公开(公告)号：TW201818458A

公开(公告)日：2018-05-16

申请号：TW106127404

申请日：2017-08-14

Applicant: 美商蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

Inventor： 揚德爾 亞當 ,  JANDL, ADAM ,  赫梅兹 塞馬 ,  ERMEZ, SEMA ,  施洛斯 勞倫斯 ,  SCHLOSS, LAWRENCE ,  戈皮納思 珊傑 ,  GOPINATH, SANJAY ,  丹納克 米歇爾 ,  DANEK, MICHAL ,  梁 秀賢 ,  NEO, SIEW ,  柯林斯 約書亞 ,  COLLINS, JOSHUA ,  班諾爾克 漢娜 ,  BAMNOLKER, HANNA

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768

Abstract: 文中提供之方法及設備係藉由在原子層沉積、化學氣相沉積、或輪替化學氣相沉積期間將特徵部週期性地暴露至氮、氧、或氨氣而減少沉積在特徵部之側壁上之金屬之間的作用，以減少將金屬如鎢、鉬、釕、或鈷沉積至基板上之特徵部中時的線彎曲。此些方法適合將材料沉積至V形特徵部中。

Abstract in simplified Chinese: 文中提供之方法及设备系借由在原子层沉积、化学气相沉积、或轮替化学气相沉积期间将特征部周期性地暴露至氮、氧、或氨气而减少沉积在特征部之侧壁上之金属之间的作用，以减少将金属如钨、钼、钌、或钴沉积至基板上之特征部中时的线弯曲。此些方法适合将材料沉积至V形特征部中。

公开(公告)号：TW201715067A

公开(公告)日：2017-05-01

申请号：TW105116371

申请日：2016-05-26

Applicant: 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

Inventor： 揚德爾 亞當 ,  JANDL, ADAM ,  戈皮納思 珊傑 ,  GOPINATH, SANJAY ,  巴曉蘭 ,  BA, XIAOLAN ,  胡瑪雲 拉許納 ,  HUMAYUN, RAASHINA ,  丹納克 米歇爾 ,  DANEK, MICHAL ,  施洛斯 勞倫斯 ,  SCHLOSS, LAWRENCE ,  于天驊 ,  YU, TIANHUA ,  湯貝爾 思魯提 維克 ,  THOMBARE, SHRUTI VIVEK ,  艾許地安尼 凱翰 阿畢迪 ,  ASHTIANI, KAIHAN ABIDI

IPC: C23C16/02 ,  C23C16/06 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/52 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768

Abstract: 本文中提出藉由順序CVD脈衝以沉積主體鎢之方法，例如藉由以短暫分離脈衝之循環方式、交替地脈衝式提供六氟化鎢及氫氣。某些方法包含：在低壓下沉積鎢成核層，接著藉由順序CVD以沉積主體鎢，以形成具有低氟含量之低應力鎢膜。本文中所述之方法亦可結合非順序CVD沉積及無氟鎢沉積技術而實施。

Abstract in simplified Chinese: 本文中提出借由顺序CVD脉冲以沉积主体钨之方法，例如借由以短暂分离脉冲之循环方式、交替地脉冲式提供六氟化钨及氢气。某些方法包含：在低压下沉积钨成核层，接着借由顺序CVD以沉积主体钨，以形成具有低氟含量之低应力钨膜。本文中所述之方法亦可结合非顺序CVD沉积及无氟钨沉积技术而实施。