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公开(公告)号：TWI610406B
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW105102539
申请日：2016-01-27
申请人： 精材科技股份有限公司 , XINTEC INC.
发明人： 溫英男 , WEN, YING NAN , 姚皓然 , YIU, HO YIN , 劉建宏 , LIU, CHIEN HUNG
CPC分类号： B81C1/00293 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242
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公开(公告)号：TW201731760A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW106101099
申请日：2017-01-13
申请人： 羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人： 布萊林 阿奇美 , BREITLING, ACHIM , 萊賢巴哈 法蘭克 , REICHENBACH, FRANK , 蘭穆斯 猶根 , REINMUTH, JOCHEN , 雅木托 尤莉亞 , AMTHOR, JULIA
CPC分类号： B81B7/0041 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2203/0315 , B81B2207/056 , B81B2207/09 , B81C1/00293 , B81C2203/0109 , B81C2203/0118 , B81C2203/0145 , B81C2203/019 , B81C2203/035
摘要： 本發明提出一種用於產生具有一基板且具有一蓋之一微機械組件之方法，該蓋連接至該基板且與該基板圍封一第一腔體，存在一第一壓力且具有一第一化學成分之一第一氣體混合物被圍封於該第一腔體中，其中該蓋與該基板圍封一第二腔體，存在一第二壓力且具有一第二化學成分之一第二氣體混合物被圍封於該第二腔體中，其中在一第一方法步驟中，將該第一腔體連接至該微機械組件之一周圍空間之一接取開口係形成於該基板或該蓋中，其中在一第二方法步驟中，該第一壓力及/或該第一化學成分設定於該第一腔體中，其中在一第三方法步驟中，藉由一雷射的輔助將能量或熱引入至該基板或該蓋之一吸收性部分中而封閉該接取開口，其中在一第四方法步驟中，形成經配置實質上介於該第一腔體與該第二腔體之間且意欲用於排出至少該第一氣體混合物之一第一類型之粒子及/或排出至少該第二氣體混合物之一第二類型之粒子的一凹部。
简体摘要： 本发明提出一种用于产生具有一基板且具有一盖之一微机械组件之方法，该盖连接至该基板且与该基板围封一第一腔体，存在一第一压力且具有一第一化学成分之一第一气体混合物被围封于该第一腔体中，其中该盖与该基板围封一第二腔体，存在一第二压力且具有一第二化学成分之一第二气体混合物被围封于该第二腔体中，其中在一第一方法步骤中，将该第一腔体连接至该微机械组件之一周围空间之一接取开口系形成于该基板或该盖中，其中在一第二方法步骤中，该第一压力及/或该第一化学成分设置于该第一腔体中，其中在一第三方法步骤中，借由一激光的辅助将能量或热引入至该基板或该盖之一吸收性部分中而封闭该接取开口，其中在一第四方法步骤中，形成经配置实质上介于该第一腔体与该第二腔体之间且意欲用于排出至少该第一气体混合物之一第一类型之粒子及/或排出至少该第二气体混合物之一第二类型之粒子的一凹部。
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公开(公告)号：TW201730094A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW106101097
申请日：2017-01-13
申请人： 羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人： 布萊林 阿奇美 , BREITLING, ACHIM , 萊賢巴哈 法蘭克 , REICHENBACH, FRANK , 蘭穆斯 猶根 , REINMUTH, JOCHEN , 雅木托 尤莉亞 , AMTHOR, JULIA
IPC分类号： B81C1/00 , G01C19/5733 , G01C19/5769 , G01P15/08
CPC分类号： B81B7/0038 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2203/0315 , B81C1/00285 , B81C1/00293 , B81C2201/0177 , B81C2203/0145
摘要： 茲提出一種用於製造微機械裝置方法，該微機械裝置具有基板並且具有蓋體，該蓋體被連接到該基板並且與該基板封住第一空腔，第一壓力存在於該第一空腔中，且具有第一化學組成的第一氣體混合物被封入於第一空腔中，其中在第一方法步驟中，進出開口形成於該基板或該蓋體中，進出開口係將該第一空腔連接到微機械裝置的周圍空間，其中在第二方法步驟中，該第一壓力及/或該第一化學組成設置在該第一空腔，其中在第三方法步驟中，藉由雷射的輔助而引入能量或熱量到該基板或該蓋體的吸收部分以密封該進出開口，其中在第四方法步驟中，將第一結晶層或第一非晶層或第一奈米結晶層或第一多晶層沉積或生長在該基板或蓋體的表面，其中在第五方法步驟中，用於接收該第一結晶層或該第一非晶層或該第一奈米結晶層或該第一多晶層之凹部係被引入到該基板或到該蓋體內。
