公开(公告)号：TW201717316A

公开(公告)日：2017-05-16

申请号：TW105124539

申请日：2016-08-03

Applicant: 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

Inventor： 黎 照健 ,  LAI, CHIUKIN STEVEN ,  凱那瑞克 凱倫 賈考柏思 ,  KANARIK, KEREN JACOBS ,  陳 暹華 ,  TAN, SAMANTHA ,  嘉德瑞什卡 阿南德 ,  CHANDRASHEKAR, ANAND ,  蘇 泰天 ,  SU, TEH-TIEN ,  楊文兵 ,  YANG, WENBING ,  伍德 麥可 ,  WOOD, MICHAEL ,  丹納克 米歇爾 ,  DANEK, MICHAL

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/32136 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76877

Abstract: 本說明書提供使用沉積-蝕刻-沉積(dep-etch-dep)製程將鎢沉積至高縱橫比之特徵部中的方法，其中該製程整合各種沉積技術與蝕刻期間之表面改質及移除的交替脈衝。

Abstract in simplified Chinese: 本说明书提供使用沉积-蚀刻-沉积(dep-etch-dep)制程将钨沉积至高纵横比之特征部中的方法，其中该制程集成各种沉积技术与蚀刻期间之表面改质及移除的交替脉冲。

公开(公告)号：TWI672737B

公开(公告)日：2019-09-21

申请号：TW103145125

申请日：2014-12-24

Applicant: 美商蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

Inventor： 胡瑪雲 拉許納 ,  HUMAYUN, RAASHINA ,  馬南哈爾 蘇哈 ,  MANANDHAR, SUDHA ,  丹納克 米歇爾 ,  DANEK, MICHAL

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768

公开(公告)号：TW201907038A

公开(公告)日：2019-02-16

申请号：TW107119290

申请日：2018-06-05

Applicant: 美商蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

Inventor： 金杜永 ,  KIM, DO YOUNG ,  羅正錫 ,  NA, JEONG-SEOK ,  黎 照健 ,  LAI, CHIUKIN STEVEN ,  胡瑪雲 拉許納 ,  HUMAYUN, RAASHINA ,  丹納克 米歇爾 ,  DANEK, MICHAL

IPC: C23C16/18 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 本文提供的為用於釕(Ru)特徵部填充的沉積製程。在一些實施例中，製程包含在還原條件下的薄保護性Ru膜之沉積，後接氧化條件下的Ru填充步驟。無氧條件下或利用氧移除操作所形成之保護性Ru膜的存在可實現不具有下方黏著層或金屬特徵部之氧化的Ru填充。

Abstract in simplified Chinese: 本文提供的为用于钌(Ru)特征部填充的沉积制程。在一些实施例中，制程包含在还原条件下的薄保护性Ru膜之沉积，后接氧化条件下的Ru填充步骤。无氧条件下或利用氧移除操作所形成之保护性Ru膜的存在可实现不具有下方黏着层或金属特征部之氧化的Ru填充。

公开(公告)号：TW201820536A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：TW106115696

申请日：2017-05-12

Applicant: 美商蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

Inventor： 黎 照健 ,  LAI, CHIUKIN STEVEN ,  羅正錫 ,  NA, JEONG-SEOK ,  胡瑪雲 拉許納 ,  HUMAYUN, RAASHINA ,  丹納克 米歇爾 ,  DANEK, MICHAL ,  艾許地安尼 凱翰 阿畢迪 ,  ASHTIANI, KAIHAN ABIDI

IPC: H01L21/768

Abstract: 本文提供形成導電的鈷（Co）互連線及Co特徵部的方法。該等方法包含在介電質上薄的含錳（Mn）膜之沉積，接著在該含Mn膜上之鈷的後續沉積。含Mn膜可在含矽介電質（諸如二氧化矽）上加以沉積，及退火以形成矽酸錳。

Abstract in simplified Chinese: 本文提供形成导电的钴（Co）互连接及Co特征部的方法。该等方法包含在介电质上薄的含锰（Mn）膜之沉积，接着在该含Mn膜上之钴的后续沉积。含Mn膜可在含硅介电质（诸如二氧化硅）上加以沉积，及退火以形成硅酸锰。

公开(公告)号：TW201818458A

公开(公告)日：2018-05-16

申请号：TW106127404

申请日：2017-08-14

Applicant: 美商蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

Inventor： 揚德爾 亞當 ,  JANDL, ADAM ,  赫梅兹 塞馬 ,  ERMEZ, SEMA ,  施洛斯 勞倫斯 ,  SCHLOSS, LAWRENCE ,  戈皮納思 珊傑 ,  GOPINATH, SANJAY ,  丹納克 米歇爾 ,  DANEK, MICHAL ,  梁 秀賢 ,  NEO, SIEW ,  柯林斯 約書亞 ,  COLLINS, JOSHUA ,  班諾爾克 漢娜 ,  BAMNOLKER, HANNA

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768

Abstract: 文中提供之方法及設備係藉由在原子層沉積、化學氣相沉積、或輪替化學氣相沉積期間將特徵部週期性地暴露至氮、氧、或氨氣而減少沉積在特徵部之側壁上之金屬之間的作用，以減少將金屬如鎢、鉬、釕、或鈷沉積至基板上之特徵部中時的線彎曲。此些方法適合將材料沉積至V形特徵部中。

