公开(公告)号：TWI613710B

公开(公告)日：2018-02-01

申请号：TW102129766

申请日：2013-08-20

Applicant: 羅伯特博斯奇股份有限公司 ,  ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： 菲 安道 ,  FEYH, ANDO

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/324

CPC classification number: B81B3/0027 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00166 ,  B81C1/0038 ,  G01L9/0045 ,  G01L9/0073

公开(公告)号：TWI419202B

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：TW100144941

申请日：2011-12-06

Applicant: 國立臺灣大學 ,  NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY

Inventor： 林清富 ,  LIN, CHING FUH ,  林子敬 ,  LIN, TZU CHING ,  許書嘉 ,  SYU, SHU JIA

IPC: H01L21/08

CPC classification number: B81C99/008 ,  B81B2207/056 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/0194

公开(公告)号：TW559945B

公开(公告)日：2003-11-01

申请号：TW091110524

申请日：2002-05-20

Applicant: 雷佛公司

Inventor： 薩吉M 斐利斯

IPC: H01L

CPC classification number: B81C1/0038

Abstract: 一種層狀結構通常包括一第一層選擇性附著或連結至第二層，該第一層適合有有用的元件形成於其內或於其上。一種形成層狀結構之方法概略包括選擇性黏著一第一基板至一第二基板。

Abstract in simplified Chinese: 一种层状结构通常包括一第一层选择性附着或链接至第二层，该第一层适合有有用的组件形成于其内或于其上。一种形成层状结构之方法概略包括选择性黏着一第一基板至一第二基板。

公开(公告)号：TWI530392B

公开(公告)日：2016-04-21

申请号：TW101113183

申请日：2012-04-13

Applicant: 東洋紡績股份有限公司 ,  TOYO BOSEKI KABUSHIKI KAISHA

Inventor： 玉田政宏 ,  TAMADA, MASAHIRO ,  土屋俊之 ,  TSUCHIYA, TOSHIYUKI ,  奧山哲雄 ,  OKUYAMA, TETSUO ,  應矢量之 ,  OUYA, KAZUYUKI ,  前田鄉司 ,  MAEDA, SATOSHI

IPC: B32B27/06 ,  B32B27/18 ,  B32B37/06

CPC classification number: B29C33/3842 ,  B29C39/02 ,  B32B38/0008 ,  B32B38/10 ,  B32B2379/08 ,  B81C1/0038 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L27/1218 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03925 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

公开(公告)号：TW201432819A

公开(公告)日：2014-08-16

申请号：TW102145770

申请日：2013-12-12

Applicant: 飛思卡爾半導體公司 ,  FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC.

Inventor： 蒙提茲 魯邦B ,  MONTEZ, RUBEN B. ,  史黛莫 羅伯F ,  STEIMLE, ROBERT F.

IPC: H01L21/324

CPC classification number: B81B3/0005 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0181 ,  B81B2203/06 ,  B81C1/0038 ,  B81C1/00952 ,  B81C2201/0169 ,  B81C2201/112 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0871 ,  G01P2015/0874

Abstract: 本發明提供用於藉由減少在製作期間可累積於多晶矽表面上之基於TEOS之氧化矽膜之碳之一量而降低一MEMS裝置中之靜摩擦力之一機制。一碳障壁材料膜(510、520)沈積於一MEMS裝置中之一或多個多晶矽層(210、230)與基於TEOS之氧化矽層(220)之間。此障壁材料阻擋碳擴散至該多晶矽中，藉此降低該等多晶矽表面上之碳累積。藉由降低該碳累積，同樣地降低由於該碳之存在所致之靜摩擦力之機會。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供用于借由减少在制作期间可累积于多晶硅表面上之基于TEOS之氧化硅膜之碳之一量而降低一MEMS设备中之静摩擦力之一机制。一碳障壁材料膜(510、520)沉积于一MEMS设备中之一或多个多晶硅层(210、230)与基于TEOS之氧化硅层(220)之间。此障壁材料阻挡碳扩散至该多晶硅中，借此降低该等多晶硅表面上之碳累积。借由降低该碳累积，同样地降低由于该碳之存在所致之静摩擦力之机会。

公开(公告)号：TW201413800A

公开(公告)日：2014-04-01

申请号：TW102129766

申请日：2013-08-20

Applicant: 羅伯特博斯奇股份有限公司 ,  ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： 菲 安道 ,  FEYH, ANDO

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/324

CPC classification number: B81B3/0027 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00166 ,  B81C1/0038 ,  G01L9/0045 ,  G01L9/0073

Abstract: 一種用於形成一感測器裝置的系統及方法包括：界定一平面內電極於一矽基絕緣體(SOI)晶圓上的一裝置層中，形成一平面外電極於被設置在該裝置層之一上表面上方的一矽蓋罩層中，沉積一矽化物形成金屬於該矽蓋罩層的一頂部表面上，及將該被沉積的矽化物形成金屬退火，以形成一在該矽蓋罩層中的矽化物部分。

Abstract in simplified Chinese: 一种用于形成一传感器设备的系统及方法包括：界定一平面内电极于一硅基绝缘体(SOI)晶圆上的一设备层中，形成一平面外电极于被设置在该设备层之一上表面上方的一硅盖罩层中，沉积一硅化物形成金属于该硅盖罩层的一顶部表面上，及将该被沉积的硅化物形成金属退火，以形成一在该硅盖罩层中的硅化物部分。

公开(公告)号：TWI288115B

公开(公告)日：2007-10-11

申请号：TW094112390

申请日：2005-04-19

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 柏竟衡 PO, CHING HENG ,  王升平 WANG, SHEN PING ,  陳加强 CHEN, CHIA CHIANG

