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公开(公告)号:TW201614871A
公开(公告)日:2016-04-16
申请号:TW104130669
申请日:2015-09-16
Applicant: 日亞化學工業股份有限公司 , NICHIA CORPORATION
Inventor: 川野憲二 , KAWANO, KENJI , 山本敦司 , YAMAMOTO, ATSUSHI
IPC: H01L23/34 , H01L23/367
CPC classification number: H01L33/504 , C09K11/025 , C09K11/62 , C09K11/663 , C09K11/883 , G02B6/0073 , G02F1/133514 , G02F1/133528 , G02F1/133617 , G02F2001/133614 , H01L33/507
Abstract: 本發明係一種發光裝置,其特徵在於包含:發光元件,其發出藍色光;量子點,其吸收上述發光元件發出之藍色光之一部分,並發出綠色光;以及KSF螢光體及MGF螢光體之至少一者,其中上述KSF螢光體之組成以下述通式(1)表示,吸收上述發光元件發出之藍色光之一部分並發出紅色光,上述MGF螢光體之組成以下述通式(2)表示,吸收上述發光元件發出之藍色光之一部分並發出紅色光。 A2[M1-aMn4+aF6] (1) (x-a)MgO‧(a/2)Sc2O3‧yMgF2‧cCaF2‧(1-b)GeO2‧(b/2)Mt2O3:zMn4+ (2)
Abstract in simplified Chinese: 本发明系一种发光设备,其特征在于包含:发光组件,其发出蓝色光;量子点,其吸收上述发光组件发出之蓝色光之一部分,并发出绿色光;以及KSF萤光体及MGF萤光体之至少一者,其中上述KSF萤光体之组成以下述通式(1)表示,吸收上述发光组件发出之蓝色光之一部分并发出红色光,上述MGF萤光体之组成以下述通式(2)表示,吸收上述发光组件发出之蓝色光之一部分并发出红色光。 A2[M1-aMn4+aF6] (1) (x-a)MgO‧(a/2)Sc2O3‧yMgF2‧cCaF2‧(1-b)GeO2‧(b/2)Mt2O3:zMn4+ (2)
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公开(公告)号:TW201219716A
公开(公告)日:2012-05-16
申请号:TW100122613
申请日:2011-06-28
CPC classification number: F21V9/16 , C09K11/663 , C09K11/7734 , C09K11/7739 , C09K11/7789 , F21K9/232 , F21K9/64 , F21V3/06 , F21V9/30 , F21Y2115/10 , Y02B20/181
Abstract: 實施形態的LED燈泡(1)係具備LED模組(2)、設置有LED模組(2)的基體部(3)、安裝於基體部(3)的燈罩(4)。LED模組(2)係具備安裝於基板(7)上之紫外線乃至紫色發光的LED晶片(8)。於基體部(3)係設置有點燈電路與套罩(6)。於燈罩(4)的內面係設置有吸收從LED晶片射出之紫外線乃至紫色光而發出白色光的螢光膜(9)。螢光膜(9)係具有80~800μm之範圍的膜厚。LED燈泡(1)係將從燈罩(4)漏出之紫外線量設為0.1mW/nm/lm以下。
Abstract in simplified Chinese: 实施形态的LED灯泡(1)系具备LED模块(2)、设置有LED模块(2)的基体部(3)、安装于基体部(3)的灯罩(4)。LED模块(2)系具备安装于基板(7)上之紫外线乃至紫色发光的LED芯片(8)。于基体部(3)系设置有点灯电路与套罩(6)。于灯罩(4)的内面系设置有吸收从LED芯片射出之紫外线乃至紫色光而发出白色光的萤光膜(9)。萤光膜(9)系具有80~800μm之范围的膜厚。LED灯泡(1)系将从灯罩(4)漏出之紫外线量设为0.1mW/nm/lm以下。
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3.高紅色光飽和度Mn(IV)摻雜之螢光材料及其製法 HIGHLY SATURATED RED-EMITTING Mn(IV) ACTIVATED PHOSPHORS AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 有权
Simplified title: 高红色光饱和度Mn(IV)掺杂之萤光材料及其制法 HIGHLY SATURATED RED-EMITTING Mn(IV) ACTIVATED PHOSPHORS AND METHOD OF FABRICATING THE SAME公开(公告)号:TWI306676B
公开(公告)日:2009-02-21
申请号:TW095133622
申请日:2006-09-12
Applicant: 國立交通大學 NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY
Inventor: 陳登銘 CHEN, TENG-MING , 羅巨澤 LUO, JUIH-TZER
CPC classification number: C09K11/7701 , C09K11/643 , C09K11/661 , C09K11/663 , C09K11/671 , C09K11/672 , H01L33/502
Abstract: 本發明係提供一種發光裝置,其係包含一半導體光源,該半導體光源之發光波長係介於250nm~500nm;以及一系列螢光材料組成物,該螢光材料組成物會受該半導體光源所發出的光而激發;其中該螢光組成物係可選自於Mg14(Ge(5-a)Mna)O24、Sr(Ge(4-b)Mnb)O9、Mg2(Ti(1-c)Mn c)O4、Zn2(Ti(1-d)Mn d)O4、SrMg(Al(10-e)Mne)O17、Y3(Ga(5-f)Mn f)O12等化學式所組成之群組中其中之一。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一种发光设备,其系包含一半导体光源,该半导体光源之发光波长系介于250nm~500nm;以及一系列萤光材料组成物,该萤光材料组成物会受该半导体光源所发出的光而激发;其中该萤光组成物系可选自于Mg14(Ge(5-a)Mna)O24、Sr(Ge(4-b)Mnb)O9、Mg2(Ti(1-c)Mn c)O4、Zn2(Ti(1-d)Mn d)O4、SrMg(Al(10-e)Mne)O17、Y3(Ga(5-f)Mn f)O12等化学式所组成之群组中其中之一。
