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公开(公告)号：TW201920774A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107119927
申请日：2018-06-08
Applicant: 美商麥克達米德恩碩股份有限公司 , MACDERMID ENTHONE INC.
Inventor： 納傑 艾利 , NAJJAR, ELIE , 康曼德 約翰 , COMMANDER, JOHN , 理察森 湯瑪士 , RICHARDSON, THOMAS , 劉 濤志 , LIU, TAO CHI , 蔣 將 , CHIANG, JIANG
IPC: C25D3/38 , C25D5/02 , C25D5/34 , C25D7/12 , H01L21/288 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532
Abstract: 像是凸塊、柱子及/或通孔的特徵可藉由使用方波或具有開路波形的方波之電流最佳地電鍍。使用方波或具有開路波形的方波之電鍍電流生成具有最佳化形狀及填充特性之像是凸塊、柱子及通孔的特徵。具體而言，通孔被均勻且完全地填滿，且形成沒有圓頂的、子彈形的或腰帶曲線的柱子。在方法中，金屬化基板接觸電解銅沉積組成物。沉積組成物包括銅離子源、選自無機酸、有機磺酸及其混合物之酸的成分、促進劑、抑制劑、均勻劑以及氯離子。
Abstract in simplified Chinese: 像是凸块、柱子及/或通孔的特征可借由使用方波或具有开路波形的方波之电流最佳地电镀。使用方波或具有开路波形的方波之电镀电流生成具有最优化形状及填充特性之像是凸块、柱子及通孔的特征。具体而言，通孔被均匀且完全地填满，且形成没有圆顶的、子弹形的或腰带曲线的柱子。在方法中，金属化基板接触电解铜沉积组成物。沉积组成物包括铜离子源、选自无机酸、有机磺酸及其混合物之酸的成分、促进剂、抑制剂、均匀剂以及氯离子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI688680B
公开(公告)日：2020-03-21
申请号：TW107119927
申请日：2018-06-08
Applicant: 美商麥克達米德恩碩股份有限公司 , MACDERMID ENTHONE INC.
Inventor： 納傑 艾利 , NAJJAR, ELIE , 康曼德 約翰 , COMMANDER, JOHN , 理察森 湯瑪士 , RICHARDSON, THOMAS , 劉 濤志 , LIU, TAO CHI , 蔣 將 , CHIANG, JIANG
IPC: C25D3/38 , C25D5/02 , C25D5/34 , C25D7/12 , H01L21/288 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532
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公开(公告)号：TWI673394B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：TW106132537
申请日：2017-09-22
Applicant: 美商麥克達米德恩索龍股份有限公司 , MACDERMID ENTHONE INC.
Inventor： 潘尼卡西歐二世 文森 , PANECCASIO, JR., VINCENT , 惠登 凱力 , WHITTEN, KYLE , 賀圖比茲 里查 , HURTUBISE, RICHARD , 康曼德 約翰 , COMMANDER, JOHN , 羅亞 艾瑞克 , ROUYA, ERIC
IPC: C25D3/38 , C25D5/02 , C25D7/12 , H01L21/445 , H01L21/768 , H05K3/42
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公开(公告)号：TW201821648A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW106132537
申请日：2017-09-22
Applicant: 美商麥克達米德恩索龍股份有限公司 , MACDERMID ENTHONE INC.
Inventor： 潘尼卡西歐二世 文森 , PANECCASIO, JR., VINCENT , 惠登 凱力 , WHITTEN, KYLE , 賀圖比茲 里查 , HURTUBISE, RICHARD , 康曼德 約翰 , COMMANDER, JOHN , 羅亞 艾瑞克 , ROUYA, ERIC
IPC: C25D3/38 , C25D5/02 , C25D7/12 , H01L21/445 , H01L21/768 , H05K3/42
Abstract: 本發明揭示一種用以在半導體積體電路裝置中超填次微米特徵之電解鍍敷組成物，及使用其之方法。該組成物包含：(a)將銅電解沉積在基板上及呈電互連特徵的銅離子來源；及(b)包含至少3個胺位置之抑制劑，該多醚包含具有環氧丙烷(PO)重複單元與環氧乙烷(EO)重複單元之嵌段共聚物取代基，其中該抑制劑化合物之數量平均分子量在約1,000至約20,000之間。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种用以在半导体集成电路设备中超填次微米特征之电解镀敷组成物，及使用其之方法。该组成物包含：(a)将铜电解沉积在基板上及呈电互连特征的铜离子来源；及(b)包含至少3个胺位置之抑制剂，该多醚包含具有环氧丙烷(PO)重复单元与环氧乙烷(EO)重复单元之嵌段共聚物取代基，其中该抑制剂化合物之数量平均分子量在约1,000至约20,000之间。
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公开(公告)号：TW201829848A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106132633
申请日：2017-09-22
Applicant: 美商麥克達米德恩索龍股份有限公司 , MACDERMID ENTHONE INC.
