公开(公告)号：TWI694503B

公开(公告)日：2020-05-21

申请号：TW105127638

申请日：2016-08-29

申请人： 美商應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 芭芭洋 維亞契史拉維 ,  BABAYAN, VIACHSLAV ,  梁 奇偉 ,  LIANG, QIWEI ,  高夫曼-歐斯柏恩 托賓 ,  KAUFMAN-OSBORN, TOBIN ,  葛迪 魯多維 ,  GODET, LUDOVIC ,  奈馬尼 史林尼法斯D ,  NEMANI, SRINIVAS D.

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L23/34

公开(公告)号：TW201840872A

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：TW107101666

申请日：2018-01-17

申请人： 美商應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 希拉 巴甘夫 ,  CLTLA, BHARGAV ,  劉菁菁 ,  LIU, JINGJING ,  華仲強 ,  HUA, ZHONG QIANG ,  殷 正操 ,  YING, CHENTSAU ,  奈馬尼 史林尼法斯D ,  NEMANI, SRINIVAS D. ,  葉 怡利 ,  YIEH, ELLIE Y.

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58 ,  C23C16/26 ,  C23C16/50 ,  H01L21/02

摘要： 本發明的具體例大體上描述用於使用高功率脈衝磁控濺鍍(HiPIMS)處理在基板之上(包含先前形成在基板之上的層的上方)沉積非晶碳層的方法，且特別地，在沉積處理期間的基板的偏壓及流動除了惰性氣體之外的氮源氣體及/或氫源氣體進入處理腔室，以改良沉積非晶碳層的形態與膜應力。

简体摘要： 本发明的具体例大体上描述用于使用高功率脉冲磁控溅镀(HiPIMS)处理在基板之上(包含先前形成在基板之上的层的上方)沉积非晶碳层的方法，且特别地，在沉积处理期间的基板的偏压及流动除了惰性气体之外的氮源气体及/或氢源气体进入处理腔室，以改良沉积非晶碳层的形态与膜应力。

公开(公告)号：TW202027198A

公开(公告)日：2020-07-16

申请号：TW108140950

申请日：2019-11-12

申请人： 美商應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 黃 達信 ,  WONG, KEITH TATSEUN ,  奈馬尼 史林尼法斯D ,  NEMANI, SRINIVAS D. ,  葉 怡利 ,  YIEH, ELLIE Y.

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L51/00 ,  H01L21/677 ,  C23C14/04 ,  C23C14/50

摘要： 提供了在基板上形成過渡金屬材料並在群集處理系統中熱處理此種含金屬材料的方法。在一個實施例中，一種用於半導體元件的元件結構的方法，包括在設置在群集處理系統中的第一處理腔室中的基板上形成二維過渡金屬硫族化物層，對二維過渡金屬硫族化物層進行熱處理以在設置在群集處理系統中的第二處理腔室中形成經處理的金屬層，及在設置在群集處理系統中的第三處理腔室中的經處理的金屬層上形成覆蓋層。

简体摘要： 提供了在基板上形成过渡金属材料并在群集处理系统中热处理此种含金属材料的方法。在一个实施例中，一种用于半导体组件的组件结构的方法，包括在设置在群集处理系统中的第一处理腔室中的基板上形成二维过渡金属硫族化物层，对二维过渡金属硫族化物层进行热处理以在设置在群集处理系统中的第二处理腔室中形成经处理的金属层，及在设置在群集处理系统中的第三处理腔室中的经处理的金属层上形成覆盖层。

公开(公告)号：TWI675397B

公开(公告)日：2019-10-21

申请号：TW105103521

申请日：2016-02-03

申请人： 美商應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 葛迪魯多維 ,  GODET, LUDOVIC ,  范寅 ,  FAN, YIN ,  葉怡利 ,  YIEH, ELLIE Y. ,  奈馬尼史林尼法斯D ,  NEMANI, SRINIVAS D.

IPC分类号： H01L21/027

公开(公告)号：TWI674227B

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：TW104137033

申请日：2015-11-10

申请人： 美商應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 希魯納弗卡羅蘇司瑞斯坎薩羅傑 ,  THIRUNAVUKARASU, SRISKANTHARAJ ,  白永勝 ,  PEH, ENG SHENG ,  奈馬尼史林尼法斯D ,  NEMANI, SRINIVAS D. ,  桑達羅傑艾文德 ,  SUNDARRAJAN, ARVIND ,  艾佛拉阿維納許 ,  AVULA, AVINASH ,  葉怡利 ,  YIEH, ELLIE Y. ,  萊斯麥可 ,  RICE, MICHAEL ,  艾迪格吉尼托 ,  ADDIEGO, GINETTO

IPC分类号： B65D85/90

公开(公告)号：TWI672754B

公开(公告)日：2019-09-21

申请号：TW106108458

申请日：2017-03-15

申请人： 美商應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 葛迪 魯多維 ,  GODET, LUDOVIC ,  費茲艾拉凡尼 梅迪 ,  VAEZ-IRAVANI, MEHDI ,  伊根 陶德 ,  EGAN, TODD ,  邦加 曼格許 ,  BANGAR, MANGESH ,  力可班尼 康森塔 ,  RICCOBENE, CONCETTA ,  克哈嘉 艾比杜亞西斯 ,  KHAJA, ABDUL AZIZ ,  奈馬尼 史林尼法斯D ,  NEMANI, SRINIVAS D. ,  葉 怡利 ,  YIEH, ELLIE Y. ,  康 席恩S ,  KANG, SEAN S.

