公开(公告)号：TWI622175B

公开(公告)日：2018-04-21

申请号：TW106106669

申请日：2009-07-27

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  宮入秀和 ,  MIYAIRI, HIDEKAZU ,  秋元健吾 ,  AKIMOTO, KENGO ,  白石康次郎 ,  SHIRAISHI, KOJIRO

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/016 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/15 ,  H01L27/3225 ,  H01L27/3241 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78618

公开(公告)号：TW201812073A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW106119405

申请日：2017-06-12

申请人： 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

发明人： 中西敏雄 ,  NAKANISHI, TOSHIO ,  片山大介 ,  KATAYAMA, DAISUKE

IPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/511 ,  C23C16/46 ,  C23C16/56 ,  H01L21/318

CPC分类号： C23C16/345 ,  C23C16/46 ,  C23C16/511 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/475 ,  H01L29/518

摘要： 本發明提供一種縱使是藉由低溫下的CVD所成膜之氮化矽膜，仍可改質為所欲特性之氮化矽膜之處理方法。 氮化矽膜之處理方法係於基板上藉由電漿CVD所成膜之氮化矽膜之處理方法，其係對氮化矽膜照射微波氫電漿，而藉由微波電漿中的原子狀氫將氮化矽膜之表面部分的氫予以去除來將該部分改質。

简体摘要： 本发明提供一种纵使是借由低温下的CVD所成膜之氮化硅膜，仍可改质为所欲特性之氮化硅膜之处理方法。 氮化硅膜之处理方法系于基板上借由等离子CVD所成膜之氮化硅膜之处理方法，其系对氮化硅膜照射微波氢等离子，而借由微波等离子中的原子状氢将氮化硅膜之表面部分的氢予以去除来将该部分改质。

公开(公告)号：TW201803095A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：TW106111672

申请日：2017-04-07

申请人： 群創光電股份有限公司 ,  INNOLUX CORPORATION

发明人： 李冠鋒 ,  LEE, KUANFENG ,  劉 敏鑽 ,  LIUS, CHANDRA ,  許乃方 ,  HSU, NAI FANG

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L27/32

CPC分类号： H01L27/1225 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02595 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/24 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/51 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/7869

摘要： 本揭露提供一種顯示裝置。該顯示裝置包括：一基板；一第一薄膜電晶體，設置於該基板上，該第一薄膜電晶體包括一第一主動層、一第一閘絕緣層、以及一第一閘極；以及一第二薄膜電晶體，設置於該基板上，該第二薄膜電晶體包括一第二主動層、一第二閘絕緣層、以及一第二閘極；其中該第一閘絕緣層設置於該第一閘極與該第一主動層之間，且該第一閘絕緣層接觸該第一主動層，其中該第二閘絕緣層設置於該第二閘極與該第二主動層之間，且該第二閘絕緣層接觸該第二主動層，其中該第一主動層之材料不同於該第二主動層之材料，其中該第二閘絕緣層之氫濃度不同於該第一閘絕緣層之氫濃度。

简体摘要： 本揭露提供一种显示设备。该显示设备包括：一基板；一第一薄膜晶体管，设置于该基板上，该第一薄膜晶体管包括一第一主动层、一第一闸绝缘层、以及一第一闸极；以及一第二薄膜晶体管，设置于该基板上，该第二薄膜晶体管包括一第二主动层、一第二闸绝缘层、以及一第二闸极；其中该第一闸绝缘层设置于该第一闸极与该第一主动层之间，且该第一闸绝缘层接触该第一主动层，其中该第二闸绝缘层设置于该第二闸极与该第二主动层之间，且该第二闸绝缘层接触该第二主动层，其中该第一主动层之材料不同于该第二主动层之材料，其中该第二闸绝缘层之氢浓度不同于该第一闸绝缘层之氢浓度。

公开(公告)号：TW201743456A

公开(公告)日：2017-12-16

申请号：TW106129028

申请日：2010-07-27

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  細羽美雪 ,  HOSOBA, MIYUKI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  桑原秀明 ,  KUWABARA, HIDEAKI

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/78606 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/134336 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/167 ,  G02F2001/13606 ,  G02F2201/123 ,  G09G3/344 ,  G09G3/3677 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2310/0286 ,  G09G2310/08 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/45 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： 本發明的目的之一是提供一種具備可以有效地降低佈線之間的寄生電容的結構的半導體裝置。在使用氧化物半導體層的底閘結構的薄膜電晶體中，以與重疊於閘極電極層的氧化物半導體層的一部分上接觸的方式形成用作通道保護層的氧化物絕緣層，當形成該氧化物絕緣層時形成覆蓋氧化物半導體層的疊層的邊緣部(包括側面)的氧化物絕緣層。另外，不與通道保護層重疊地形成源極電極層及汲極電極層，以採用源極電極層及汲極電極層上的絕緣層與氧化物半導體層接觸的結構。

简体摘要： 本发明的目的之一是提供一种具备可以有效地降低布线之间的寄生电容的结构的半导体设备。在使用氧化物半导体层的底闸结构的薄膜晶体管中，以与重叠于闸极电极层的氧化物半导体层的一部分上接触的方式形成用作信道保护层的氧化物绝缘层，当形成该氧化物绝缘层时形成覆盖氧化物半导体层的叠层的边缘部(包括侧面)的氧化物绝缘层。另外，不与信道保护层重叠地形成源极电极层及汲极电极层，以采用源极电极层及汲极电极层上的绝缘层与氧化物半导体层接触的结构。