简体摘要： 兹提出一种用于制造微机械设备方法，该微机械设备具有基板并且具有盖体，该盖体被连接到该基板并且与该基板封住第一空腔，第一压力存在于该第一空腔中，且具有第一化学组成的第一气体混合物被封入于第一空腔中，其中在第一方法步骤中，进出开口形成于该基板或该盖体中，进出开口系将该第一空腔连接到微机械设备的周围空间，其中在第二方法步骤中，该第一压力及/或该第一化学组成设置在该第一空腔，其中在第三方法步骤中，借由激光的辅助而引入能量或热量到该基板或该盖体的吸收部分以密封该进出开口，其中在第四方法步骤中，将第一结晶层或第一非晶层或第一奈米结晶层或第一多晶层沉积或生长在该基板或盖体的表面，其中在第五方法步骤中，用于接收该第一结晶层或该第一非晶层或该第一奈米结晶层或该第一多晶层之凹部系被引入到该基板或到该盖体内。
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公开(公告)号：TW201728905A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105103639
申请日：2016-02-03
申请人： 智動全球股份有限公司 , GLOBALMEMS CO., LTD.
发明人： 張俊羿 , CHANG, CHUN-I , 吳名清 , WU, MING-CHING
IPC分类号： G01P15/12
CPC分类号： G01P15/123 , B81B2201/0235 , B81B2203/0118 , B81B2203/0181 , G01P15/0802 , G01P15/18 , G01P2015/0828 , G01P2015/0831
摘要： 一種加速度計，包括一基座、兩彈性部及兩質量塊。基座包括一支撐部。各彈性部連接於支撐部。支撐部位於兩質量塊之間，兩質量塊分別連接於兩彈性部，基座僅藉由支撐部支撐兩彈性部及兩質量塊。兩質量塊適於產生運動而使兩彈性部產生彈性變形。
简体摘要： 一种加速度计，包括一基座、两弹性部及两质量块。基座包括一支撑部。各弹性部连接于支撑部。支撑部位于两质量块之间，两质量块分别连接于两弹性部，基座仅借由支撑部支撑两弹性部及两质量块。两质量块适于产生运动而使两弹性部产生弹性变形。
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公开(公告)号：TW201727780A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105129162
申请日：2016-09-08
发明人： 程世偉 , CHENG, SHYH WEI , 許希丞 , HSU, HSI CHENG , 陳信宇 , CHEN, HSIN YU , 蔣季宏 , CHIANG, JI HONG , 翁睿均 , WENG, JUI CHUN , 吳威鼎 , WU, WEI DING , 吳毓瑞 , WU, YU JUI , 胡景翔 , HU, CHING HSIANG , 陳明聰 , CHEN, MING TSUNG
CPC分类号： B81C1/00285 , B81B7/0038 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81C2203/0118 , B81C2203/0792
摘要： 本揭露是關於一種微機電系統封裝之製造方法，藉由將排氣元件引入空腔中，透過排氣以調整空腔內的壓力。於部分實施例中，形成排氣元件於互補式金屬氧化物半導體基板之鈍化層內。形成排氣阻層以覆蓋排氣元件。移除覆蓋在排氣元件上方之排氣阻層。連接微機電系統基板至互補式金屬氧化物半導體基板之前側，以將第一微機電系統元件封閉至第一空腔中，並將第二微機電系統元件封閉至第二空腔中，其中在移除排氣阻層後，排氣元件釋放氣體至第二空腔內以增加第二空腔內之第二壓力，使第二壓力大於第一空腔內之第一壓力。
简体摘要： 本揭露是关于一种微机电系统封装之制造方法，借由将排气组件引入空腔中，透过排气以调整空腔内的压力。于部分实施例中，形成排气组件于互补式金属氧化物半导体基板之钝化层内。形成排气阻层以覆盖排气组件。移除覆盖在排气组件上方之排气阻层。连接微机电系统基板至互补式金属氧化物半导体基板之前侧，以将第一微机电系统组件封闭至第一空腔中，并将第二微机电系统组件封闭至第二空腔中，其中在移除排气阻层后，排气组件释放气体至第二空腔内以增加第二空腔内之第二压力，使第二压力大于第一空腔内之第一压力。
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公开(公告)号：TW201726539A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105134370
申请日：2016-10-25
发明人： 張凱峯 , CHANG, KAI-FUNG , 呂聯沂 , LEU, LEN-YI , 蔡連堯 , TSAI, LIEN-YAO