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4.高紅色光飽和度Mn(IV)摻雜之螢光材料及其製法 HIGHLY SATURATED RED-EMITTING MN(IV) ACTIVATED PHOSPHORS AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 审中-公开
Simplified title: 高红色光饱和度Mn(IV)掺杂之萤光材料及其制法 HIGHLY SATURATED RED-EMITTING MN(IV) ACTIVATED PHOSPHORS AND METHOD OF FABRICATING THE SAME公开(公告)号:TW200814359A
公开(公告)日:2008-03-16
申请号:TW095133622
申请日:2006-09-12
Applicant: 國立交通大學 NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY
Inventor: 陳登銘 CHEN, TENG MING , 羅巨澤 LUO, JUIH TZER
CPC classification number: C09K11/7701 , C09K11/643 , C09K11/661 , C09K11/663 , C09K11/671 , C09K11/672 , H01L33/502
Abstract: 本發明係提供一種發光裝置,其係包含一半導體光源,該半導體光源之發光波長係介於250nm~500nm;以及一系列螢光材料組成物,該螢光材料組成物會受該半導體光源所發出的光而激發;其中該螢光組成物係可選自於Mg14(Ge(5-a)Mna)O24、Sr(Ge(4-b)Mnb)O9、Mg2(Ti(1-c)Mn c)O4、Zn2(Ti(1-d)Mn d)O4、SrMg(Al(10-e)Mne
)O17、Y3(Ga(5-f)Mn f)O12等化學式所組成之群組中其中之一。Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一种发光设备,其系包含一半导体光源,该半导体光源之发光波长系介于250nm~500nm;以及一系列萤光材料组成物,该萤光材料组成物会受该半导体光源所发出的光而激发;其中该萤光组成物系可选自于Mg14(Ge(5-a)Mna)O24、Sr(Ge(4-b)Mnb)O9、Mg2(Ti(1-c)Mn c)O4、Zn2(Ti(1-d)Mn d)O4、SrMg(Al(10-e)Mne )O17、Y3(Ga(5-f)Mn f)O12等化学式所组成之群组中其中之一。
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5.製備具有高亮度的磷光體的方法 METHOD FOR PRODUCING PHOSPHOR HAVING A HIGH BRIGHTNESS 审中-公开
Simplified title: 制备具有高亮度的磷光体的方法 METHOD FOR PRODUCING PHOSPHOR HAVING A HIGH BRIGHTNESS公开(公告)号:TW200424287A
公开(公告)日:2004-11-16
申请号:TW093107139
申请日:2004-03-17
Applicant: 住友化學工業股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY LTD.
Inventor: 今成裕一郎 IMANARI, YUICHIRO , 宮崎進 MIYAZAKI, SUSUMU
IPC: C09K
CPC classification number: C09K11/663 , C09K11/595 , C09K11/7734 , C09K11/7735
Abstract: 本發明述及一種製備具有高亮度的磷光體之方法。該製備具有高亮度的磷光體之方法包括下列諸步驟:將含Si及/或Ge的發光性物質與一酸接觸,從該酸分離出固體,及將所得固體乾燥。
Abstract in simplified Chinese: 本发明述及一种制备具有高亮度的磷光体之方法。该制备具有高亮度的磷光体之方法包括下列诸步骤:将含Si及/或Ge的发光性物质与一酸接触,从该酸分离出固体,及将所得固体干燥。
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公开(公告)号:TWI491707B
公开(公告)日:2015-07-11
申请号:TW098106312
申请日:2009-02-27
Applicant: 光材機廠推廣股份有限公司 , LEUCHTSTOFFWERK BREITUNGEN GMBH
Inventor: 段成軍 , DUAN, CHENG-JUN , 辛特珍 荷伯特斯 泰瑞西亞 , HINTZEN, HUBERTUS THERESIA , 羅斯樂 賽克 , ROESLER, SYLKE , 史達里克 德特雷夫 , STARICK, DETLEF
CPC classification number: C09K11/576 , B82Y30/00 , C01G3/006 , C01G9/006 , C01G45/006 , C01P2002/52 , C01P2002/54 , C01P2002/72 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C09K11/663 , C09K11/7421 , C09K11/7703 , Y02B20/181
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公开(公告)号:TWI419353B
公开(公告)日:2013-12-11
申请号:TW095147024
申请日:2006-12-15
Applicant: 首爾半導體股份有限公司 , SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD.
