公开(公告)号：TWI618115B

公开(公告)日：2018-03-11

申请号：TW105109795

申请日：2016-03-29

申请人： 尤金科技有限公司 ,  EUGENE TECHNOLOGY CO., LTD.

发明人： 鄭愚德 ,  JUNG, WOO DUCK ,  諸成泰 ,  JE, SUNG TAE ,  崔圭鎭 ,  CHOI, KYU JIN ,  具滋大 ,  KU, JA DAE ,  金濬 ,  KIM, JUN

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC分类号： C23C16/4405 ,  C23C16/45502 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67063 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67757 ,  H01L21/68792

公开(公告)号：TW201807758A

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：TW106135971

申请日：2014-03-04

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 阿保艾吉 史蒂夫 ,  ABOAGYE, STEVE ,  布里哈特 保羅 ,  BRILLHART, PAUL ,  庫瑪 蘇拉吉特 ,  KUMAR, SURAJIT ,  常 安中 ,  CHANG, ANZHONG ,  古波若 沙堤西 ,  KUPPURAO, SATHEESH ,  薩米爾 梅莫特圖格魯爾 ,  SAMIR, MEHMET TUGRUL ,  卡爾森 大衛K ,  CARLSON, DAVID K.

IPC分类号： H01L21/36 ,  C23C16/54

CPC分类号： C23C16/45502 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/481

摘要： 本文所述的具體實施例是與用於基板處理室的底環組件有關。在一具體實施例中，該底環組件包括一環形主體、一上環件與一下環件，該環形主體的大小係設以容置在該基板處理室的一內圓周內，該環形主體包括一負載口以使基板通過、一氣體入口、以及一氣體出口，其中該氣體入口與該氣體出口係設置在該環形主體的相對端部處，該上環件係配置以設於該環形主體的一上表面上，該下環件係配置以設於該環形主體的一下表面上，其中該上環件、該下環件與該環形主體一旦組裝，即通常呈同心或共軸。

简体摘要： 本文所述的具体实施例是与用于基板处理室的底环组件有关。在一具体实施例中，该底环组件包括一环形主体、一上环件与一下环件，该环形主体的大小系设以容置在该基板处理室的一内圆周内，该环形主体包括一负载口以使基板通过、一气体入口、以及一气体出口，其中该气体入口与该气体出口系设置在该环形主体的相对端部处，该上环件系配置以设于该环形主体的一上表面上，该下环件系配置以设于该环形主体的一下表面上，其中该上环件、该下环件与该环形主体一旦组装，即通常呈同心或共轴。

公开(公告)号：TWI573893B

公开(公告)日：2017-03-11

申请号：TW102110632

申请日：2013-03-26

申请人： 愛思強歐洲公司 ,  AIXTRON SE

发明人： 克呂肯 湯瑪斯 ,  KRUECKEN, THOMAS ,  艾克爾坎普 馬丁 ,  EICKELKAMP, MARTIN ,  舍特卡 伯恩德 ,  SCHOETTKER, BERND

IPC分类号： C23C16/455

CPC分类号： C23C16/4405 ,  C23C16/45502 ,  C30B25/08

公开(公告)号：TWI571529B

公开(公告)日：2017-02-21

申请号：TW104142673

申请日：2015-12-18

申请人： 國立清華大學 ,  NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY

发明人： 彭宗平 ,  PERNG, TSONG PYNG ,  柯志忠 ,  KEI, CHI CHUNG ,  林建寶 ,  LIN, CHIEN PAO ,  蜜西菈 ,  MISHRA, MRINALINI ,  黃聖鑫 ,  HUANG, SHENG HSIN ,  劉光益 ,  LIU, KUANG I ,  余友軒 ,  YU, YU HSUAN

IPC分类号： C23C16/52 ,  C23C16/54

CPC分类号： C23C16/45559 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45544

公开(公告)号：TWM535866U

公开(公告)日：2017-01-21

申请号：TW105204237

申请日：2016-03-25

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 大木慎一 ,  OKI, SHINICHI ,  森義信 ,  MORI, YOSHINOBU

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： C30B25/08 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/45587 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/481 ,  C30B25/12 ,  C30B25/14 ,  C30B29/06 ,  F24C15/10 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/68785

公开(公告)号：TWI557265B

公开(公告)日：2016-11-11

申请号：TW103145705

申请日：2014-12-26

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 宋述仁 ,  SUNG, SU JEN

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/44 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/0262 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02617

公开(公告)号：TW201635340A

公开(公告)日：2016-10-01

申请号：TW105109495

申请日：2016-03-25

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 大木慎一 ,  OKI, SHINICHI ,  森義信 ,  MORI, YOSHINOBU

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： C30B25/08 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/45587 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/481 ,  C30B25/12 ,  C30B25/14 ,  C30B29/06 ,  F24C15/10 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/68785

摘要： 揭示了用於磊晶生長裝置的腔室部件。反應腔室由頂板來界定和形成。反應氣體在側壁中所設置的反應氣體供應路徑中整流，使得在反應腔室中的反應氣體的流動方向上的水平分量對應於從反應氣體供應路徑的開口的中心延伸的方向上的水平分量。對磊晶生長裝置的上側壁、基座和整流板的改進已使得提高了基板上形成的磊晶層的均勻性和形成速度，從而使得產量更高並且缺陷更少。

