专利检索 ap:("萬國半導體股份有限公司" OR "ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED") AND inv:"LU, JUN" 第 1 页

1.

发明专利
用於帶有厚背面金屬化的模壓晶片級封裝的晶圓製作方法有权
简体标题：用于带有厚背面金属化的模压芯片级封装的晶圆制作方法

公开(公告)号：TWI567889B

公开(公告)日：2017-01-21

申请号：TW103129914

申请日：2014-08-29

申请人： 萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 薛彥迅 , XUE, YAN XUN , 依瑪茲哈姆紥 , YILMAZ, HAMZA , 何約瑟 , HO, YUEH-SE , 魯軍 , LU, JUN , 牛志強 , NIU, ZHIQIANG , 連國峰 , LIAN, GUO FENG , 付紅霞 , FU, HONG XIA , 龔玉平 , GONG, YU PING

IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/11

2.

发明专利
嵌入式封裝及封裝方法有权
简体标题：嵌入式封装及封装方法

公开(公告)号：TWI560816B

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：TW103123370

申请日：2014-07-07

申请人： 萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 牛志強 , NIU, ZHIQIANG , 潘華 , PAN, HUA , 魯明朕 , LU, MING-CHEN , 何約瑟 , HO, YUEH-SE , 魯軍 , LU, JUN

IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/28

CPC分类号： H01L2224/24 , H01L2224/40245

3.

发明专利
堆疊式雙晶片封裝結構及其製備方法有权
简体标题：堆栈式双芯片封装结构及其制备方法

公开(公告)号：TWI545703B

公开(公告)日：2016-08-11

申请号：TW101149216

申请日：2012-12-21

申请人： 萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 何約瑟 , HO, YUEH-SE , 薛彥迅 , XUE, YAN XUN , 耶爾馬茲哈姆紮 , YILMAZ, HAMZA , 魯軍 , LU, JUN

IPC分类号： H01L23/12 , H01L21/58

CPC分类号： H01L2224/37 , H01L2224/37011 , H01L2224/40 , H01L2224/4007 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00

4.

发明专利
功率半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：功率半导体设备及其制造方法

公开(公告)号：TW201608677A

公开(公告)日：2016-03-01

申请号：TW103128267

申请日：2014-08-18

申请人： 萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 霍炎 , HUO, YAN , 耶爾馬茲哈姆紮 , YILMAZ, HAMZA , 魯軍 , LU, JUN , 魯明朕 , LU, MING-CHEN , 牛志強 , NIU, ZHIQIANG , 薛彥迅 , XUE, YAN XUN , 龔德梅 , GONG, DEMEI

IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/48

CPC分类号： H01L24/97 , H01L21/561 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/06181 , H01L2224/73253 , H01L2224/97 , H01L2224/83

摘要： 本發明是關於一種具備高效散熱功效和具有超薄尺寸的功率半導體及其製造方法。在薄膜層覆蓋於金屬基座的上置部分上表面之上的區域設置貫穿薄膜層的數個接觸孔，在薄膜層覆蓋於金屬基座的下置部分上表面之上的區域設置貫穿薄膜層的至少一個開口，晶片黏貼於開口處，其中上置部分的上表面暴露於每個接觸孔的區域處皆安置有一個金屬凸塊，並且晶片頂面的每個電極之上也至少安置有一個金屬凸塊。

简体摘要： 本发明是关于一种具备高效散热功效和具有超薄尺寸的功率半导体及其制造方法。在薄膜层覆盖于金属基座的上置部分上表面之上的区域设置贯穿薄膜层的数个接触孔，在薄膜层覆盖于金属基座的下置部分上表面之上的区域设置贯穿薄膜层的至少一个开口，芯片黏贴于开口处，其中上置部分的上表面暴露于每个接触孔的区域处皆安置有一个金属凸块，并且芯片顶面的每个电极之上也至少安置有一个金属凸块。

5.

发明专利
集成堆疊式多晶片的半導體器件及其制備方法有权
简体标题：集成堆栈式多芯片的半导体器件及其制备方法

公开(公告)号：TWI509770B

公开(公告)日：2015-11-21

申请号：TW102146696

申请日：2013-12-17

申请人： 萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 耶爾馬茲哈姆紮 , YILMAZ, HAMZA , 何約瑟 , HO, YUEH-SE , 薛彥迅 , XUE, YAN XUN , 魯軍 , LU, JUN , 張曉天 , ZHANG, XIAOTIAN , 牛志強 , NIU, ZHIQIANG , 魯明朕 , LU, MING CHEN , 趙良 , ZHAO, LIANG , 龔玉平 , GONG, YUPING , 連國峰 , LIAN, GUO FENG

IPC分类号： H01L25/04 , H01L23/48

CPC分类号： H01L2224/37 , H01L2224/37011 , H01L2224/40 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00

6.

发明专利
多晶片器件及其封裝方法审中-公开
简体标题：多芯片器件及其封装方法

公开(公告)号：TW201526127A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：TW102146692

申请日：2013-12-17

申请人： 萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 薛彥迅 , XUE, YAN XUN , 何約瑟 , HO, YUEH-SE , 魯軍 , LU, JUN , 石磊 , SHI, LEI , 趙良 , ZHAO, LIANG , 潘贇 , PAN, YUN

IPC分类号： H01L21/58 , H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/0603 , H01L2224/32145 , H01L2224/36 , H01L2224/40 , H01L2224/40245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/92247 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00

摘要： 本發明涉及一種多晶片器件及其的制備方法，提供一晶片安裝單元，具有彼此分割開的第一、第二基座及多個引腳，將一第一晶片粘附至第一基座的頂面，利用導電結構將第一晶片正面的一部分焊墊電性連接至第二基座頂面的靠近第一基座的區域上，其中連接至第二基座的導電結構具有被鍵合在第二基座頂面上的端部，然後再在第二基座的頂面塗覆粘合材料以將一第二晶片粘附至第二基座的頂面。

简体摘要： 本发明涉及一种多芯片器件及其的制备方法，提供一芯片安装单元，具有彼此分割开的第一、第二基座及多个引脚，将一第一芯片粘附至第一基座的顶面，利用导电结构将第一芯片正面的一部分焊垫电性连接至第二基座顶面的靠近第一基座的区域上，其中连接至第二基座的导电结构具有被键合在第二基座顶面上的端部，然后再在第二基座的顶面涂覆粘合材料以将一第二芯片粘附至第二基座的顶面。