公开(公告)号：TWI607510B

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：TW102146662

申请日：2013-12-17

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 遠藤佑太 ,  ENDO, YUTA

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1259 ,  H01L28/60 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78648

公开(公告)号：TWI606589B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：TW105102370

申请日：2016-01-26

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 邱漢欽 ,  CHIU, HAN CHIN ,  蔡正原 ,  TSAI, CHENG YUAN

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/66431 ,  H01L23/291 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786

公开(公告)号：TWI605574B

公开(公告)日：2017-11-11

申请号：TW105114941

申请日：2010-10-28

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  宮永昭治 ,  MIYANAGA, AKIHARU ,  高橋正弘 ,  TAKAHASHI, MASAHIRO ,  岸田英幸 ,  KISHIDA, HIDEYUKI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L27/11563 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TW201737472A

公开(公告)日：2017-10-16

申请号：TW105119785

申请日：2014-01-24

申请人： 美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

发明人： 霍普金斯 約翰 ,  HOPKINS, JOHN ,  范 達爾文 法蘭塞達 ,  FAN, DARWIN FRANSEDA ,  席賽克 艾吉 費瑪馬 雅遜 ,  SIMSEK-EGE, FATMA ARZUM ,  布萊登 詹姆士 ,  BRIGHTEN, JAMES ,  莫瑞 歐瑞里歐 吉安卡羅 ,  MAURI, AURELIO GIANCARLO ,  傑亞提 史瑞坎特 ,  JAYANTI, SRIKANT

IPC分类号： H01L27/11551 ,  H01L29/788

CPC分类号： H01L29/7887 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/7889

摘要： 本文大體上討論三維記憶體單元及製造及使用該等記憶體單元之方法。在一或多個實施例中，一三維垂直記憶體可包含一記憶體堆疊。此一記憶體堆疊可包含記憶體單元及介於鄰近記憶體單元之間之一介電質，各記憶體單元包含一控制閘極及一電荷儲存結構。該記憶體單元可進一步包含介於該電荷儲存結構與該控制閘極之間之一障壁材料，該電荷儲存結構及該障壁材料具有一實質上相等之尺寸。

简体摘要： 本文大体上讨论三维内存单元及制造及使用该等内存单元之方法。在一或多个实施例中，一三维垂直内存可包含一内存堆栈。此一内存堆栈可包含内存单元及介于邻近内存单元之间之一介电质，各内存单元包含一控制闸极及一电荷存储结构。该内存单元可进一步包含介于该电荷存储结构与该控制闸极之间之一障壁材料，该电荷存储结构及该障壁材料具有一实质上相等之尺寸。

公开(公告)号：TW201731112A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：TW106113112

申请日：2013-04-25

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 宮本敏行 ,  MIYAMOTO, TOSHIYUKI ,  野村昌史 ,  NOMURA, MASAFUMI ,  羽持貴士 ,  HAMOCHI, TAKASHI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L29/66969 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/495 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： 本發明的一個方式的目的是防止由靜電破壞引起的良率的下降提供高可靠性的半導體裝置。提供一種半導體裝置，該半導體裝置包括：閘極電極層；閘極電極層上的第一閘極絕緣層；位於第一閘極絕緣層上且具有比第一閘極絕緣層小的厚度的第二閘極絕緣層；第二閘極絕緣層上的氧化物半導體層；以及與氧化物半導體層電連接的源極電極層及汲極電極層，其中，第一閘極絕緣層為對應於在電子自旋共振法中在g值為2.003時出現的信號的自旋密度為1×1017spins/cm3以下的含有氮的矽膜，並且，第二閘極絕緣層為具有比第一閘極絕緣層低的氫濃度的含有氮的矽膜。

简体摘要： 本发明的一个方式的目的是防止由静电破坏引起的良率的下降提供高可靠性的半导体设备。提供一种半导体设备，该半导体设备包括：闸极电极层；闸极电极层上的第一闸极绝缘层；位于第一闸极绝缘层上且具有比第一闸极绝缘层小的厚度的第二闸极绝缘层；第二闸极绝缘层上的氧化物半导体层；以及与氧化物半导体层电连接的源极电极层及汲极电极层，其中，第一闸极绝缘层为对应于在电子自旋共振法中在g值为2.003时出现的信号的自旋密度为1×1017spins/cm3以下的含有氮的硅膜，并且，第二闸极绝缘层为具有比第一闸极绝缘层低的氢浓度的含有氮的硅膜。

公开(公告)号：TW201730940A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：TW105143415

申请日：2016-12-27

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/0924 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823864 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545

摘要： 一種半導體元件，包含半導體基材與至少一閘極堆疊。閘極堆疊係位於半導體基材上，且閘極堆疊包含至少一功函數導體與填充導體。功函數導體具有凹陷於其中。填充導體具有插塞部與覆蓋部。插塞部係位於功函數導體之凹陷中。覆蓋部覆蓋功函數導體。

简体摘要： 一种半导体组件，包含半导体基材与至少一闸极堆栈。闸极堆栈系位于半导体基材上，且闸极堆栈包含至少一功函数导体与填充导体。功函数导体具有凹陷于其中。填充导体具有插塞部与覆盖部。插塞部系位于功函数导体之凹陷中。覆盖部覆盖功函数导体。