公开(公告)号：TW201818458A

公开(公告)日：2018-05-16

申请号：TW106127404

申请日：2017-08-14

Applicant: 美商蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

Inventor： 揚德爾 亞當 ,  JANDL, ADAM ,  赫梅兹 塞馬 ,  ERMEZ, SEMA ,  施洛斯 勞倫斯 ,  SCHLOSS, LAWRENCE ,  戈皮納思 珊傑 ,  GOPINATH, SANJAY ,  丹納克 米歇爾 ,  DANEK, MICHAL ,  梁 秀賢 ,  NEO, SIEW ,  柯林斯 約書亞 ,  COLLINS, JOSHUA ,  班諾爾克 漢娜 ,  BAMNOLKER, HANNA

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768

Abstract: 文中提供之方法及設備係藉由在原子層沉積、化學氣相沉積、或輪替化學氣相沉積期間將特徵部週期性地暴露至氮、氧、或氨氣而減少沉積在特徵部之側壁上之金屬之間的作用，以減少將金屬如鎢、鉬、釕、或鈷沉積至基板上之特徵部中時的線彎曲。此些方法適合將材料沉積至V形特徵部中。

Abstract in simplified Chinese: 文中提供之方法及设备系借由在原子层沉积、化学气相沉积、或轮替化学气相沉积期间将特征部周期性地暴露至氮、氧、或氨气而减少沉积在特征部之侧壁上之金属之间的作用，以减少将金属如钨、钼、钌、或钴沉积至基板上之特征部中时的线弯曲。此些方法适合将材料沉积至V形特征部中。

公开(公告)号：TW201903847A

公开(公告)日：2019-01-16

申请号：TW107112210

申请日：2018-04-10

Applicant: 美商蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

Inventor： 湯貝爾 思魯提 維克 ,  THOMBARE, SHRUTI VIVEK ,  胡瑪雲 拉許納 ,  HUMAYUN, RAASHINA ,  丹納克 米歇爾 ,  DANEK, MICHAL ,  黎 照健 ,  LAI, CHIUKIN STEVEN ,  柯林斯 約書亞 ,  COLLINS, JOSHUA ,  班諾爾克 漢娜 ,  BAMNOLKER, HANNA ,  甘迺迪 格里芬 約翰 ,  KENNEDY, GRIFFIN JOHN ,  巴特爾 戈倫 ,  BUTAIL, GORUN ,  凡 克林帕 派崔克 ,  VAN CLEEMPUT, PATRICK

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L27/01

Abstract: 本文提供用於邏輯和記憶體應用的低電阻係數金屬化堆疊結構及相關的製造方法。在一些實施方式中，該方法涉及在基板上提供含鎢（W）層；及在含W層上沉積含鉬（Mo）層。在一些實施方式中，該方法涉及將含Mo層直接沉積在介電質或氮化鈦（TiN）基板上而沒有中介的含W層。

Abstract in simplified Chinese: 本文提供用于逻辑和内存应用的低电阻系数金属化堆栈结构及相关的制造方法。在一些实施方式中，该方法涉及在基板上提供含钨（W）层；及在含W层上沉积含钼（Mo）层。在一些实施方式中，该方法涉及将含Mo层直接沉积在介电质或氮化钛（TiN）基板上而没有中介的含W层。

公开(公告)号：TW201809349A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW106117336

申请日：2017-05-25

Applicant: 美商蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

Inventor： 林德 蓋瑞 布里杰 ,  LIND, GARY BRIDGER ,  王塞納克運 潘亞 ,  WONGSENAKHUM, PANYA ,  蘭茲 艾瑞克 H ,  LENZ, ERIC H. ,  柯林斯 約書亞 ,  COLLINS, JOSHUA

IPC: C23C16/54 ,  C23C16/448

CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67063 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67242 ,  H01L21/67253

Abstract: 用於半導體處理操作（諸如原子層沉積操作）的蒸汽累積槽係加以提供。此等蒸汽累積槽可包含光束端口，以允許光束傳遞穿過蒸汽及允許在該槽中之蒸汽濃度的測量。在一些實施方式中，該槽可與真空泵歧管加以整合，且該槽及歧管可藉由共同加熱系統加熱以防止蒸汽的冷凝。

Abstract in simplified Chinese: 用于半导体处理操作（诸如原子层沉积操作）的蒸汽累积槽系加以提供。此等蒸汽累积槽可包含光束端口，以允许光束传递穿过蒸汽及允许在该槽中之蒸汽浓度的测量。在一些实施方式中，该槽可与真空泵歧管加以集成，且该槽及歧管可借由共同加热系统加热以防止蒸汽的冷凝。

公开(公告)号：TW201805467A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：TW106116232

申请日：2017-05-17

Applicant: 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

Inventor： 柯林斯 約書亞 ,  COLLINS, JOSHUA ,  蘭茲 艾瑞克 H ,  LENZ, ERIC H. ,  丹納克 米歇爾 ,  DANEK, MICHAL

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

CPC classification number: C23C16/4481 ,  C23C16/448 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/52

Abstract: 本發明提供一種汽化器系統，其容許快速變換汽化反應物的流速，同時維持汽化反應物與載體氣體恆定的總流速。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种汽化器系统，其容许快速变换汽化反应物的流速，同时维持汽化反应物与载体气体恒定的总流速。

