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    切割晶圓的方法
    1.
    发明专利
    切割晶圓的方法 审中-公开
    切割晶圆的方法

    公开(公告)号：TW202015113A

    公开(公告)日：2020-04-16

    申请号：TW107135438

    申请日：2018-10-08

    申请人： 華邦電子股份有限公司 ,  WINBOND ELECTRONICS CORP.

    发明人： 陳靖為 ,  CHEN, CHING-WEI ,  韋承宏 ,  WEI, CHENG-HONG ,  張碩哲 ,  CHANG, SHUO-CHE ,  陳宏生 ,  CHEN, HUNG-SHENG ,  周信宏 ,  CHOU, HSIN-HUNG

    IPC分类号： H01L21/301 ,  H01L21/3065

    摘要： 本發明實施例提供一種切割晶圓的方法，包括：提供晶圓，包括基底、形成於基底中及基底上的多個晶粒以及位於相鄰晶粒之間的切割區內的切割道結構；移除切割道結構的位於測試元件周圍的部分；將晶圓的前側附著於第一膠帶；自晶圓的背側移除基底的交疊於切割區的部分；將晶圓的背側附著於第二膠帶；以及移除第一膠帶以及附著於第一膠帶上的切割道結構的剩餘部分，而使多個晶粒分離地附著於第二膠帶上。

    简体摘要： 本发明实施例提供一种切割晶圆的方法，包括：提供晶圆，包括基底、形成于基底中及基底上的多个晶粒以及位于相邻晶粒之间的切割区内的切割道结构；移除切割道结构的位于测试组件周围的部分；将晶圆的前侧附着于第一胶带；自晶圆的背侧移除基底的交叠于切割区的部分；将晶圆的背侧附着于第二胶带；以及移除第一胶带以及附着于第一胶带上的切割道结构的剩余部分，而使多个晶粒分离地附着于第二胶带上。

    半導體晶片的製造方法
    2.
    发明专利
    半導體晶片的製造方法 审中-公开
    半导体芯片的制造方法

    公开(公告)号：TW202011464A

    公开(公告)日：2020-03-16

    申请号：TW107130530

    申请日：2018-08-31

    申请人： 華邦電子股份有限公司 ,  WINBOND ELECTRONICS CORP.

    发明人： 韋承宏 ,  WEI, CHENG-HONG ,  陳宏生 ,  CHEN, HUNG-SHENG

    IPC分类号： H01L21/301 ,  H01L21/3065

    摘要： 本發明實施例提供一種半導體晶片的製造方法，包括：在基底上形成第一金屬圖案，其中第一金屬圖案位於基底的晶片區與切割區內，且切割區圍繞晶片區；在第一金屬圖案上形成金屬材料層；圖案畫金屬材料層，以移除金屬材料層的位於切割區內的實質上所有部分以及位於晶片區內的一部分，從而形成位於晶片區內的第二金屬圖案；形成第三金屬圖案，其中第三金屬圖案覆蓋晶片區內的第二金屬圖案，且位於切割區內的第一金屬圖案上；以及沿切割區進行單體化，以形成半導體晶片。

    简体摘要： 本发明实施例提供一种半导体芯片的制造方法，包括：在基底上形成第一金属图案，其中第一金属图案位于基底的芯片区与切割区内，且切割区围绕芯片区；在第一金属图案上形成金属材料层；图案画金属材料层，以移除金属材料层的位于切割区内的实质上所有部分以及位于芯片区内的一部分，从而形成位于芯片区内的第二金属图案；形成第三金属图案，其中第三金属图案覆盖芯片区内的第二金属图案，且位于切割区内的第一金属图案上；以及沿切割区进行单体化，以形成半导体芯片。