公开(公告)号：TW201608677A

公开(公告)日：2016-03-01

申请号：TW103128267

申请日：2014-08-18

申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 霍炎 ,  HUO, YAN ,  耶爾馬茲 哈姆紮 ,  YILMAZ, HAMZA ,  魯 軍 ,  LU, JUN ,  魯明朕 ,  LU, MING-CHEN ,  牛志強 ,  NIU, ZHIQIANG ,  薛 彥迅 ,  XUE, YAN XUN ,  龔德梅 ,  GONG, DEMEI

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L24/97 ,  H01L21/561 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/97 ,  H01L2224/83

摘要： 本發明是關於一種具備高效散熱功效和具有超薄尺寸的功率半導體及其製造方法。在薄膜層覆蓋於金屬基座的上置部分上表面之上的區域設置貫穿薄膜層的數個接觸孔，在薄膜層覆蓋於金屬基座的下置部分上表面之上的區域設置貫穿薄膜層的至少一個開口，晶片黏貼於開口處，其中上置部分的上表面暴露於每個接觸孔的區域處皆安置有一個金屬凸塊，並且晶片頂面的每個電極之上也至少安置有一個金屬凸塊。

简体摘要： 本发明是关于一种具备高效散热功效和具有超薄尺寸的功率半导体及其制造方法。在薄膜层覆盖于金属基座的上置部分上表面之上的区域设置贯穿薄膜层的数个接触孔，在薄膜层覆盖于金属基座的下置部分上表面之上的区域设置贯穿薄膜层的至少一个开口，芯片黏贴于开口处，其中上置部分的上表面暴露于每个接触孔的区域处皆安置有一个金属凸块，并且芯片顶面的每个电极之上也至少安置有一个金属凸块。

公开(公告)号：TWI579979B

公开(公告)日：2017-04-21

申请号：TW103128267

申请日：2014-08-18

申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 霍炎 ,  HUO, YAN ,  耶爾馬茲 哈姆紮 ,  YILMAZ, HAMZA ,  魯 軍 ,  LU, JUN ,  魯明朕 ,  LU, MING-CHEN ,  牛志強 ,  NIU, ZHIQIANG ,  薛 彥迅 ,  XUE, YAN XUN ,  龔德梅 ,  GONG, DEMEI

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L24/97 ,  H01L21/561 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/97 ,  H01L2224/83