公开(公告)号：TWI622081B

公开(公告)日：2018-04-21

申请号：TW105107369

申请日：2016-03-10

申请人： 日立全球先端科技股份有限公司 ,  HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION

发明人： 荒卷徹 ,  ARAMAKI, TOORU ,  橫川賢悅 ,  YOKOGAWA, KENETSU ,  伊澤勝 ,  IZAWA, MASARU

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32183 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/31116

公开(公告)号：TWI619175B

公开(公告)日：2018-03-21

申请号：TW105110769

申请日：2010-11-01

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 一條充弘 ,  ICHIJO, MITSUHIRO ,  田中哲弘 ,  TANAKA, TETSUHIRO ,  保本清治 ,  YASUMOTO, SEIJI ,  真城瞬 ,  MASHIRO, SHUN ,  及川欣聰 ,  OIKAWA, YOSHIAKI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/44 ,  C23C16/308 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/34 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/67167 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：TWI619140B

公开(公告)日：2018-03-21

申请号：TW105121556

申请日：2016-07-07

申请人： 日立全球先端科技股份有限公司 ,  HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION

发明人： 荒卷徹 ,  ARAMAKI, TOORU ,  横川賢悦 ,  YOKOGAWA, KENETSU ,  伊澤勝 ,  IZAWA, MASARU

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32532 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/46 ,  C23C16/463 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32724

公开(公告)号：TWI598927B

公开(公告)日：2017-09-11

申请号：TW104105335

申请日：2015-02-16

申请人： 日立全球先端科技股份有限公司 ,  HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION

发明人： 丹藤匠 ,  TANDOU, TAKUMI ,  牧野昭孝 ,  MAKINO, AKITAKA

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01J37/3244 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32678 ,  H01L21/6831

公开(公告)号：TWI593015B

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：TW104121435

申请日：2015-07-02

申请人： 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

发明人： 蘭傑 艾洛克 ,  RANJAN, ALOK ,  王明梅 ,  WANG, MINGMEI ,  凡特薩克 彼得LG ,  VENTZEK, PETER L.G.

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/32136 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32816 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116

公开(公告)号：TWI587396B

公开(公告)日：2017-06-11

申请号：TW102106054

申请日：2013-02-21

申请人： 日本泉瑞股份有限公司 ,  ZEON CORPORATION ,  國立大學法人東北大學 ,  TOHOKU UNIVERSITY

发明人： 根本剛直 ,  NEMOTO, TAKENAO ,  齊藤武尚 ,  SAITO, TAKEHISA ,  富田祐吾 ,  TOMITA, YUGO ,  松本裕一 ,  MATSUMOTO, HIROKAZU ,  白鳥彰秀 ,  SHIROTORI, AKIHIDE ,  寺本章伸 ,  TERAMOTO, AKINOBU ,  谷勛 ,  GU, XUN

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/768 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/53204 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI584340B

公开(公告)日：2017-05-21

申请号：TW102101628

申请日：2013-01-16

申请人： 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

发明人： 池田太郎 ,  IKEDA, TARO ,  宮下大幸 ,  MIYASHITA, HIROYUKI ,  長田勇輝 ,  OSADA, YUKI ,  藤野豊 ,  FUJINO, YUTAKA ,  小松智仁 ,  KOMATSU, TOMOHITO

IPC分类号： H01J37/32 ,  H05H1/46

CPC分类号： H01J37/32266 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32229 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4615 ,  H05H2001/4622 ,  H05H2001/463

公开(公告)号：TW201711110A

公开(公告)日：2017-03-16

申请号：TW105142615

申请日：2013-08-27

申请人： 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

发明人： 哈得森艾瑞克 A ,  HUDSON,ERIC A. ,  貝利三世安祖 D ,  BAILEY III,ANDREW D. ,  漢沙羅金德 ,  DHINDSA,RAJINDER

IPC分类号： H01L21/465

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67069

摘要： 本發明提供用於蝕刻在電漿處理腔室中之基板的方法，該電漿處理腔室具有至少第一電漿產生區域和由半障壁結構與該第一電漿產生區域分開之第二電漿產生區域。本方法包含從在第一電漿產生區域中之主要進料氣體產生第一電漿。本方法更包含從在第二電漿產生區域中之次要進料氣體產生第二電漿，以使來自該第二電漿之至少一些物種遷移進入該第一電漿產生區域中。本方法可附加地包含在該第一電漿已使用來自該第二電漿之遷移物種增大後，使用該第一電漿蝕刻該基板。

