公开(公告)号：TW201738989A

公开(公告)日：2017-11-01

申请号：TW106110735

申请日：2017-03-30

申请人： JSR股份有限公司 ,  JSR CORPORATION

发明人： 大喜多健三 ,  OOKITA, KENZOU ,  松本太一 ,  MATSUMOTO, TAICHI ,  渡部和人 ,  WATANABE, KAZUTO ,  森隆 ,  MORI, TAKASHI ,  水野光 ,  MIZUNO, HIKARU

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L23/28

CPC分类号： B23K26/03 ,  B23K26/18 ,  B23K26/57 ,  H01L21/02

摘要： 提供在經由臨時固定材料將基材臨時固定在支撐體上的狀態下進行基材的加工、移動處理的方法中，可良好地進行基材在支撐體上的位置對準的方法。一種基材的處理方法，其包含如下步驟：步驟（1），將包含基材及接著層的結構體（I）、與包含支撐體、所述支撐體上的光吸收層及所述光吸收層上的金屬含有層的結構體（II），以接著層與金屬含有層對向的方式加以貼合，形成在積層方向上以如下順序包含基材、接著層、金屬含有層、光吸收層及支撐體的積層體，此處，基於照射測量光而獲得的結構體（II）的位置資訊而進行結構體（I）及結構體（II）的位置對準後，進行所述貼合；步驟（2），對基材進行加工，及/或使積層體移動；步驟（3），對光吸收層照射光；以及步驟（4），自支撐體分離基材。

简体摘要： 提供在经由临时固定材料将基材临时固定在支撑体上的状态下进行基材的加工、移动处理的方法中，可良好地进行基材在支撑体上的位置对准的方法。一种基材的处理方法，其包含如下步骤：步骤（1），将包含基材及接着层的结构体（I）、与包含支撑体、所述支撑体上的光吸收层及所述光吸收层上的金属含有层的结构体（II），以接着层与金属含有层对向的方式加以贴合，形成在积层方向上以如下顺序包含基材、接着层、金属含有层、光吸收层及支撑体的积层体，此处，基于照射测量光而获得的结构体（II）的位置信息而进行结构体（I）及结构体（II）的位置对准后，进行所述贴合；步骤（2），对基材进行加工，及/或使积层体移动；步骤（3），对光吸收层照射光；以及步骤（4），自支撑体分离基材。

公开(公告)号：TW201608689A

公开(公告)日：2016-03-01

申请号：TW104127598

申请日：2015-08-25

申请人： JSR 股份有限公司 ,  JSR CORPORATION

发明人： 大喜多健三 ,  OOKITA, KENZOU ,  有留功 ,  ARITOME, ISAO ,  栗山敬祐 ,  KURIYAMA, KEISUKE ,  松本太一 ,  MATSUMOTO, TAICHI ,  渡部和人 ,  WATANABE, KAZUTO ,  小林敦 ,  KOBAYASHI, ATSUSHI ,  下田杉郎 ,  SHIMODA, SUGIROU

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76895 ,  H01L21/288 ,  H01L21/486 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/147 ,  H01L23/481 ,  H01L23/485 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明提供一種具有三次元配線的電路裝置，其具有導電性良好的三次元配線，容易於比較高的生產性下、且於比較低的製造成本下製造所述三次元配線。於製作上側配線12a與下側配線12b藉由接觸插塞14a而相互電性連接的具有三次元配線的電路裝置1時，構成接觸插塞14a的籽晶層S藉由對含有選自元素週期表的第10族及第11族的金屬的鹽及粒子的至少一者的金屬膜形成用組成物的塗膜進行加熱來形成。

简体摘要： 本发明提供一种具有三次元配线的电路设备，其具有导电性良好的三次元配线，容易于比较高的生产性下、且于比较低的制造成本下制造所述三次元配线。于制作上侧配线12a与下侧配线12b借由接触插塞14a而相互电性连接的具有三次元配线的电路设备1时，构成接触插塞14a的籽晶层S借由对含有选自元素周期表的第10族及第11族的金属的盐及粒子的至少一者的金属膜形成用组成物的涂膜进行加热来形成。