Abstract in simplified Chinese: 文中提供之方法及设备系借由在原子层沉积、化学气相沉积、或轮替化学气相沉积期间将特征部周期性地暴露至氮、氧、或氨气而减少沉积在特征部之侧壁上之金属之间的作用，以减少将金属如钨、钼、钌、或钴沉积至基板上之特征部中时的线弯曲。此些方法适合将材料沉积至V形特征部中。

公开(公告)号：TW201704517A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：TW105109955

申请日：2016-03-30

Applicant: 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

Inventor： 丹納克 米歇爾 ,  DANEK, MICHAL ,  亨利 強 ,  HENRI, JON ,  唐 沙恩 ,  TANG, SHANE

IPC: C23C16/42 ,  C23C16/52

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J2237/332 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67207

Abstract: 提出一種在原子層沉積期間使用含鹵素蝕刻劑以沉積保形膜之方法。該方法涉及，在使基板暴露至第一前驅物與使基板暴露至第二電漿活化反應物之間使基板暴露至含鹵素蝕刻劑，例如三氟化氮。可沉積之保形膜之範例包括含矽膜及含金屬膜。亦提出相關的設備。

Abstract in simplified Chinese: 提出一种在原子层沉积期间使用含卤素蚀刻剂以沉积保形膜之方法。该方法涉及，在使基板暴露至第一前驱物与使基板暴露至第二等离子活化反应物之间使基板暴露至含卤素蚀刻剂，例如三氟化氮。可沉积之保形膜之范例包括含硅膜及含金属膜。亦提出相关的设备。

公开(公告)号：TW201526090A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：TW103145125

申请日：2014-12-24

Applicant: 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

Inventor： 胡瑪雲 拉許納 ,  HUMAYUN, RAASHINA ,  馬南哈爾 蘇哈 ,  MANANDHAR, SUDHA ,  丹納克 米歇爾 ,  DANEK, MICHAL

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768

Abstract: 在此揭露半導體處理中將低電阻率之鎢沉積至基板之特徵物內的方法。本方法涉及在鎢成核層沉積期間使用含鍺還原試劑以達成薄而低電阻率的成核層。

Abstract in simplified Chinese: 在此揭露半导体处理中将低电阻率之钨沉积至基板之特征物内的方法。本方法涉及在钨成核层沉积期间使用含锗还原试剂以达成薄而低电阻率的成核层。

公开(公告)号：TWI682057B

公开(公告)日：2020-01-11

申请号：TW104126934

申请日：2015-08-19

Applicant: 美商蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

Inventor： 湯貝爾 思魯提 維克 ,  THOMBARE, SHRUTI VIVEK ,  可里伊許特克 ,  KARIM, ISHTAK ,  句頻納斯 珊傑 ,  GOPINATH, SANJAY ,  丹納克 米歇爾 ,  DANEK, MICHAL

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52 ,  C23C16/06 ,  H01L21/02

公开(公告)号：TWI682054B

公开(公告)日：2020-01-11

申请号：TW104126930

申请日：2015-08-19

Applicant: 美商蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

Inventor： 湯貝爾 思魯提 維克 ,  THOMBARE, SHRUTI VIVEK ,  可里伊許特克 ,  KARIM, ISHTAK ,  句頻納斯 珊傑 ,  GOPINATH, SANJAY ,  阿爾加瓦尼 瑞加 ,  ARGHAVANI, REZA ,  丹納克 米歇爾 ,  DANEK, MICHAL

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32 ,  H01L21/324 ,  H01L21/02

公开(公告)号：TW201921516A

公开(公告)日：2019-06-01

申请号：TW107128141

申请日：2018-08-13

Applicant: 美商蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

Inventor： 施洛斯 勞倫斯 ,  SCHLOSS, LAWRENCE ,  胡瑪雲 拉許納 ,  HUMAYUN, RAASHINA ,  戈皮納思 珊傑 ,  GOPINATH, SANJAY ,  高舉文 ,  GAO, JUWEN ,  丹納克 米歇爾 ,  DANEK, MICHAL ,  艾許地安尼 凱翰 阿畢迪 ,  ASHTIANI, KAIHAN ABIDI

IPC: H01L21/365

Abstract: 所揭示內容為在一半導體基板上沉積諸如鎢之過渡金屬的方法。該方法包含提供伴隨氫平衡的二硼烷之氣體混合物，其中氫用以穩定氣體混合物中的二硼烷。該方法更包含將該氣體混合物輸送至該半導體基板以形成一硼層，其中該硼層係作為還原劑層以將含金屬前驅物轉化為金屬，例如含鎢前驅物轉化為鎢。在一些實施例中，該半導體基板包含具有水平特徵部或字元線的一垂直結構(例如三維垂直NAND結構)，該等水平特徵部或字元線在該垂直結構之側壁中具有開口，其中該硼層可被保形地沉積於該垂直結構之該等水平特徵部中。

Abstract in simplified Chinese: 所揭示内容为在一半导体基板上沉积诸如钨之过渡金属的方法。该方法包含提供伴随氢平衡的二硼烷之气体混合物，其中氢用以稳定气体混合物中的二硼烷。该方法更包含将该气体混合物输送至该半导体基板以形成一硼层，其中该硼层系作为还原剂层以将含金属前驱物转化为金属，例如含钨前驱物转化为钨。在一些实施例中，该半导体基板包含具有水平特征部或字符线的一垂直结构(例如三维垂直NAND结构)，该等水平特征部或字符线在该垂直结构之侧壁中具有开口，其中该硼层可被保形地沉积于该垂直结构之该等水平特征部中。