公开(公告)号：TW202004350A

公开(公告)日：2020-01-16

申请号：TW108135206

申请日：2017-06-15

申请人： 美商應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 漢森 凱爾M ,  HANSON, KYLE M. ,  威爾森 葛瑞格里J ,  WILSON, GREGORY J. ,  芭芭洋 維亞契史拉維 ,  BABAYAN, VIACHSLAV

IPC分类号： G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F1/00 ,  H01L21/027

摘要： 本案所述的實施例關於用於進行浸入場引導的曝光後烘烤製程的方法和設備。於此所述的設備的實施例包括界定處理容積的腔室主體。電極可設置在處理容積附近，並且經由複數個流體導管而將處理流體提供給處理容積以促進浸入場引導的曝光後烘烤製程。亦提供了用於沖洗、顯影和乾燥基板的後處理腔室。

简体摘要： 本案所述的实施例关于用于进行浸入场引导的曝光后烘烤制程的方法和设备。于此所述的设备的实施例包括界定处理容积的腔室主体。电极可设置在处理容积附近，并且经由复数个流体导管而将处理流体提供给处理容积以促进浸入场引导的曝光后烘烤制程。亦提供了用于冲洗、显影和干燥基板的后处理腔室。

公开(公告)号：TW201837610A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：TW106140879

申请日：2017-11-24

申请人： 美商應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 芭芭洋 維亞契史拉維 ,  BABAYAN, VIACHSLAV ,  葛迪 魯多維 ,  GODET, LUDOVIC ,  漢森 凱爾M ,  HANSON, KYLE M. ,  摩爾 羅伯特B ,  MOORE, ROBERT B.

IPC分类号： G03F7/20

摘要： 本說明書所述的實施係關於用於後期曝光處理的設備。更具體言之，本說明書所述的實施係關於處理平臺上使用的場引導式後期曝光處理腔室及冷卻/顯影腔室。在一個實施中，複數個後期曝光處理腔室和冷卻/顯影腔室對以堆疊佈置的方式定位在處理平臺上，並利用共用的管道模組。在另一實施中，複數個後期曝光處理腔室和冷卻/顯影腔室以線性佈置的方式定位在處理平臺上，且每個腔室利用單獨專用的管道模組。

简体摘要： 本说明书所述的实施系关于用于后期曝光处理的设备。更具体言之，本说明书所述的实施系关于处理平台上使用的场引导式后期曝光处理腔室及冷却/显影腔室。在一个实施中，复数个后期曝光处理腔室和冷却/显影腔室对以堆栈布置的方式定位在处理平台上，并利用共享的管道模块。在另一实施中，复数个后期曝光处理腔室和冷却/显影腔室以线性布置的方式定位在处理平台上，且每个腔室利用单独专用的管道模块。

公开(公告)号：TWI681257B

公开(公告)日：2020-01-01

申请号：TW106119960

申请日：2017-06-15

申请人： 美商應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 漢森 凱爾M ,  HANSON, KYLE M. ,  威爾森 葛瑞格里J ,  WILSON, GREGORY J. ,  芭芭洋 維亞契史拉維 ,  BABAYAN, VIACHSLAV

IPC分类号： G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F1/00 ,  H01L21/027

公开(公告)号：TW201809891A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW106119960

申请日：2017-06-15

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 漢森 凱爾M ,  HANSON, KYLE M. ,  威爾森 葛瑞格里J ,  WILSON, GREGORY J. ,  芭芭洋 維亞契史拉維 ,  BABAYAN, VIACHSLAV

IPC分类号： G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F1/00 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/38 ,  C23C16/54 ,  C23C16/56 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67751

摘要： 本案所述的實施例關於用於進行浸入場引導的曝光後烘烤製程的方法和設備。於此所述的設備的實施例包括界定處理容積的腔室主體。電極可設置在處理容積附近，並且經由複數個流體導管而將處理流體提供給處理容積以促進浸入場引導的曝光後烘烤製程。亦提供了用於沖洗、顯影和乾燥基板的後處理腔室。

简体摘要： 本案所述的实施例关于用于进行浸入场引导的曝光后烘烤制程的方法和设备。于此所述的设备的实施例包括界定处理容积的腔室主体。电极可设置在处理容积附近，并且经由复数个流体导管而将处理流体提供给处理容积以促进浸入场引导的曝光后烘烤制程。亦提供了用于冲洗、显影和干燥基板的后处理腔室。

公开(公告)号：TW201801222A

公开(公告)日：2018-01-01

申请号：TW106105533

申请日：2017-02-20

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 克羅克 約翰L ,  KLOCKE, JOHN L. ,  漢森 凱爾M ,  HANSON, KYLE M. ,  強納生 喬瑟夫A ,  JONATHAN, JOSEPH A. ,  克蘭 史都華 ,  CRANE, STUART

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/687

CPC分类号： H01L21/67057 ,  B08B3/10 ,  B08B3/12 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/68792

摘要： 晶圓處理器具有處於處理儲槽內的轉子固定晶圓。轉子旋轉，從而順序地將晶圓移動通過處理儲槽中保存的處理液體。儲槽可以具有工字梁形，以便減小處理液體體積。裝料埠提供在處理儲槽頂部處，以將晶圓裝卸進出處理儲槽。沖洗和清潔腔室可與裝料埠相關聯，以將處理液體從處理過的晶圓上去除。處理器可取向為使得轉子圍繞水準軸線或圍繞豎直軸線來旋轉。

简体摘要： 晶圆处理器具有处于处理储槽内的转子固定晶圆。转子旋转，从而顺序地将晶圆移动通过处理储槽中保存的处理液体。储槽可以具有工字梁形，以便减小处理液体体积。装料端口提供在处理储槽顶部处，以将晶圆装卸进出处理储槽。冲洗和清洁腔室可与装料端口相关联，以将处理液体从处理过的晶圆上去除。处理器可取向为使得转子围绕水准轴线或围绕竖直轴线来旋转。

公开(公告)号：TWM547751U

公开(公告)日：2017-08-21

申请号：TW106202421

申请日：2017-02-20

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 克羅克 約翰L ,  KLOCKE, JOHN L. ,  漢森 凱爾M ,  HANSON, KYLE M. ,  強納生 喬瑟夫A ,  JONATHAN, JOSEPH A. ,  克蘭 史都華 ,  CRANE, STUART

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67057 ,  B08B3/10 ,  B08B3/12 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/68792