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    具有對高強度之光降低敏感度之高動態範圍圖像感測器
    6.
    发明专利
    具有對高強度之光降低敏感度之高動態範圍圖像感測器 审中-公开
    具有对高强度之光降低敏感度之高动态范围图像传感器

    公开(公告)号：TW201801295A

    公开(公告)日：2018-01-01

    申请号：TW105133611

    申请日：2016-10-18

    申请人： 豪威科技股份有限公司 ,  OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.

    发明人： 錢胤 ,  QIAN, YIN ,  張明 ,  ZHANG, MING ,  陸震偉 ,  LU, CHEN-WEI ,  李 津 ,  LI, JIN ,  繆佳君 ,  MIAO, CHIA-CHUN ,  戴 戴森 H ,  TAI, DYSON H.

    IPC分类号： H01L27/146

    CPC分类号： H01L27/14607 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14689

    摘要： 一種影像感測器包含在一半導體基板中彼此穿插之第一複數個光電二極體及第二複數個光電二極體。入射光待被引導穿過該半導體基板之一表面至該第一複數個光電二極體及該第二複數個光電二極體中。相較於該第二複數個光電二極體，該第一複數個光電二極體對該入射光具有更大敏感度。一金屬膜層安置於該第二複數個光電二極體上方之該半導體基板之該表面上方，且未安置於該第一複數個光電二極體上方。一金屬格柵安置於該半導體基板之該表面上方，且包含第一複數個開口，該入射光穿過該第一複數個開口被引導至該第一複數個光電二極體中。該金屬格柵進一步包含第二複數個開口，該入射光穿過該第二複數個開口被引導穿過該金屬膜層至該第二複數個光電二極體中。

    简体摘要： 一种影像传感器包含在一半导体基板中彼此穿插之第一复数个光电二极管及第二复数个光电二极管。入射光待被引导穿过该半导体基板之一表面至该第一复数个光电二极管及该第二复数个光电二极管中。相较于该第二复数个光电二极管，该第一复数个光电二极管对该入射光具有更大敏感度。一金属膜层安置于该第二复数个光电二极管上方之该半导体基板之该表面上方，且未安置于该第一复数个光电二极管上方。一金属格栅安置于该半导体基板之该表面上方，且包含第一复数个开口，该入射光穿过该第一复数个开口被引导至该第一复数个光电二极管中。该金属格栅进一步包含第二复数个开口，该入射光穿过该第二复数个开口被引导穿过该金属膜层至该第二复数个光电二极管中。

    具有多步蝕刻之光通道
    7.
    发明专利
    具有多步蝕刻之光通道 审中-公开
    具有多步蚀刻之光信道

    公开(公告)号：TW201731084A

    公开(公告)日：2017-09-01

    申请号：TW105130349

    申请日：2016-09-20

    申请人： 豪威科技股份有限公司 ,  OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.

    发明人： 錢胤 ,  QIAN, YIN ,  戴 戴森 H ,  TAI, DYSON H. ,  繆佳君 ,  MIAO, CHIA-CHUN ,  陸震偉 ,  LU, CHEN-WEI

    IPC分类号： H01L27/146

    CPC分类号： H01L27/14625 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14685

    摘要： 本發明揭示一種影像感測器，其包含安置在一半導體層中之複數個光電二極體、一第一隔離層及一介電質填充物。該介電質填充物安置在該第一隔離層中之一溝渠中，且該第一隔離層安置在該半導體層與該介電質填充物之間。至少一額外隔離層安置成靠近該第一隔離層，且該至少一額外隔離層中之複數個光通道延伸通過該至少一額外隔離層至該介電質填充物。該複數個光通道經安置以將光引導至該複數個光電二極體中。

    简体摘要： 本发明揭示一种影像传感器，其包含安置在一半导体层中之复数个光电二极管、一第一隔离层及一介电质填充物。该介电质填充物安置在该第一隔离层中之一沟渠中，且该第一隔离层安置在该半导体层与该介电质填充物之间。至少一额外隔离层安置成靠近该第一隔离层，且该至少一额外隔离层中之复数个光信道延伸通过该至少一额外隔离层至该介电质填充物。该复数个光信道经安置以将光引导至该复数个光电二极管中。

    形成液晶顯示裝置的配向層的方法以及用該方法製造的液晶顯示裝置
    9.
    发明专利
    形成液晶顯示裝置的配向層的方法以及用該方法製造的液晶顯示裝置 审中-公开
    形成液晶显示设备的配向层的方法以及用该方法制造的液晶显示设备

    公开(公告)号：TW201725434A

    公开(公告)日：2017-07-16

    申请号：TW105137649

    申请日：2016-11-17

    申请人： 豪威科技股份有限公司 ,  OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.

    发明人： 錢胤 ,  QIAN, YIN ,  戴 幸志 ,  TAI, DYSON HSIN-CHIH ,  張明 ,  ZHANG, MING ,  繆佳君 ,  MIAO, CHIA CHUN

    IPC分类号： G02F1/1337

    CPC分类号： G02F1/136 ,  G02F1/133788

    摘要： 一種形成液晶顯示裝置的配向層的新穎方法，該方法包括以下步驟：提供一基板(例如，處理過的矽晶圓等)，該基板具有沉積於其上的一配向層；及施加來自脈衝雷射的一連串脈衝以使該配向層部分退火並改變其表面形態。該方法可包括以下步驟：在該雷射退火之前，利用旋塗程序將配向層材料(例如，包含SiO2的旋塗式介電質)沉積在基板上。根據雷射掃描軌跡，施加一連串雷射脈衝產生有助於液晶的配向的重複性特徵圖案。本發明亦揭露具有雷射退火配向層的液晶顯示裝置。本發明的配向層快速且廉價地形成，且在長時間和高强度的光應力作用下非常穩健。

    简体摘要： 一种形成液晶显示设备的配向层的新颖方法，该方法包括以下步骤：提供一基板(例如，处理过的硅晶圆等)，该基板具有沉积于其上的一配向层；及施加来自脉冲激光的一连串脉冲以使该配向层部分退火并改变其表面形态。该方法可包括以下步骤：在该激光退火之前，利用旋涂进程将配向层材料(例如，包含SiO2的旋涂式介电质)沉积在基板上。根据激光扫描轨迹，施加一连串激光脉冲产生有助于液晶的配向的重复性特征图案。本发明亦揭露具有激光退火配向层的液晶显示设备。本发明的配向层快速且廉价地形成，且在长时间和高强度的光应力作用下非常稳健。