公开(公告)号：TW201621332A

公开(公告)日：2016-06-16

申请号：TW104114029

申请日：2015-05-01

申请人： 格羅方德半導體公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

发明人： 聖納波堤 畢斯華納斯 ,  SENAPATI, BISWANATH ,  辛格 杰高爾 ,  SINGH, JAGAR

IPC分类号： G01R31/26 ,  H01L21/66 ,  H01L27/02 ,  H01L29/06 ,  H01L29/735

CPC分类号： H01L29/735 ,  G01R31/2621 ,  G01R31/2884 ,  H01L22/34 ,  H01L27/0259 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0808 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1008 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/42304

摘要： 提供一種對稱側向雙載子接面電晶體(SLBJT)。該SLBJT包含p型半導體基板、n型阱、位於該n型阱中的SLBJT之射極、位於該n型阱中且在該基極之一側與該射極以一距離隔開的SLBJT之基極、位於該n型阱中且在該基極之另一側與該基極以該距離隔開的SLBJT集極，以及通到在該n型阱外之該基板的電氣連線。該SLBJT係藉由使該SLBJT電氣耦合至該測試電晶體的閘極、施加電壓至該閘極、以及特徵化該測試電晶體在該施加電壓下的一或數個態樣，從而用來特徵化電路中的電晶體。該SLBJT保護該閘極以免該閘極介電質受損。

简体摘要： 提供一种对称侧向双载子接面晶体管(SLBJT)。该SLBJT包含p型半导体基板、n型阱、位于该n型阱中的SLBJT之射极、位于该n型阱中且在该基极之一侧与该射极以一距离隔开的SLBJT之基极、位于该n型阱中且在该基极之另一侧与该基极以该距离隔开的SLBJT集极，以及通到在该n型阱外之该基板的电气连接。该SLBJT系借由使该SLBJT电气耦合至该测试晶体管的闸极、施加电压至该闸极、以及特征化该测试晶体管在该施加电压下的一或数个态样，从而用来特征化电路中的晶体管。该SLBJT保护该闸极以免该闸极介电质受损。

公开(公告)号：TWI406411B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：TW098144235

申请日：2009-12-22

申请人： 聯發科技股份有限公司 ,  MEDIATEK INC.

发明人： 楊明宗 ,  YANG, MING TZONG ,  鄭道 ,  CHENG, TAO ,  柯慶忠 ,  KO, CHING CHUNG ,  李東興 ,  LEE, TUNG HSING

IPC分类号： H01L29/735

CPC分类号： H01L29/735 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/423

公开(公告)号：TWI699891B

公开(公告)日：2020-07-21

申请号：TW107104523

申请日：2018-02-08

申请人： 美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

发明人： 麻友 伊格納西 寇蒂 斯 ,  MAYOL, IGNASI CORTES ,  札卡 阿爾本 ,  ZAKA, ALBAN ,  艾爾曼 湯姆 ,  HERRMANN, TOM ,  巴奇奇 艾爾 曼 帝 ,  BAZIZI, EL MEHDI

IPC分类号： H01L29/735 ,  H01L21/328

公开(公告)号：TWI585423B

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：TW104114029

申请日：2015-05-01

申请人： 格羅方德半導體公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

发明人： 聖納波堤 畢斯華納斯 ,  SENAPATI, BISWANATH ,  辛格 杰高爾 ,  SINGH, JAGAR

IPC分类号： G01R31/26 ,  H01L21/66 ,  H01L27/02 ,  H01L29/06 ,  H01L29/735

CPC分类号： H01L29/735 ,  G01R31/2621 ,  G01R31/2884 ,  H01L22/34 ,  H01L27/0259 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0808 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1008 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/42304

公开(公告)号：TWI671899B

公开(公告)日：2019-09-11

申请号：TW104114110

申请日：2015-05-04

申请人： 南韓商愛思開海力士有限公司 ,  SK HYNIX INC.

发明人： 宋賢旻 ,  SONG, HYUN MIN

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/735

公开(公告)号：TWI393255B

公开(公告)日：2013-04-11

申请号：TW094119328

申请日：2005-06-10

申请人： 飛思卡爾半導體公司 ,  FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC.

发明人： 維許努K 凱姆卡 ,  KHEMKA, VISHNU K. ,  維傑 帕薩賽拉希 ,  PARTHASARATHY, VIJAY ,  朱隆華 ,  ZHU, RONGHUA ,  艾米塔娃 波斯 ,  BOSE, AMITAVA

IPC分类号： H01L29/735

CPC分类号： H01L29/782 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7835

公开(公告)号：TW201618298A

公开(公告)日：2016-05-16

申请号：TW104114110

申请日：2015-05-04

申请人： 愛思開海力士有限公司 ,  SK HYNIX INC.

发明人： 宋賢旻 ,  SONG, HYUN MIN

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/735

CPC分类号： H01L29/735 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0808 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1008

摘要： 一種雙極接面電晶體包含一共同的基極區域；複數個射極區域，其被設置在所述共同的基極區域中並且在一第一對角線方向上被排列成彼此間隔開的；以及複數個集極區域，其被設置在所述共同的基極區域中並且在所述第一對角線方向上被排列成彼此間隔開的。所述複數個射極區域以及複數個集極區域是在一第二對角線方向上交替地加以排列。

简体摘要： 一种双极接面晶体管包含一共同的基极区域；复数个射极区域，其被设置在所述共同的基极区域中并且在一第一对角线方向上被排列成彼此间隔开的；以及复数个集极区域，其被设置在所述共同的基极区域中并且在所述第一对角线方向上被排列成彼此间隔开的。所述复数个射极区域以及复数个集极区域是在一第二对角线方向上交替地加以排列。

公开(公告)号：TWI414022B

公开(公告)日：2013-11-01

申请号：TW099100185

申请日：2010-01-06

申请人： 聯發科技股份有限公司 ,  MEDIATEK INC.

发明人： 柯慶忠 ,  KO, CHING CHUNG ,  李東興 ,  LEE, TUNG HSING ,  曾崢 ,  ZENG, ZHENG

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/735

CPC分类号： H01L29/735 ,  H01L21/8222 ,  H01L27/082 ,  H01L29/6625