公开(公告)号：TW201724214A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW105127823

申请日：2016-08-30

Applicant: 美商.英特矽爾美國有限公司 ,  INTERSIL AMERICAS LLC

Inventor： 吉德哈爾 戴夫艾洛克 ,  GIRDHAR, DEV ALOK

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0882 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66681

Abstract: 一個實施方式涉及一種方法。該方法包括在基板上方或該基板中形成第一導電類型的漂移區。該基板具有第一表面和第二表面。在溝道的第一部分之上形成第一絕緣體，該第一絕緣體具有第一厚度。在該溝道的第二部分之上形成第二絕緣體，該第二絕緣體具有小於該第一厚度的第二厚度。在該第一絕緣體之上形成第一閘極。在該第二絕緣體之上形成第二閘極。在該基板上方或該基板中形成第二導電類型的體區。

Abstract in simplified Chinese: 一个实施方式涉及一种方法。该方法包括在基板上方或该基板中形成第一导电类型的漂移区。该基板具有第一表面和第二表面。在沟道的第一部分之上形成第一绝缘体，该第一绝缘体具有第一厚度。在该沟道的第二部分之上形成第二绝缘体，该第二绝缘体具有小于该第一厚度的第二厚度。在该第一绝缘体之上形成第一闸极。在该第二绝缘体之上形成第二闸极。在该基板上方或该基板中形成第二导电类型的体区。