Inventor: 李貞勳 , LEE, CHUNG HOON , 羅夫 岡朵拉 , ROTH, GUNDULA , 涂斯 瓦特 , TEWS, WALTER
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/502 , C09K11/661 , C09K11/663 , C09K11/7734 , C09K11/7792 , H01L25/0753 , H01L27/15 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H05B33/0803 , H05B33/0809 , H05B33/0821 , H05B33/10 , H05B33/14 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
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公开(公告)号:TW200621941A
公开(公告)日:2006-07-01
申请号:TW094129761
申请日:2005-08-30
Inventor: 上田恭太 UEDA, KYOTA , 小廣健司 KOHIRO, KENJI , 土田良彥 TSUCHIDA, YOSHIHIKO
CPC classification number: C09K11/0883 , C09K11/54 , C09K11/55 , C09K11/576 , C09K11/625 , C09K11/643 , C09K11/663 , C09K11/77 , H01L33/502
Abstract: 一種螢光物質,其特徵為此物質包含由式:M^1AM^2bNc所示之化合物組成的基底晶體,其中M^1是至少一個選自Mg、Ca、Sr、Ba及Zn的元素;M^2是至少一個選自A1、Ga及In的元素;且c=(2a/3)+b,0<a且0<b,及至少一個選自稀土金屬、Zn及Mn的元素係作為內含於其中的活化劑。
Abstract in simplified Chinese: 一种萤光物质,其特征为此物质包含由式:M^1AM^2bNc所示之化合物组成的基底晶体,其中M^1是至少一个选自Mg、Ca、Sr、Ba及Zn的元素;M^2是至少一个选自A1、Ga及In的元素;且c=(2a/3)+b,0<a且0<b,及至少一个选自稀土金属、Zn及Mn的元素系作为内含于其中的活化剂。
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公开(公告)号:TWI460376B
公开(公告)日:2014-11-11
申请号:TW100122613
申请日:2011-06-28
Applicant: 東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA , 東芝高新材料公司 , TOSHIBA MATERIALS CO., LTD.
Inventor: 大屋恭正 , OOYA, YASUMASA , 山川昌彥 , YAMAKAWA, MASAHIKO , 白川康博 , SHIRAKAWA, YASUHIRO , 中川勝利 , NAKAGAWA, KATSUTOSHI
IPC: F21V8/00 , F21V9/16 , F21Y101/02
CPC classification number: F21V9/16 , C09K11/663 , C09K11/7734 , C09K11/7739 , C09K11/7789 , F21K9/232 , F21K9/64 , F21V3/06 , F21V9/30 , F21Y2115/10 , Y02B20/181
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公开(公告)号:TW200739950A
公开(公告)日:2007-10-16
申请号:TW095147024
申请日:2006-12-15
Applicant: 首爾半導體股份有限公司 SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD.
Inventor: 李貞勳 LEE, CHUNG HOON , 羅夫 岡朶拉 ROTH, GUNDULA , 涂斯 瓦特 TEWS, WALTER
CPC classification number: H01L33/502 , C09K11/661 , C09K11/663 , C09K11/7734 , C09K11/7792 , H01L25/0753 , H01L27/15 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H05B33/0803 , H05B33/0809 , H05B33/0821 , H05B33/10 , H05B33/14 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本發明關於一種發光元件,包括至少一個發光二極體,其發射在預定波長範圍中之光;以及由稀土元素活化之銅-鹼土金屬基無機混合晶體,其包括銅-鹼土矽酸鹽磷光體。上述磷光體置於上述發光二極體周圍且吸收部分自發光二極體發射之光並發射不同於所吸收光之波長的光。
Abstract in simplified Chinese: 本发明关于一种发光组件,包括至少一个发光二极管,其发射在预定波长范围中之光;以及由稀土元素活化之铜-碱土金属基无机混合晶体,其包括铜-碱土硅酸盐磷光体。上述磷光体置于上述发光二极管周围且吸收部分自发光二极管发射之光并发射不同于所吸收光之波长的光。
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