一種電子束加工系統
    2.
    发明专利
    一種電子束加工系統 审中-公开
    一种电子束加工系统

    公开(公告)号:TW201743366A

    公开(公告)日:2017-12-16

    申请号:TW105120229

    申请日:2016-06-27

    IPC分类号: H01J37/317

    摘要: 本發明涉及一種電子束加工系統,其包括:一真空裝置;一設置於所述真空裝置內的電子槍,所述電子槍用於發射電子束;一設置於所述真空裝置內的載物裝置,所述載物裝置用於承載待加工件;以及一控制電腦,所述控制電腦用於控制整個電子束加工系統的工作;其中,進一步包括一設置於所述真空裝置內的繞射裝置;所述繞射裝置包括一二維奈米材料;所述電子槍發射的電子束先透過該二維奈米材料後形成一透射電子束和複數個繞射電子束,所述透射電子束和複數個繞射電子束照射在該待加工件表面形成一透射斑點和複數個繞射斑點。本發明提供的電子束加工系統通過電子束繞射裝置將一個電子束繞射成複數個電子束,既成本低廉又提高了工作效率。

    简体摘要: 本发明涉及一种电子束加工系统,其包括:一真空设备;一设置于所述真空设备内的电子枪,所述电子枪用于发射电子束;一设置于所述真空设备内的载物设备,所述载物设备用于承载待加工件;以及一控制电脑,所述控制电脑用于控制整个电子束加工系统的工作;其中,进一步包括一设置于所述真空设备内的绕射设备;所述绕射设备包括一二维奈米材料;所述电子枪发射的电子束先透过该二维奈米材料后形成一透射电子束和复数个绕射电子束,所述透射电子束和复数个绕射电子束照射在该待加工件表面形成一透射斑点和复数个绕射斑点。本发明提供的电子束加工系统通过电子束绕射设备将一个电子束绕射成复数个电子束,既成本低廉又提高了工作效率。

    合成石墨烯量子點之方法
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    发明专利
    合成石墨烯量子點之方法 审中-公开
    合成石墨烯量子点之方法

    公开(公告)号:TW201625483A

    公开(公告)日:2016-07-16

    申请号:TW104100497

    申请日:2015-01-08

    IPC分类号: C01B31/04

    摘要: 本發明揭露一種合成石墨烯量子點之方法,在室溫條件下,將石墨烯水溶液或氧化石墨烯水溶液經由旋轉塗佈機旋轉,並以一脈衝雷射聚焦於旋轉中的石墨烯水溶液或氧化石墨烯水溶液,石墨烯水溶液或氧化石墨烯水溶液因脈衝雷射均勻照射而同時產生裂解,一段時間後,於石墨烯水溶液或氧化石墨烯水溶液中產生量子點,由於石墨烯水溶液或氧化石墨烯水溶液並未包含有機化學藥劑,故藉由本發明之合成石墨烯量子點之方法既可製作出量子點,同時也可達到環保無汙染、製程簡易、低成本及縮短合成時間之目的。

    简体摘要: 本发明揭露一种合成石墨烯量子点之方法,在室温条件下,将石墨烯水溶液或氧化石墨烯水溶液经由旋转涂布机旋转,并以一脉冲激光聚焦于旋转中的石墨烯水溶液或氧化石墨烯水溶液,石墨烯水溶液或氧化石墨烯水溶液因脉冲激光均匀照射而同时产生裂解,一段时间后,于石墨烯水溶液或氧化石墨烯水溶液中产生量子点,由于石墨烯水溶液或氧化石墨烯水溶液并未包含有机化学药剂,故借由本发明之合成石墨烯量子点之方法既可制作出量子点,同时也可达到环保无污染、制程简易、低成本及缩短合成时间之目的。

    石墨烯奈米窄帶的製備方法
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    发明专利
    石墨烯奈米窄帶的製備方法 审中-公开
    石墨烯奈米窄带的制备方法

    公开(公告)号:TW201341307A

    公开(公告)日:2013-10-16

    申请号:TW101112927

    申请日:2012-04-12

    IPC分类号: C01B31/04 B82B3/00

    摘要: 本發明涉及一種石墨烯奈米窄帶的製備方法,包括以下步驟:提供一基底,設置一石墨烯膜於該基底的上表面,間隔設置兩個相互平行的條形電極於該石墨烯膜遠離基底的表面,且與該石墨烯膜電接觸;提供一奈米碳管拉膜結構,覆蓋於該石墨烯膜遠離基底的表面,該奈米碳管拉膜結構與所述兩個條形電極電絕緣;利用電子束轟擊的方法去除所述奈米碳管拉膜結構下方的部分石墨烯膜,獲得多個定向排列的石墨烯奈米窄帶;以及利用超聲處理的方法,將奈米碳管拉膜結構與獲得的石墨烯奈米窄帶分離。

    简体摘要: 本发明涉及一种石墨烯奈米窄带的制备方法,包括以下步骤:提供一基底,设置一石墨烯膜于该基底的上表面,间隔设置两个相互平行的条形电极于该石墨烯膜远离基底的表面,且与该石墨烯膜电接触;提供一奈米碳管拉膜结构,覆盖于该石墨烯膜远离基底的表面,该奈米碳管拉膜结构与所述两个条形电极电绝缘;利用电子束轰击的方法去除所述奈米碳管拉膜结构下方的部分石墨烯膜,获得多个定向排列的石墨烯奈米窄带;以及利用超声处理的方法,将奈米碳管拉膜结构与获得的石墨烯奈米窄带分离。

    石墨烯膜之轉印方法及透明導電膜之製造方法
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    发明专利
    石墨烯膜之轉印方法及透明導電膜之製造方法 审中-公开
    石墨烯膜之转印方法及透明导电膜之制造方法

    公开(公告)号:TW201244927A

    公开(公告)日:2012-11-16

    申请号:TW100143368

    申请日:2011-11-25

    IPC分类号: B32B

    摘要: 本發明之課題在於提供一種能夠以良好的密著性將石墨烯膜轉印至所期望的基板上,並可有效地防止石墨烯膜產生缺陷,並且量產性亦佳之石墨烯膜之轉印方法及透明導電膜之製造方法。本發明之解決手段如下:藉由揮發成分的含量未達1重量%且具有黏著性之樹脂層(13),將形成於第1基板(11)上之一層或複數層石墨烯膜(12)與第2基板(14)貼合,將第1基板(11)與第2基板(14)加壓以減少樹脂層(13)的厚度,使樹脂層(13)硬化後去除第1基板(11)。

    简体摘要: 本发明之课题在于提供一种能够以良好的密着性将石墨烯膜转印至所期望的基板上,并可有效地防止石墨烯膜产生缺陷,并且量产性亦佳之石墨烯膜之转印方法及透明导电膜之制造方法。本发明之解决手段如下:借由挥发成分的含量未达1重量%且具有黏着性之树脂层(13),将形成于第1基板(11)上之一层或复数层石墨烯膜(12)与第2基板(14)贴合,将第1基板(11)与第2基板(14)加压以减少树脂层(13)的厚度,使树脂层(13)硬化后去除第1基板(11)。