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    電阻式隨機存取記憶體
    2.
    发明专利
    電阻式隨機存取記憶體 审中-公开
    电阻式随机存取内存

    公开(公告)号：TW202022993A

    公开(公告)日：2020-06-16

    申请号：TW107144636

    申请日：2018-12-11

    申请人： 華邦電子股份有限公司 ,  WINBOND ELECTRONICS CORP.

    发明人： 吳伯倫 ,  WU, BO-LUN ,  白昌宗 ,  PAI, CHANG-TSUNG ,  林銘哲 ,  LIN, MING-CHE ,  林孟弘 ,  LIN, MENG-HUNG

    IPC分类号： H01L21/8239

    摘要： 本發明實施例提供一種電阻式隨機存取記憶體（resistive random access memory，RRAM）。RRAM包括下電極、上電極、第一可變電阻層以及第二可變電阻層。下電極設置於基底上，且為單一電極或彼此電性相連的電極對。上電極設置於下電極上，且重疊於下電極。第一可變電阻層與第二可變電阻層設置於基底上。至少一部分的第一可變電阻層設置於下電極與上電極之間，且至少一部分的第二可變電阻層設置於下電極與上電極之間並連接於第一可變電阻層。

    简体摘要： 本发明实施例提供一种电阻式随机存取内存（resistive random access memory，RRAM）。RRAM包括下电极、上电极、第一可变电阻层以及第二可变电阻层。下电极设置于基底上，且为单一电极或彼此电性相连的电极对。上电极设置于下电极上，且重叠于下电极。第一可变电阻层与第二可变电阻层设置于基底上。至少一部分的第一可变电阻层设置于下电极与上电极之间，且至少一部分的第二可变电阻层设置于下电极与上电极之间并连接于第一可变电阻层。