CPC分类号： B81C1/00158 , B81B3/0021 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2207/09 , B81C2203/0109 , B81C2203/0172 , G01L9/0042 , G01L9/0073 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L2224/80805 , H01L2224/81805
摘要： 一種微機電系統裝置及其形成方法被提出。圖案化一第一基板的一介電層以暴露出多個導電特徵與一貫穿介電層的底部層。一第二基板的一第一表面接合至介電層，且圖案化第二基板以形成一薄膜與一可動件。一封蓋用晶圓接合至第二基板，其中接合封蓋用晶圓至第二基板形成一包括可動件的第一密封腔體與一部分界限由薄膜來界定的第二密封腔體。封蓋用晶圓的部分被移除以暴露第二密封腔體至環境壓力。
简体摘要： 一种微机电系统设备及其形成方法被提出。图案化一第一基板的一介电层以暴露出多个导电特征与一贯穿介电层的底部层。一第二基板的一第一表面接合至介电层，且图案化第二基板以形成一薄膜与一可动件。一封盖用晶圆接合至第二基板，其中接合封盖用晶圆至第二基板形成一包括可动件的第一密封腔体与一部分界限由薄膜来界定的第二密封腔体。封盖用晶圆的部分被移除以暴露第二密封腔体至环境压力。
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公开(公告)号：TW201722840A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105128381
申请日：2016-09-02
发明人： 周正三 , CHOU, CHENG SAN , 林志旻 , LIN, CHIN MIN , 楊辰雄 , YANG, CHEN HSIUNG
IPC分类号： B81B7/02 , G01C19/5733 , G01C19/5769 , G01P15/08 , H01L21/768 , H01L43/00
CPC分类号： H01L43/12 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/07 , B81C2201/019 , H01L43/08
摘要： 本發明實施例揭露一種半導體結構，其包含：一第一基板；一第二基板；一第一感測結構，其位於該第一基板上方且介於該第一基板與該第二基板之間；一通路，其延伸穿過該第二基板；及一第二感測結構，其位於該第二基板上方且包含與該通路電連接之一互連結構及至少部分覆蓋該互連結構之一感測材料。
简体摘要： 本发明实施例揭露一种半导体结构，其包含：一第一基板；一第二基板；一第一传感结构，其位于该第一基板上方且介于该第一基板与该第二基板之间；一通路，其延伸穿过该第二基板；及一第二传感结构，其位于该第二基板上方且包含与该通路电连接之一互链接构及至少部分覆盖该互链接构之一传感材料。
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公开(公告)号：TWI585944B
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW103120535
申请日：2014-06-13
申请人： 英特爾IP公司 , INTEL IP CORPORATION
发明人： 歐弗納 吉拉德 , OFNER, GERALD , 梅耶爾 特羅斯登 , MEYER, THORSTEN , 曼科普夫 倫哈德 , MAHNKOPF, REINHARD , 吉瑟勒 克里斯坦 , GEISSLER, CHRISTIAN , 奧古斯汀 安卓斯 , AUGUSTIN, ANDREAS
IPC分类号： H01L25/18
CPC分类号： B81C1/00238 , B81B7/008 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/025 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2201/0271 , B81B2201/10 , B81B2207/012 , B81B2207/053 , B81B2207/07 , B81B2207/096 , B81C1/0023 , B81C2203/0792 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014
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公开(公告)号：TW201712811A
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW105115534
申请日：2016-05-19
申请人： 英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 陳 漢威 , THEN, HAN WUI , 達斯古塔 山薩塔克 , DASGUPTA, SANSAPTAK , 珈納 薩納斯 , GARDNER, SANAZ K. , 皮拉瑞斯提 拉維 , PILLARISETTY, RAVI , 拉多撒福傑維克 馬可 , RADOSAVLJEVIC, MARKO , 成承訓 , SUNG, SEUNG HOON , 喬 羅伯特 , CHAU, ROBERT S.
