATMA ARZUM ,  布萊登 詹姆士 ,  BRIGHTEN, JAMES ,  莫瑞 歐瑞里歐 吉安卡羅 ,  MAURI, AURELIO GIANCARLO ,  傑亞提 史瑞坎特 ,  JAYANTI, SRIKANT

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L29/788

CPC分类号： H01L29/7887 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/7889

公开(公告)号：TW201442211A

公开(公告)日：2014-11-01

申请号：TW103102815

申请日：2014-01-24

申请人： 美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

发明人： 霍普金斯 約翰 ,  HOPKINS, JOHN ,  范 達爾文 法蘭塞達 ,  FAN, DARWIN FRANSEDA ,  席賽克 艾吉 費瑪馬 雅遜 ,  SIMSEK-EGE, FATMA ARZUM ,  布萊登 詹姆士 ,  BRIGHTEN, JAMES ,  莫瑞 歐瑞里歐 吉安卡羅 ,  MAURI, AURELIO GIANCARLO ,  傑亞提 史瑞坎特 ,  JAYANTI, SRIKANT

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7887 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/7889

摘要： 本文大體上討論三維記憶體單元及製造及使用該等記憶體單元之方法。在一或多個實施例中，一三維垂直記憶體可包含一記憶體堆疊。此一記憶體堆疊可包含記憶體單元及介於鄰近記憶體單元之間之一介電質，各記憶體單元包含一控制閘極及一電荷儲存結構。該記憶體單元可進一步包含介於該電荷儲存結構與該控制閘極之間之一障壁材料，該電荷儲存結構及該障壁材料具有一實質上相等之尺寸。

简体摘要： 本文大体上讨论三维内存单元及制造及使用该等内存单元之方法。在一或多个实施例中，一三维垂直内存可包含一内存堆栈。此一内存堆栈可包含内存单元及介于邻近内存单元之间之一介电质，各内存单元包含一控制闸极及一电荷存储结构。该内存单元可进一步包含介于该电荷存储结构与该控制闸极之间之一障壁材料，该电荷存储结构及该障壁材料具有一实质上相等之尺寸。

公开(公告)号：TW201737472A

公开(公告)日：2017-10-16

申请号：TW105119785

申请日：2014-01-24

申请人： 美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

发明人： 霍普金斯 約翰 ,  HOPKINS, JOHN ,  范 達爾文 法蘭塞達 ,  FAN, DARWIN FRANSEDA ,  席賽克 艾吉 費瑪馬 雅遜 ,  SIMSEK-EGE, FATMA ARZUM ,  布萊登 詹姆士 ,  BRIGHTEN, JAMES ,  莫瑞 歐瑞里歐 吉安卡羅 ,  MAURI, AURELIO GIANCARLO ,  傑亞提 史瑞坎特 ,  JAYANTI, SRIKANT

IPC分类号： H01L27/11551 ,  H01L29/788

CPC分类号： H01L29/7887 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/7889

摘要： 本文大體上討論三維記憶體單元及製造及使用該等記憶體單元之方法。在一或多個實施例中，一三維垂直記憶體可包含一記憶體堆疊。此一記憶體堆疊可包含記憶體單元及介於鄰近記憶體單元之間之一介電質，各記憶體單元包含一控制閘極及一電荷儲存結構。該記憶體單元可進一步包含介於該電荷儲存結構與該控制閘極之間之一障壁材料，該電荷儲存結構及該障壁材料具有一實質上相等之尺寸。

简体摘要： 本文大体上讨论三维内存单元及制造及使用该等内存单元之方法。在一或多个实施例中，一三维垂直内存可包含一内存堆栈。此一内存堆栈可包含内存单元及介于邻近内存单元之间之一介电质，各内存单元包含一控制闸极及一电荷存储结构。该内存单元可进一步包含介于该电荷存储结构与该控制闸极之间之一障壁材料，该电荷存储结构及该障壁材料具有一实质上相等之尺寸。

公开(公告)号：TWI575716B

公开(公告)日：2017-03-21

申请号：TW105119785

申请日：2014-01-24

申请人： 美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

发明人： 霍普金斯 約翰 ,  HOPKINS, JOHN ,  范 達爾文 法蘭塞達 ,  FAN, DARWIN FRANSEDA ,  席賽克 艾吉 費瑪馬 雅遜 ,  SIMSEK-EGE, FATMA ARZUM ,  布萊登 詹姆士 ,  BRIGHTEN, JAMES ,  莫瑞 歐瑞里歐 吉安卡羅 ,  MAURI, AURELIO GIANCARLO ,  傑亞提 史瑞坎特 ,  JAYANTI, SRIKANT

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L29/788

CPC分类号： H01L29/7887 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/7889

公开(公告)号：TWI484623B

公开(公告)日：2015-05-11

申请号：TW103102815

申请日：2014-01-24

申请人： 美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

发明人： 霍普金斯 約翰 ,  HOPKINS, JOHN ,  范 達爾文 法蘭塞達 ,  FAN, DARWIN FRANSEDA ,  席賽克 艾吉 費瑪馬 雅遜 ,  SIMSEK-EGE, FATMA ARZUM ,  布萊登 詹姆士 ,  BRIGHTEN, JAMES ,  莫瑞 歐瑞里歐 吉安卡羅 ,  MAURI, AURELIO GIANCARLO ,  傑亞提 史瑞坎特 ,  JAYANTI, SRIKANT

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7887 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/7889