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公开(公告)号：TW201721920A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105103062
申请日：2016-01-30
发明人： 陳 達 , CHEN, FREDERICK , 王炳琨 , WANG, PING-KUN , 廖紹憬 , LIAO, SHAO-CHING , 許博硯 , HSU, PO-YEN , 陳宜秀 , CHEN, YI-HSIU , 沈鼎瀛 , SHEN, TING-YING , 吳伯倫 , WU, BO-LUN , 林孟弘 , LIN, MENG-HUNG
CPC分类号： H01L45/1266 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/146
摘要： 一種電阻式隨機存取記憶體，包括下部電極、上部電極、可變電阻層、氧交換層以及側壁保護層。下部電極設置於基底上。上部電極設置於下部電極上。可變電阻層設置於下部電極與上部電極之間。氧交換層設置於可變電阻層與上部電極之間。側壁保護層，其為氧供應層，至少設置於氧交換層的側壁。
简体摘要： 一种电阻式随机存取内存，包括下部电极、上部电极、可变电阻层、氧交换层以及侧壁保护层。下部电极设置于基底上。上部电极设置于下部电极上。可变电阻层设置于下部电极与上部电极之间。氧交换层设置于可变电阻层与上部电极之间。侧壁保护层，其为氧供应层，至少设置于氧交换层的侧壁。
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公开(公告)号：TW202022993A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW107144636
申请日：2018-12-11
发明人： 吳伯倫 , WU, BO-LUN , 白昌宗 , PAI, CHANG-TSUNG , 林銘哲 , LIN, MING-CHE , 林孟弘 , LIN, MENG-HUNG
IPC分类号： H01L21/8239
摘要： 本發明實施例提供一種電阻式隨機存取記憶體（resistive random access memory，RRAM）。RRAM包括下電極、上電極、第一可變電阻層以及第二可變電阻層。下電極設置於基底上，且為單一電極或彼此電性相連的電極對。上電極設置於下電極上，且重疊於下電極。第一可變電阻層與第二可變電阻層設置於基底上。至少一部分的第一可變電阻層設置於下電極與上電極之間，且至少一部分的第二可變電阻層設置於下電極與上電極之間並連接於第一可變電阻層。
简体摘要： 本发明实施例提供一种电阻式随机存取内存（resistive random access memory，RRAM）。RRAM包括下电极、上电极、第一可变电阻层以及第二可变电阻层。下电极设置于基底上，且为单一电极或彼此电性相连的电极对。上电极设置于下电极上，且重叠于下电极。第一可变电阻层与第二可变电阻层设置于基底上。至少一部分的第一可变电阻层设置于下电极与上电极之间，且至少一部分的第二可变电阻层设置于下电极与上电极之间并连接于第一可变电阻层。
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公开(公告)号：TWI691023B
公开(公告)日：2020-04-11
申请号：TW107144636
申请日：2018-12-11
发明人： 吳伯倫 , WU, BO-LUN , 白昌宗 , PAI, CHANG-TSUNG , 林銘哲 , LIN, MING-CHE , 林孟弘 , LIN, MENG-HUNG
IPC分类号： H01L21/8239
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公开(公告)号：TWI581473B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105103062
申请日：2016-01-30
发明人： 陳 達 , CHEN, FREDERICK , 王炳琨 , WANG, PING-KUN , 廖紹憬 , LIAO, SHAO-CHING , 許博硯 , HSU, PO-YEN , 陳宜秀 , CHEN, YI-HSIU , 沈鼎瀛 , SHEN, TING-YING , 吳伯倫 , WU, BO-LUN , 林孟弘 , LIN, MENG-HUNG
CPC分类号： H01L45/1266 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/146
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