公开(公告)号：TW201606121A

公开(公告)日：2016-02-16

申请号：TW104114532

申请日：2015-05-07

Applicant: 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

Inventor： 班諾爾克 漢娜 ,  BAMNOLKER, HANNA ,  胡瑪雲 拉許納 ,  HUMAYUN, RAASHINA ,  高舉文 ,  GAO, JUWEN ,  丹納克 米歇爾 ,  DANEK, MICHAL ,  柯林斯 約書亞 ,  COLLINS, JOSHUA

IPC: C23C16/52 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76877 ,  C23C16/045 ,  C23C16/14 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/52 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/76876

Abstract: 提供形成鎢膜的方法，該方法使用諸如氯化鎢之無氟的鎢前驅物。該方法包含沉積鎢成核層，其藉由曝露基板於諸如二硼烷（B2 H6 ）的還原劑及曝露基板於氯化鎢，接著藉由曝露基板於氯化鎢和還原劑沉積主體的鎢。該方法亦包含稀釋還原劑，及曝露基板於呈脈衝之無氟的前驅物以沉積鎢成核層。沉積的膜展現良好的階梯覆蓋率及栓塞填充（plugfill）。

Abstract in simplified Chinese: 提供形成钨膜的方法，该方法使用诸如氯化钨之无氟的钨前驱物。该方法包含沉积钨成核层，其借由曝露基板于诸如二硼烷（B2 H6 ）的还原剂及曝露基板于氯化钨，接着借由曝露基板于氯化钨和还原剂沉积主体的钨。该方法亦包含稀释还原剂，及曝露基板于呈脉冲之无氟的前驱物以沉积钨成核层。沉积的膜展现良好的阶梯覆盖率及栓塞填充（plugfill）。

公开(公告)号：TW201819664A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：TW106117355

申请日：2017-05-25

Applicant: 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

Inventor： 柯林斯 約書亞 ,  COLLINS, JOSHUA ,  梁 秀賢 ,  NEO, SIEW ,  班諾爾克 漢娜 ,  BAMNOLKER, HANNA ,  沙瓦拉尼 卡皮爾 巫瑪仕 ,  SAWLANI, KAPIL UMESH

IPC: C23C16/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/14 ,  C23C16/455

Abstract: 一種沉積鎢的方法，該方法包含：將一基板佈置於一基板處理腔室中，該基板包含一鈦氮化物層；藉由使用一前驅物氣體而在該基板上執行鎢的多階段原子層沉積，該前驅物氣體包含鎢氯化物(WClx)氣體，其中x為整數。該執行該多階段原子層沉積之步驟包含：藉由使用一第一給劑強度的該前驅物氣體而在一第一ALD階段期間沉積鎢；及藉由使用一第二給劑強度的該前驅物氣體而在一第二ALD階段期間沉積鎢。該第一給劑強度係基於一第一給劑濃度及一第一給劑時段。該第二給劑強度係基於一第二給劑濃度及一第二給劑時段。該第二給劑強度為該第一給劑強度的1.5至10倍。

Abstract in simplified Chinese: 一种沉积钨的方法，该方法包含：将一基板布置于一基板处理腔室中，该基板包含一钛氮化物层；借由使用一前驱物气体而在该基板上运行钨的多阶段原子层沉积，该前驱物气体包含钨氯化物(WClx)气体，其中x为整数。该运行该多阶段原子层沉积之步骤包含：借由使用一第一给剂强度的该前驱物气体而在一第一ALD阶段期间沉积钨；及借由使用一第二给剂强度的该前驱物气体而在一第二ALD阶段期间沉积钨。该第一给剂强度系基于一第一给剂浓度及一第一给剂时段。该第二给剂强度系基于一第二给剂浓度及一第二给剂时段。该第二给剂强度为该第一给剂强度的1.5至10倍。

公开(公告)号：TW201610201A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：TW104117319

申请日：2015-05-29

Applicant: 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

Inventor： 班諾爾克 漢娜 ,  BAMNOLKER, HANNA ,  胡瑪雲 拉許納 ,  HUMAYUN, RAASHINA ,  丹納克 米歇爾 ,  DANEK, MICHAL ,  柯林斯 約書亞 ,  COLLINS, JOSHUA

IPC: C23C16/14 ,  C23C16/56

CPC classification number: H01L21/32135 ,  C23C16/045 ,  C23C16/14 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53266 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在此提供使用氯化鎢反應物沉積和蝕刻鎢的方法和裝置。此方法包含使用氯化鎢（WClx ）為前驅物和蝕刻劑兩者。在一些實施例中，以第一組條件曝露基板於WClx 前驅物和還原劑，以沉積第一鎢層在基板上的特徵部內；及以第二組條件曝露該基板於WClx 前驅物和還原劑以蝕刻該第一鎢層。根據各種實施例，從沉積轉變至蝕刻狀態可包含增加WClx 的通量、降低溫度、及改變WClx 前驅物其中一者以上。亦提供相關的裝置。

Abstract in simplified Chinese: 在此提供使用氯化钨反应物沉积和蚀刻钨的方法和设备。此方法包含使用氯化钨（WClx ）为前驱物和蚀刻剂两者。在一些实施例中，以第一组条件曝露基板于WClx 前驱物和还原剂，以沉积第一钨层在基板上的特征部内；及以第二组条件曝露该基板于WClx 前驱物和还原剂以蚀刻该第一钨层。根据各种实施例，从沉积转变至蚀刻状态可包含增加WClx 的通量、降低温度、及改变WClx 前驱物其中一者以上。亦提供相关的设备。