公开(公告)号：TW201820426A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：TW106128463

申请日：2017-08-22

Applicant: 美商英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

Inventor： 朴朱東 ,  PARK, JOODONG ,  李呈光 ,  LEE, CHEN GUAN ,  簡 嘉弘 ,  JAN, CHIA-HONG ,  卡西迪康佛 埃弗里特 ,  CASSIDY-COMFORT, EVERETT ,  張旭佑 ,  CHANG, HSU YU ,  迪亞斯 奈維爾 ,  DIAS, NEVILLE ,  瑞瑪斯維米 瑞豪 ,  RAMASWAMY, RAHUL ,  賀菲斯 瓦力德 ,  HAFEZ, WALID

IPC: H01L21/283 ,  H01L29/78

Abstract: 一種設備包含在第一區中的至少一電晶體以及在第二區中的至少一電晶體，功函數材料在每個至少一電晶體之通道區上，其中在第一區中的功函數材料的量不同於在第二區中功函數材料的量。一種方法包含在第一區中的至少一電晶體本體上以及第二區中的至少一者上沉積功函數材料和遮罩材料；去除少於該遮罩材料之整個部分，使得在第一區中露出的功函數材料的部分不同於在第二區中露出的；去除露出的功函數材料；以及在至少一電晶體本體之每一者上形成閘極電極。

Abstract in simplified Chinese: 一种设备包含在第一区中的至少一晶体管以及在第二区中的至少一晶体管，功函数材料在每个至少一晶体管之信道区上，其中在第一区中的功函数材料的量不同于在第二区中功函数材料的量。一种方法包含在第一区中的至少一晶体管本体上以及第二区中的至少一者上沉积功函数材料和遮罩材料；去除少于该遮罩材料之整个部分，使得在第一区中露出的功函数材料的部分不同于在第二区中露出的；去除露出的功函数材料；以及在至少一晶体管本体之每一者上形成闸极电极。

公开(公告)号：TW201820532A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：TW106128462

申请日：2017-08-22

Applicant: 美商英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

Inventor： 朴朱東 ,  PARK, JOODONG ,  李呈光 ,  LEE, CHEN GUAN ,  簡 嘉弘 ,  JAN, CHIA-HONG ,  卡西迪康佛 埃弗里特 ,  CASSIDY-COMFORT, EVERETT ,  歐雷瓦 羅門 ,  OLAC-VAW, ROMAN ,  賀菲斯 瓦力德 ,  HAFEZ, WALID

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/336

Abstract: 描述具有雙閘極介電質之超縮放鰭間距製程。舉例來說，半導體結構包括在基板之上的第一與第二半導體鰭。第一閘極結構包括在頂表面上方且側向地鄰近第一半導體鰭之側壁的第一閘極電極、在第一閘極電極與第一半導體鰭之間且沿著第一閘極結構之側壁的第一閘極介電層、及在第一閘極電極與第一閘極介電層之間且沿著第一閘極介電層沿著第一閘極電極之側壁的第二閘極介電層。第二閘極結構包括在頂表面上方且側向地鄰近第二半導體鰭之側壁的第二閘極電極、及在第二閘極電極與第二半導體鰭之間且沿著第二閘極電極之側壁的第二閘極介電層。

Abstract in simplified Chinese: 描述具有双闸极介电质之超缩放鳍间距制程。举例来说，半导体结构包括在基板之上的第一与第二半导体鳍。第一闸极结构包括在顶表面上方且侧向地邻近第一半导体鳍之侧壁的第一闸极电极、在第一闸极电极与第一半导体鳍之间且沿着第一闸极结构之侧壁的第一闸极介电层、及在第一闸极电极与第一闸极介电层之间且沿着第一闸极介电层沿着第一闸极电极之侧壁的第二闸极介电层。第二闸极结构包括在顶表面上方且侧向地邻近第二半导体鳍之侧壁的第二闸极电极、及在第二闸极电极与第二半导体鳍之间且沿着第二闸极电极之侧壁的第二闸极介电层。

公开(公告)号：TW201724353A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW105118407

申请日：2016-06-13

Applicant: 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

Inventor： 李呈光 ,  LEE, CHEN GUAN ,  朴朱東 ,  PARK, JOODONG ,  劉恩劭 ,  LIU, EN SHAO ,  卡西迪康佛 埃弗里特 ,  CASSIDY-COMFORT, EVERETT S. ,  賀菲斯 瓦力德 ,  HAFEZ, WALID M. ,  簡 嘉弘 ,  JAN, CHIA-HONG

IPC: H01L21/764

CPC classification number: H01L29/4991 ,  H01L21/764 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78

Abstract: 可製造微電子電晶體而具有形成為閘極側壁間隔層的氣隙間隔層，使得氣隙間隔層位於閘極電極與微電子電晶體之源極接點及/或汲極接點之間。當氣態物質的介電常數明顯地低於固態或者半固態介電材料之介電常數時，氣隙間隔層可造成閘極電極與源極接點及/或汲極接點之間最小的電容耦合，其可降低微電子電晶體之電路延遲。

Abstract in simplified Chinese: 可制造微电子晶体管而具有形成为闸极侧壁间隔层的气隙间隔层，使得气隙间隔层位于闸极电极与微电子晶体管之源极接点及/或汲极接点之间。当气态物质的介电常数明显地低于固态或者半固态介电材料之介电常数时，气隙间隔层可造成闸极电极与源极接点及/或汲极接点之间最小的电容耦合，其可降低微电子晶体管之电路延迟。