公开(公告)号：TWI393255B

公开(公告)日：2013-04-11

申请号：TW094119328

申请日：2005-06-10

申请人： 飛思卡爾半導體公司 ,  FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC.

发明人： 維許努K 凱姆卡 ,  KHEMKA, VISHNU K. ,  維傑 帕薩賽拉希 ,  PARTHASARATHY, VIJAY ,  朱隆華 ,  ZHU, RONGHUA ,  艾米塔娃 波斯 ,  BOSE, AMITAVA

IPC分类号： H01L29/735

CPC分类号： H01L29/782 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7835

公开(公告)号：TWI372470B

公开(公告)日：2012-09-11

申请号：TW094116366

申请日：2005-05-19

申请人： 飛思卡爾半導體公司

发明人： 維傑 帕沙賽拉希 ,  維許努K 凱姆卡 ,  朱隆華 ,  艾米塔娃 波司

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L27/0727 ,  H01L27/0629

摘要： 本發明揭示一種常規肖特基二極體(16)或具有一肖特基二極體特徵之一裝置(90)，其係與一MOS電晶體(18、92)串聯耦合，以提供漏電及崩潰電壓方面之一顯著改進，而正向電流中僅有一較小的降級。在反向偏壓的情況下，存在一較小的反向偏壓電流，但是橫跨肖特基二極體(16、90)的電壓由於該MOS電晶體(18、92)而保持較小。幾乎全部的反向偏壓電壓係橫跨該MOS電晶體，直至該MOS電晶體(18、92)崩潰。然而，此電晶體崩潰最初並非破壞性的，因為該肖特基二極體(16、90)會限制該電流。隨著該反向偏壓電壓繼續增加，該等肖特基二極體(16、90)開始吸收更多電壓。此會增加該漏電，但是該崩潰電壓在該電晶體(18、92)與該肖特基二極體(16、90)之間稍微增加。

简体摘要： 本发明揭示一种常规肖特基二极管(16)或具有一肖特基二极管特征之一设备(90)，其系与一MOS晶体管(18、92)串联耦合，以提供漏电及崩溃电压方面之一显着改进，而正向电流中仅有一较小的降级。在反向偏压的情况下，存在一较小的反向偏压电流，但是横跨肖特基二极管(16、90)的电压由于该MOS晶体管(18、92)而保持较小。几乎全部的反向偏压电压系横跨该MOS晶体管，直至该MOS晶体管(18、92)崩溃。然而，此晶体管崩溃最初并非破坏性的，因为该肖特基二极管(16、90)会限制该电流。随着该反向偏压电压继续增加，该等肖特基二极管(16、90)开始吸收更多电压。此会增加该漏电，但是该崩溃电压在该晶体管(18、92)与该肖特基二极管(16、90)之间稍微增加。

公开(公告)号：TWI358835B

公开(公告)日：2012-02-21

申请号：TW094119834

申请日：2005-06-15

申请人： 飛思卡爾半導體公司

发明人： 維許努K 凱姆卡 ,  維傑 帕薩賽拉希 ,  朱隆華 ,  艾米塔娃 波斯

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/66143 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

摘要： 一導電層(41)包括一形成一具有下方第一區域之蕭特基區域(25)的第一部分，該下方第一區域具有一第一導電類型。一第二導電類型之一第二區域(13)在該第一區域(22)下方，其中該第二導電類型與該第一導電類型相對。該第一導電類型之一第三區域(21)直接位於該第二區域(13)下方，並電性耦合至該裝置之一陰極(52)。

简体摘要： 一导电层(41)包括一形成一具有下方第一区域之萧特基区域(25)的第一部分，该下方第一区域具有一第一导电类型。一第二导电类型之一第二区域(13)在该第一区域(22)下方，其中该第二导电类型与该第一导电类型相对。该第一导电类型之一第三区域(21)直接位于该第二区域(13)下方，并电性耦合至该设备之一阴极(52)。