简体摘要： 本发明提供用于蚀刻在等离子处理腔室中之基板的方法，该等离子处理腔室具有至少第一等离子产生区域和由半障壁结构与该第一等离子产生区域分开之第二等离子产生区域。本方法包含从在第一等离子产生区域中之主要进料气体产生第一等离子。本方法更包含从在第二等离子产生区域中之次要进料气体产生第二等离子，以使来自该第二等离子之至少一些物种迁移进入该第一等离子产生区域中。本方法可附加地包含在该第一等离子已使用来自该第二等离子之迁移物种增大后，使用该第一等离子蚀刻该基板。

公开(公告)号：TW201705332A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：TW105105842

申请日：2016-02-26

申请人： 日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

发明人： 大橋直史 ,  OHASHI, NAOFUMI ,  豊田一行 ,  TOYODA, KAZUYUKI ,  松井俊 ,  MATSUI, SHUN

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/68771 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01L21/68764

摘要： 本發明係一種基板處理裝置及電漿生成機構，其設成為了抑制形成在基板上的膜之面內均勻性的降低，能夠對處理區域中的電漿分佈進行部分調整。基板處理裝置具備如下構成，其具備：基板載置部，基板被載置於其上；分割構造體，在與基板載置部相對向的空間形成處理區域；氣體供給部，將處理氣體供給於分割構造體所形成的處理區域；電漿生成部，將氣體供給部對處理區域進行供給的處理氣體設為電漿狀態並生成處理氣體之活性種，並且設為電漿狀態時按處理區域之各部分獨立控制活性種之活性度。

简体摘要： 本发明系一种基板处理设备及等离子生成机构，其设成为了抑制形成在基板上的膜之面内均匀性的降低，能够对处理区域中的等离子分布进行部分调整。基板处理设备具备如下构成，其具备：基板载置部，基板被载置于其上；分割构造体，在与基板载置部相对向的空间形成处理区域；气体供给部，将处理气体供给于分割构造体所形成的处理区域；等离子生成部，将气体供给部对处理区域进行供给的处理气体设为等离子状态并生成处理气体之活性种，并且设为等离子状态时按处理区域之各部分独立控制活性种之活性度。

公开(公告)号：TW201703112A

公开(公告)日：2017-01-16

申请号：TW105104530

申请日：2016-02-17

申请人： 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

发明人： 歐米拉 大衛 L ,  O'MEARA, DAVID L. ,  萊利 安潔莉 D ,  RALEY, ANGELIQUE D. ,  高明輝 ,  KO, AKITERU ,  伊藤清仁 ,  ITO, KIYOHITO

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/768 ,  H05H1/46 ,  G03F7/20 ,  H01J49/10

CPC分类号： H01L21/823431 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/32139

摘要： 提供一種在基板上增加圖案密度的方法，該方法包含具有第一組成物之圖案化層和側壁的結構，及在該結構之上形成之第二組成物的覆蓋層。該側壁係曝露於化學環境及產生第三組成物之化學性改質的側壁層。覆蓋層及該結構之內部的、未改質的部分係使用蝕刻製程加以移除，以留下該化學性改質的側壁層。從該化學性改質的側壁層至該基板的底層之圖案轉移蝕刻係加以執行。一個以上整合操作變數係加以控制，以達成包含該結構的寬度、高度、側壁角度、線寬粗糙度、及/或線邊緣粗糙度的目標臨界尺寸。

简体摘要： 提供一种在基板上增加图案密度的方法，该方法包含具有第一组成物之图案化层和侧壁的结构，及在该结构之上形成之第二组成物的覆盖层。该侧壁系曝露于化学环境及产生第三组成物之化学性改质的侧壁层。覆盖层及该结构之内部的、未改质的部分系使用蚀刻制程加以移除，以留下该化学性改质的侧壁层。从该化学性改质的侧壁层至该基板的底层之图案转移蚀刻系加以运行。一个以上集成操作变量系加以控制，以达成包含该结构的宽度、高度、侧壁角度、线宽粗糙度、及/或线边缘粗糙度的目标临界尺寸。