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  G03F7/20

公开(公告)号：TWI670796B

公开(公告)日：2019-09-01

申请号：TW106119184

申请日：2017-06-09

申请人： 美商應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 梅保奇 班雀奇 ,  MEBARKI, BENCHERKI ,  康 席恩S ,  KANG, SEAN S. ,  王 基斯達宣 ,  WONG, KEITH TATSEUN ,  任河 ,  REN, HE ,  那克 美荷B ,  NAIK, MEHUL B. ,  葉 怡利 ,  YIEH, ELLIE Y. ,  奈馬尼 史林尼法斯D ,  NEMANI, SRINIVAS D.

IPC分类号： H01L21/768

公开(公告)号：TW201841290A

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：TW107108016

申请日：2018-03-09

申请人： 美商應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 梁 奇偉 ,  LIANG, QIWEI ,  奈馬尼 史林尼法斯D ,  NEMANI, SRINIVAS D. ,  坎 艾德柏M ,  KHAN, ADIB M ,  凱西霍特拉 文卡塔拉維香卡 ,  KASIBHOTLA, VENKATA RAVISHANKAR ,  馬立克 蘇坦 ,  MALIK, SULTAN ,  康 席恩 ,  KANG, SEAN ,  王 基斯達宣 ,  WONG, KEITH TATSEUN

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/324

摘要： 一種用於處理基板的高壓處理系統，包括：第一腔室；基座，定位在第一腔室內，以支撐基板；第二腔室，鄰近第一腔室；真空處理系統，配置成將第二腔室內的壓力降低到接近真空；閥組件，在第一腔室和第二腔室之間，以將第一腔室內的壓力與第二腔室內的壓力隔離；及氣體輸送系統，配置成將處理氣體引入第一腔室，並當處理氣體在第一腔室中時且當第一腔室與第二腔室隔離時，增加第一腔室內的壓力到至少10個大氣壓。

简体摘要： 一种用于处理基板的高压处理系统，包括：第一腔室；基座，定位在第一腔室内，以支撑基板；第二腔室，邻近第一腔室；真空处理系统，配置成将第二腔室内的压力降低到接近真空；阀组件，在第一腔室和第二腔室之间，以将第一腔室内的压力与第二腔室内的压力隔离；及气体输送系统，配置成将处理气体引入第一腔室，并当处理气体在第一腔室中时且当第一腔室与第二腔室隔离时，增加第一腔室内的压力到至少10个大气压。

公开(公告)号：TW201830125A

公开(公告)日：2018-08-16

申请号：TW106138919

申请日：2017-11-10

申请人： 美商應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 邦加 曼格許 ,  BANGAR, MANGESH ,  奈馬尼 史林尼法斯D ,  NEMANI, SRINIVAS D. ,  葛漢納耶 史帝夫G ,  GHANAYEM, STEVE G. ,  葉 怡利 ,  YIEH, ELLIE Y.

IPC分类号： G03F1/44 ,  H01L21/027 ,  G06F17/50

摘要： 本文所揭示之具體實施例，相關於用於校正基板表面上的覆蓋誤差的方法與系統。處理器在基板上執行量測處理以獲得覆蓋誤差映射。處理器基於覆蓋誤差映射判定對於基板的處置次序。處置次序包含一或更多個處置處理。處理器產生對於處置次序中的一或更多個處置處理的一處置處理的處理配方。處理器將處理配方提供至基板處置設備。

简体摘要： 本文所揭示之具体实施例，相关于用于校正基板表面上的覆盖误差的方法与系统。处理器在基板上运行量测处理以获得覆盖误差映射。处理器基于覆盖误差映射判定对于基板的处置次序。处置次序包含一或更多个处置处理。处理器产生对于处置次序中的一或更多个处置处理的一处置处理的处理配方。处理器将处理配方提供至基板处置设备。

公开(公告)号：TWI695901B

公开(公告)日：2020-06-11

申请号：TW106118635

申请日：2017-06-06

申请人： 美商應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 楊揚 ,  YANG, YANG ,  陳 芝萍 ,  CHEN, LUCY ,  周 杰 ,  ZHOU, JIE ,  拉馬斯瓦米 卡堤克 ,  RAMASWAMY, KARTIK ,  柯林 肯尼S ,  COLLINS, KENNETH S. ,  奈馬尼 史林尼法斯D ,  NEMANI, SRINIVAS D. ,  殷 正操 ,  YING, CHENTSAU ,  劉菁菁 ,  LIU, JINGJING ,  蘭 史蒂芬 ,  LANE, STEVEN ,  蒙羅伊 弓扎羅 ,  MONROY, GONZALO ,  卡度希 詹姆士D ,  CARDUCCI, JAMES D.

IPC分类号： C23C16/36 ,  C23C16/505 ,  C23C16/509 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02 ,  H01L21/033 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3213