IPC: B81B

CPC classification number: B81C1/0038 ,  B81C2201/0109

Abstract: 本發明提供一種形成微機械結構的方法。提供至少一微機械結構層於一基底上。微機械結構層係由一下犧牲矽層與一上犧牲矽層所支撐，其中上、下犧牲矽層之間形成有一金屬矽化層，用以增加上、下犧牲矽層之間的界面附著力。之後，去除上、下犧牲矽層以及金屬矽化層而放開微機械結構層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种形成微机械结构的方法。提供至少一微机械结构层于一基底上。微机械结构层系由一下牺牲硅层与一上牺牲硅层所支撑，其中上、下牺牲硅层之间形成有一金属硅化层，用以增加上、下牺牲硅层之间的界面附着力。之后，去除上、下牺牲硅层以及金属硅化层而放开微机械结构层。

公开(公告)号：TWI506694B

公开(公告)日：2015-11-01

申请号：TW102140628

申请日：2013-11-08

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 吳汀淏 ,  WU, TING HAU ,  張貴松 ,  CHANG, KUEI SUNG

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: B81C1/00531 ,  B81B3/0018 ,  B81C1/00357 ,  B81C1/0038 ,  B81C1/00595 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/0112 ,  H01L21/3065 ,  H01L41/332

公开(公告)号：TW201419410A

公开(公告)日：2014-05-16

申请号：TW102140628

申请日：2013-11-08

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 吳汀淏 ,  WU, TING HAU ,  張貴松 ,  CHANG, KUEI SUNG

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: B81C1/00531 ,  B81B3/0018 ,  B81C1/00357 ,  B81C1/0038 ,  B81C1/00595 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/0112 ,  H01L21/3065 ,  H01L41/332

Abstract: 本發明為一半導體裝置及其製造方法，其於懸浮體下形成保護區。保護區使得主體矽之深反應離子蝕刻可進行，以形成微機電系統(MEMS)裝置，而不會遇到深反應離子蝕刻之過蝕刻期間，氧化物回濺造成矽損傷之各種問題。

Abstract in simplified Chinese: 本发明为一半导体设备及其制造方法，其于悬浮体下形成保护区。保护区使得主体硅之深反应离子蚀刻可进行，以形成微机电系统(MEMS)设备，而不会遇到深反应离子蚀刻之过蚀刻期间，氧化物回溅造成硅损伤之各种问题。

公开(公告)号：TW201418305A

公开(公告)日：2014-05-16

申请号：TW102122625

申请日：2013-06-26

Applicant: 拜耳材料科學股份有限公司 ,  BAYER MATERIALSCIENCE AG

Inventor： 瓦格納 約阿希姆 ,  WAGNER, JOACHIM ,  克勞斯 詹斯 ,  KRAUSE, JENS ,  侯尼爾 丹尼斯 ,  HOENEL, DENNIS

IPC: C08G18/42 ,  C08J5/18 ,  H01L41/193 ,  H01L41/45

CPC classification number: B81C1/0038 ,  B29C39/003 ,  B29K2075/00 ,  B29K2995/0006 ,  B29L2007/008 ,  B32B27/40 ,  B32B2250/03 ,  B32B2307/204 ,  B32B2457/00 ,  B81B3/0021 ,  C08G18/4211 ,  C08G18/44 ,  C08G18/7831 ,  C08J5/18 ,  C08J2375/04 ,  H01B3/302 ,  H01L41/193 ,  H01L41/45 ,  Y10T29/43 ,  Y10T428/31551

Abstract: 本發明關於一種製造介電聚胺基甲酸酯膜之方法，其中連續地進行至少下述步驟：I)製造一混合物包含：a)一含有異氰酸酯基且具有異氰酸酯基含量為＞10重量%及≦50重量%之化合物，b)一含有異氰酸酯-反應基且具有OH數為≧20及≦150之化合物，至少一種具有在20℃蒸汽壓為＞0.1 mbar及＜200 mbar之溶劑，至少一種潤濕添加劑，其中在該化合物a)及b)中該異氰酸酯基與異氰酸酯-反應基之數目平均官能度總和為≧2.6及≦6，II)在製造該混合物後，立即將該混合物以濕膜形式施塗至一載體，III)將該濕膜固化以形成該聚胺基甲酸酯膜，及IV)將該聚胺基甲酸酯膜從該載體分離。本發明另提供一種可根據本發明獲得的介電聚胺基甲酸酯膜，一種製造機電轉換器之方法，及一種可由該方法獲得的機電轉換器。

Abstract in simplified Chinese: 本发明关于一种制造介电聚胺基甲酸酯膜之方法，其中连续地进行至少下述步骤：I)制造一混合物包含：a)一含有异氰酸酯基且具有异氰酸酯基含量为＞10重量%及≦50重量%之化合物，b)一含有异氰酸酯-反应基且具有OH数为≧20及≦150之化合物，至少一种具有在20℃蒸汽压为＞0.1 mbar及＜200 mbar之溶剂，至少一种润湿添加剂，其中在该化合物a)及b)中该异氰酸酯基与异氰酸酯-反应基之数目平均官能度总和为≧2.6及≦6，II)在制造该混合物后，立即将该混合物以湿膜形式施涂至一载体，III)将该湿膜固化以形成该聚胺基甲酸酯膜，及IV)将该聚胺基甲酸酯膜从该载体分离。本发明另提供一种可根据本发明获得的介电聚胺基甲酸酯膜，一种制造机电转换器之方法，及一种可由该方法获得的机电转换器。