Inventor： 李察森 湯瑪斯 , RICHARDSON, THOMAS , 惠登 凱力 , WHITTEN, KYLE , 潘尼卡西歐二世 文森 , PANECCASIO, JR., VINCENT , 康曼德 約翰 , COMMANDER, JOHN , 賀圖比茲 里查 , HURTUBISE, RICHARD
Abstract: 本發明揭示一種電沉積組成物，其包含：(a)銅離子來源；(b)酸；(c)抑制劑；及(d)調平劑，其中該調平劑包含將二吡啶基化合物以二官能基烷化劑反應而製備的四級化二吡啶基化合物、或四級化聚(表氯醇)。該電沉積組成物可用於在半導體基板上以晶圓級封裝形成銅特徵之方法，而在半導體組合件之凸塊下結構上電沉積銅凸塊或柱體。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种电沉积组成物，其包含：(a)铜离子来源；(b)酸；(c)抑制剂；及(d)调平剂，其中该调平剂包含将二吡啶基化合物以二官能基烷化剂反应而制备的四级化二吡啶基化合物、或四级化聚(表氯醇)。该电沉积组成物可用于在半导体基板上以晶圆级封装形成铜特征之方法，而在半导体组合件之凸块下结构上电沉积铜凸块或柱体。
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公开(公告)号：TW201823519A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106132540
申请日：2017-09-22
Applicant: 美商麥克達米德恩索龍股份有限公司 , MACDERMID ENTHONE INC.
Inventor： 納札 艾利 , NAJJAR, ELIE , 邵 溫博 , SHAO, WENBO , 潘尼卡西歐二世 文森 , PANECCASIO, JR., VINCENT , 賀圖比茲 里查 , HURTUBISE, RICHARD , 康曼德 約翰 , COMMANDER, JOHN , 李公正 , LI, IVAN , 維邦特 漢恩 , VERBUNT, HAN , 克拉馬二世 法蘭克R , KRAMER, JR., FRANK R. , 葉 平平 , YE, PINGPING , 李察森 湯瑪斯 , RICHARDSON, THOMAS , 劉道奇 , LIU, TAO CHI
IPC: C25D3/38 , C25D7/12 , H01L31/0352 , H01L31/036
Abstract: 本發明揭述一種將銅層電沉積在金屬化基板上之方法。該金屬化基板包含位於且電連接具有半導體材料之光伏電池面板之最初導電層。該方法之步驟包含(i)將該金屬化基板以水性電沉積組成物接觸，及(ii)對該水性電沉積組成物供應電解電流，而在該金屬化基板上造成銅沉積物。該水性電沉積組成物包含(a)銅離子來源，(b)酸，(c)氯離子，及(d)去極化劑，其包含選自由O-烷基-S-硫代烴基黃原酸基、巰基丙磺酸基、二硫化貳(硫代丙基)、N,N-二甲胺基二硫胺甲醯基-1-丙磺酸基、該有機磺酸基的酸水解產物、及該有機磺酸基與水解產物的混合物所組成的群組之有機磺酸陰離子。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭述一种将铜层电沉积在金属化基板上之方法。该金属化基板包含位于且电连接具有半导体材料之光伏电池皮肤之最初导电层。该方法之步骤包含(i)将该金属化基板以水性电沉积组成物接触，及(ii)对该水性电沉积组成物供应电解电流，而在该金属化基板上造成铜沉积物。该水性电沉积组成物包含(a)铜离子来源，(b)酸，(c)氯离子，及(d)去极化剂，其包含选自由O-烷基-S-硫代烃基黄原酸基、巯基丙磺酸基、二硫化贰(硫代丙基)、N,N-二甲胺基二硫胺甲酰基-1-丙磺酸基、该有机磺酸基的酸水解产物、及该有机磺酸基与水解产物的混合物所组成的群组之有机磺酸阴离子。
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