IPC分类号： H01L21/8258 , H01L29/20 , B81B7/00
CPC分类号： B81C1/00246 , B81B3/0021 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , G01L1/18
摘要： 本案所揭露的是用以在例如矽、矽鍺、或鍺基板的IV族基板上形成III族材料-氮化物(III-N)微電機系統(MEMS)結構的技術。在一些情況下，該等技術包含在該基板及選用地在淺溝渠隔離(STI)材料上形成III-N層，然後，藉由蝕刻釋放該III-N層，以形成懸空在該基板上的III-N層的自由部份。該技術例如可以包含使用濕式蝕刻製程，其選擇地蝕刻基板及/或STI材料，但並不蝕刻該III-N材料(或以相當緩慢速率蝕刻該III-N材料)。壓阻元件可以被形成在該III-N層上，以例如檢測該III-N層的自由/懸空部份的振動或偏轉。因此，MEMS感應器可以使用這些技術形成，例如加速計、陀螺儀、及壓力感應器。
简体摘要： 本案所揭露的是用以在例如硅、硅锗、或锗基板的IV族基板上形成III族材料-氮化物(III-N)微电机系统(MEMS)结构的技术。在一些情况下，该等技术包含在该基板及选用地在浅沟渠隔离(STI)材料上形成III-N层，然后，借由蚀刻释放该III-N层，以形成悬空在该基板上的III-N层的自由部份。该技术例如可以包含使用湿式蚀刻制程，其选择地蚀刻基板及/或STI材料，但并不蚀刻该III-N材料(或以相当缓慢速率蚀刻该III-N材料)。压阻组件可以被形成在该III-N层上，以例如检测该III-N层的自由/悬空部份的振动或偏转。因此，MEMS感应器可以使用这些技术形成，例如加速计、陀螺仪、及压力感应器。
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公开(公告)号：TW201712342A
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW105115787
申请日：2016-05-20
发明人： 華特斯 理查 , WATERS, RICHARD L. , 福瑞力克 馬克 , FRALICK, MARK , 泰利 查爾斯四世 , TALLY, IV, CHARLES HAROLD , 賈克斯 約翰 , JACOBS, JOHN D.
CPC分类号： G01P15/0802 , B81B2201/0235 , B81B2203/051 , G01C19/04 , G01D5/2415 , G01P15/093 , G01P15/097 , G01P15/125 , G01P15/13 , G01P21/00 , G01P2015/0814 , G01P2015/0865
摘要： 於此說明用以從非線性週期訊號擷取慣性資訊的系統與方法。系統可包括經組構以進行以下所列者之電路：從回應驗證質量之運動的第一感測器接收第一週期類比訊號；將該第一週期類比訊號轉換成第一週期數位訊號；決定對量應用三角函數的結果，該量係基於該第一週期數位訊號；及基於該結果來決定該慣性參數。該三角函數可為反三角函數。
简体摘要： 于此说明用以从非线性周期信号截取惯性信息的系统与方法。系统可包括经组构以进行以下所列者之电路：从回应验证质量之运动的第一传感器接收第一周期模拟信号；将该第一周期模拟信号转换成第一周期数码信号；决定对量应用三角函数的结果，该量系基于该第一周期数码信号；及基于该结果来决定该惯性参数。该三角函数可为反三角函数。
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