简体摘要： 揭示了用于磊晶生长设备的腔室部件。反应腔室由顶板来界定和形成。反应气体在侧壁中所设置的反应气体供应路径中整流，使得在反应腔室中的反应气体的流动方向上的水平分量对应于从反应气体供应路径的开口的中心延伸的方向上的水平分量。对磊晶生长设备的上侧壁、基座和整流板的改进已使得提高了基板上形成的磊晶层的均匀性和形成速度，从而使得产量更高并且缺陷更少。

公开(公告)号：TW201633378A

公开(公告)日：2016-09-16

申请号：TW104137172

申请日：2015-11-11

申请人： 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

发明人： 原島正幸 ,  HARASHIMA, MASAYUKI

IPC分类号： H01L21/205 ,  C30B25/18 ,  C23C16/458 ,  C23C16/32

CPC分类号： C30B25/10 ,  C23C16/325 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/46 ,  C30B25/12 ,  H01L21/205

摘要： 在一實施型態之成膜裝置中，旋轉台連接有旋轉軸。在該成膜裝置中，複數晶圓被載置於相對於旋轉軸之中心軸線被配列在周方向之複數載置區域，藉由旋轉台被保持。旋轉台被收容在承載器之內部空間。在該內部空間內，氣體供給機構形成處理氣體從旋轉台之外側沿著與中心軸線正交之方向的流動。再者，隔熱材被設置在承載器之內部空間內的隔熱區域。隔熱區域係位於比起最接近於中心軸線之複數載置區域內之位置，相對於該中心軸線更外側，並且比起離中心軸線最遠之複數載置區域內之位置，相對於該中心軸線更內側。

简体摘要： 在一实施型态之成膜设备中，旋转台连接有旋转轴。在该成膜设备中，复数晶圆被载置于相对于旋转轴之中心轴线被配列在周方向之复数载置区域，借由旋转台被保持。旋转台被收容在承载器之内部空间。在该内部空间内，气体供给机构形成处理气体从旋转台之外侧沿着与中心轴线正交之方向的流动。再者，隔热材被设置在承载器之内部空间内的隔热区域。隔热区域系位于比起最接近于中心轴线之复数载置区域内之位置，相对于该中心轴线更外侧，并且比起离中心轴线最远之复数载置区域内之位置，相对于该中心轴线更内侧。

公开(公告)号：TW201533806A

公开(公告)日：2015-09-01

申请号：TW103145854

申请日：2014-12-26

申请人： 3M新設資產公司 ,  3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY

发明人： 奧德科克 安德魯 約翰 ,  OUDERKIRK, ANDREW JOHN ,  道奇 比爾 亨利 ,  DODGE, BILL HENRY ,  包爾斯 麥斯 ,  POWERS, MAX ,  麥克道威爾 艾琳 愛麗斯 ,  MCDOWELL, ERIN ALICE ,  卡貝爾 尼可拉斯 希爾多 ,  GABRIEL, NICHOLAS THEODORE ,  基斯祺克 羅伯特 瑞查德 ,  KIESCHKE, ROBERT RICHARD ,  傑蘇多斯 艾羅奇亞瑞杰 ,  JESUDOSS, AROKIARAJ

IPC分类号： H01L21/365 ,  C23C16/458

CPC分类号： G02B5/3083 ,  C23C16/442 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/458 ,  G02B1/08 ,  G02B27/14 ,  G02B27/283 ,  H01L2933/0025

摘要： 本發明為塗布形狀和尺寸一致的物件之方法。該方法包括提供具有陣列化內表面的反應器、將該等物件定位於該反應器內、以及塗布該等物件。

简体摘要： 本发明为涂布形状和尺寸一致的对象之方法。该方法包括提供具有数组化内表面的反应器、将该等对象定位于该反应器内、以及涂布该等对象。

公开(公告)号：TW201523703A

公开(公告)日：2015-06-16

申请号：TW103135573

申请日：2014-10-14

申请人： 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

发明人： 根本剛直 ,  NEMOTO, TAKENAO ,  野澤俊久 ,  NOZAWA, TOSHIHISA

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC分类号： C23C16/45561 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244

摘要： 本發明之課題在於對電漿處理裝置內之處理氣體進行整流而適宜地進行電漿處理。 本發明之電漿處理裝置1包括：處理容器10，其收納晶圓W；載置台20，其設置於處理容器10之底面，並載置晶圓W；第1處理氣體供給管60，其設置於處理容器10之頂面中央部，並向該處理容器10之內部供給第1處理氣體T1；第2處理氣體供給管70，其設置於處理容器10之側面，並向該處理容器10之內部供給第2處理氣體T2；整流氣體供給管80，其設置於處理容器10之側面且第2處理氣體供給管70之上方，並向處理容器10之內部供給朝向下方之整流氣體R；及輻射線槽孔天線40，其向處理容器10之內部輻射微波。

简体摘要： 本发明之课题在于对等离子处理设备内之处理气体进行整流而适宜地进行等离子处理。 本发明之等离子处理设备1包括：处理容器10，其收纳晶圆W；载置台20，其设置于处理容器10之底面，并载置晶圆W；第1处理气体供给管60，其设置于处理容器10之顶面中央部，并向该处理容器10之内部供给第1处理气体T1；第2处理气体供给管70，其设置于处理容器10之侧面，并向该处理容器10之内部供给第2处理气体T2；整流气体供给管80，其设置于处理容器10之侧面且第2处理气体供给管70之上方，并向处理容器10之内部供给朝向下方之整流气体R；及辐射线槽孔天线40，其向处理容器10之内部辐射微波。