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    高平整銅電鍍方法及銅電鍍產品
    2.
    发明专利
    高平整銅電鍍方法及銅電鍍產品 审中-公开
    高平整铜电镀方法及铜电镀产品

    公开(公告)号：TW202003926A

    公开(公告)日：2020-01-16

    申请号：TW108102314

    申请日：2019-01-21

    申请人： 韓國生產技術研究院 ,  KOREA INSTITUTE OF INDUSTRIAL TECHNOLOGY ,  南韓商PDT股份有限公司 ,  PDT CO., LTD

    发明人： 李玟炯 ,  LEE, MIN HYUNG ,  李云永 ,  LEE, WOON YOUNG ,  李東烈 ,  LEE, DONG RYUL ,  宋峻昊 ,  SONG, JOON HO

    IPC分类号： C25D3/38 ,  C25D5/34

    摘要： 本發明的一實施例提供高平整銅電鍍方法。此時，上述銅電鍍方法包括藉由將基板浸漬於含有第二整平劑但不含有銅前驅體的前處理溶液中來進行前處理的步驟、將進行了前處理的上述基板浸漬於含有第一整平劑、第二整平劑、抑制劑、加速劑及銅前驅體的鍍液中的步驟及藉由對浸漬於上述鍍液中的基板施加電流來電解沉積銅膜的步驟。根據本發明的一實施例執行銅電鍍時，電鍍之前藉由由前處理溶液的浸漬引起的第二整平劑的吸附可得到高平整鍍銅膜。

    简体摘要： 本发明的一实施例提供高平整铜电镀方法。此时，上述铜电镀方法包括借由将基板浸渍于含有第二整平剂但不含有铜前驱体的前处理溶液中来进行前处理的步骤、将进行了前处理的上述基板浸渍于含有第一整平剂、第二整平剂、抑制剂、加速剂及铜前驱体的镀液中的步骤及借由对浸渍于上述镀液中的基板施加电流来电解沉积铜膜的步骤。根据本发明的一实施例运行铜电镀时，电镀之前借由由前处理溶液的浸渍引起的第二整平剂的吸附可得到高平整镀铜膜。

    用於將銅電性沉積進入矽穿孔之鎳及鈷襯墊的預處理
    5.
    发明专利
    用於將銅電性沉積進入矽穿孔之鎳及鈷襯墊的預處理 审中-公开
    用于将铜电性沉积进入硅穿孔之镍及钴衬垫的预处理

    公开(公告)号：TW201708622A

    公开(公告)日：2017-03-01

    申请号：TW105105356

    申请日：2016-02-24

    申请人： 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

    发明人： 索倫 麥修 S ,  THORUM, MATTHEW S. ,  邁爾 史蒂芬 T ,  MAYER, STEVEN T.

    IPC分类号： C25D17/00 ,  C25D3/38 ,  C25D5/34 ,  C25D7/12 ,  H01L21/687 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48

    CPC分类号： C25D7/123 ,  C25D3/38 ,  C25D5/34 ,  C25D17/001 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/53238

    摘要： 在銅電性沉積至含鎳或含鈷晶種層上之前，半導體晶圓係藉由使晶種層與含有以下者的預濕潤液體接觸而進行預處理：至少約10g/L(較佳為至少約30g/L)之濃度的銅離子、以及例如取自聚烯烴乙二醇類別之化合物的電鍍抑制劑。該預處理對於具有一或更多如貫通矽穿孔(TSV, through silicon vias)之大型下凹特徵部的晶圓來說係特別有用。預濕潤液體較佳地係在接觸晶圓基板之前進行除氣。預處理較佳地係在次大氣壓力下執行，以防止下凹特徵部內氣泡的形成。晶圓進行預處理之後，從電鍍溶液(例如酸性電鍍溶液)電性沉積銅，以填充晶圓上的下凹特徵部。所述預處理使晶種層在電鍍期間的腐蝕最小化，並且減少電鍍缺陷。

    简体摘要： 在铜电性沉积至含镍或含钴晶种层上之前，半导体晶圆系借由使晶种层与含有以下者的预湿润液体接触而进行预处理：至少约10g/L(较佳为至少约30g/L)之浓度的铜离子、以及例如取自聚烯烃乙二醇类别之化合物的电镀抑制剂。该预处理对于具有一或更多如贯通硅穿孔(TSV, through silicon vias)之大型下凹特征部的晶圆来说系特别有用。预湿润液体较佳地系在接触晶圆基板之前进行除气。预处理较佳地系在次大气压力下运行，以防止下凹特征部内气泡的形成。晶圆进行预处理之后，从电镀溶液(例如酸性电镀溶液)电性沉积铜，以填充晶圆上的下凹特征部。所述预处理使晶种层在电镀期间的腐蚀最小化，并且减少电镀缺陷。

    電路板的真空預潤方法與裝置
    6.
    发明专利
    電路板的真空預潤方法與裝置 审中-公开
    电路板的真空预润方法与设备

    公开(公告)号：TW201636460A

    公开(公告)日：2016-10-16

    申请号：TW104110925

    申请日：2015-04-02

    申请人： 台灣先進系統股份有限公司 ,  TAIWAN ADVANCED SYSTEM CORP.

    发明人： 王彥智 ,  WANG, YEN CHIH ,  洪俊雄 ,  HUNG, CHUN HSIUNG

    IPC分类号： C25D5/34 ,  C25D7/06 ,  H05K3/18

    摘要： 本發明之實施例揭露一電路板的真空預潤方法，包含：將一待預潤的電路板置入一真空裝置內；開始將該真空裝置進行抽真空；當該真空裝置內的氣壓小於一氣壓門檻值，注入去離子水(de-ionized water，DIW)；待注入的去離子水完全覆蓋該電路板時，停止注入去離子水，並靜置一預設時間；當達到該預設時間時，解除真空，讓該去離子水流出，並取出該電路板。

    简体摘要： 本发明之实施例揭露一电路板的真空预润方法，包含：将一待预润的电路板置入一真空设备内；开始将该真空设备进行抽真空；当该真空设备内的气压小于一气压门槛值，注入去离子水(de-ionized water，DIW)；待注入的去离子水完全覆盖该电路板时，停止注入去离子水，并静置一默认时间；当达到该默认时间时，解除真空，让该去离子水流出，并取出该电路板。