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公开(公告)号：TWI579413B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW103129614
申请日：2014-08-27
申请人： 蘋果公司 , APPLE INC.
发明人： 建部雅重 , TATEBE, MASASHIGE , 艾卡納 裘蒂R , AKANA, JODY R. , 大嶋貴弘 , OSHIMA, TAKAHIRO , 羅素 克拉克 彼得N , RUSSELL-CLARKE, PETER N. , 本鄉步美 , HONGOU, AYUMI , 原健司 , HARA, KENJI
IPC分类号： C25D11/26
CPC分类号： C25D11/22 , C25D11/045 , C25D11/08 , C25D11/10 , C25D11/12 , C25D11/18 , C25D11/20 , C25D11/24 , C25D11/243 , C25D11/246
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公开(公告)号：TWI564438B
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW103102382
申请日：2014-01-22
发明人： 姜傳華 , CHIANG, CHWAN HWA , 王杰祥 , WANG, CHIEH HSIANG , 張保申 , ZHANG, BAO-SHEN
CPC分类号： B29C45/14311 , B29K2101/12 , B29K2705/00 , B29K2705/02 , B29L2031/3481 , B32B15/08 , B32B15/20 , B32B27/288 , B32B27/304 , B32B27/36 , B32B27/365 , B32B2307/542 , B32B2457/00 , C25D11/08 , C25D11/16 , C25D11/24 , C25D11/26 , C25D11/30 , C25D11/34 , Y10T428/249956 , Y10T428/24997
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公开(公告)号：TW201619450A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW103141457
申请日：2014-11-28
发明人： 賴鋒儒 , LAI, FENG JU , 林忠誠 , LIN, CHUNG CHENG
CPC分类号： C25D11/024 , C25D11/022 , C25D11/04 , C25D11/08 , C25D11/10 , C25D11/12 , C25D11/14 , C25D11/16 , C25D11/18 , C25D11/246
摘要： 一種形成抗菌複合表面的加工方法，其在一陽極製程的過程裡執行，其中該陽極製程依序包含對一工件進行如下步驟：前處理步驟、陽極氧化步驟、酸洗步驟、染色步驟及封孔步驟，所述抗菌複合表面的加工方法至少包括如下步驟：提供一含銀溶液；於進行該陽極製程的過程裡，加入該含銀溶液；以及藉由該含銀溶液作為銀粒子來源以提供數個銀粒子，並使該工件的外部含有所述銀粒子，從而在該工件的外部形成該抗菌複合表面。本發明更依據上述加工方法提供一種抗菌複合表面，以有效抑制微生物在經陽極氧化處理的金屬表面上的生長。
简体摘要： 一种形成抗菌复合表面的加工方法，其在一阳极制程的过程里运行，其中该阳极制程依序包含对一工件进行如下步骤：前处理步骤、阳极氧化步骤、酸洗步骤、染色步骤及封孔步骤，所述抗菌复合表面的加工方法至少包括如下步骤：提供一含银溶液；于进行该阳极制程的过程里，加入该含银溶液；以及借由该含银溶液作为银粒子来源以提供数个银粒子，并使该工件的外部含有所述银粒子，从而在该工件的外部形成该抗菌复合表面。本发明更依据上述加工方法提供一种抗菌复合表面，以有效抑制微生物在经阳极氧化处理的金属表面上的生长。
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公开(公告)号：TW201510288A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103129209
申请日：2014-08-25
发明人： 孫語南 , SUN, JENNIFER Y. , 卡農哥比拉賈P , KANUNGO, BIRAJA P.
CPC分类号： C25D11/12 , C25D5/44 , C25D11/02 , C25D11/04 , C25D11/08 , C25D11/20 , C25D17/001 , H01L21/2885 , Y10T428/26 , Y10T428/263 , Y10T428/264
摘要： 為製造用於處理腔室之腔室元件，在帶有雜質的金屬製品上形成第一陽極氧化層，該第一陽極氧化層具有大於約100nm之厚度，且在該第一陽極氧化層上形成鋁塗層，該鋁塗層大體上沒有雜質。在該鋁塗層上可形成第二陽極氧化層。
简体摘要： 为制造用于处理腔室之腔室组件，在带有杂质的金属制品上形成第一阳极氧化层，该第一阳极氧化层具有大于约100nm之厚度，且在该第一阳极氧化层上形成铝涂层，该铝涂层大体上没有杂质。在该铝涂层上可形成第二阳极氧化层。
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公开(公告)号：TW201447932A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103106557
申请日：2014-02-26
发明人： 雷根那森 薩蒂西K , RANGANATHAN, SATHISH K. , 麥特爾 維傑 , MHETAR, VIJAY , 大衛斯 寇迪R , DAVIS, CODY R. , 史瑞普瑞普 史寧凡絲 , SIRIPURAPU, SRINIVAS
CPC分类号： H01B7/421 , C25D7/0607 , C25D11/02 , C25D11/022 , C25D11/024 , C25D11/026 , C25D11/06 , C25D11/08 , H01B3/105 , H01B5/002
摘要： 本發明揭示一種經塗覆之架空導體，其具有包含一或多個導線之一總成，使得該總成包含塗覆有形成一外層之一電化學沈積塗層之一外表面，其中該電化學沈積塗層包含一第一金屬氧化物，使得該第一金屬氧化物並非氧化鋁。本發明亦提供用於製造該架空導體之方法。
简体摘要： 本发明揭示一种经涂覆之架空导体，其具有包含一或多个导线之一总成，使得该总成包含涂覆有形成一外层之一电化学沉积涂层之一外表面，其中该电化学沉积涂层包含一第一金属氧化物，使得该第一金属氧化物并非氧化铝。本发明亦提供用于制造该架空导体之方法。
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公开(公告)号：TW201407000A
公开(公告)日：2014-02-16
申请号：TW102118716
申请日：2013-05-28
申请人： 三菱麗陽股份有限公司 , MITSUBISHI RAYON CO., LTD. , 神奈川科學技術研究院 , KANAGAWA ACADEMY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人： 井川雅資 , IKAWA, MASASHI , 岡本英子 , OKAMOTO, EIKO , 益田秀樹 , MASUDA, HIDEKI
IPC分类号： C25D11/06
CPC分类号： C25D11/24 , B08B17/065 , B29C33/38 , B29C33/3814 , B29C33/3842 , B29C33/42 , B29C37/0067 , B29C59/046 , B29C2035/0827 , C25D11/045 , C25D11/08 , C25D11/10 , C25D11/12 , G02B1/118 , Y10T428/24355
摘要： 本發明的模具的製造方法包括：利用混合有兩種以上的酸的電解液於60 V以上、120 V以下的電壓下將鋁基材陽極氧化，於鋁基材的表面上形成具有多個細孔的氧化皮膜的步驟(a)；以及將氧化皮膜的至少一部分去除的步驟(b)；且使用以下電解液作為步驟(a)中的電解液：於將利用兩種以上的酸中僅酸解離常數Ka最高的酸A的電解液於與步驟(a)相同的條件下將鋁基材陽極氧化的情形時的電流密度設定為D1，將利用與步驟(a)相同的電解液於與步驟(a)相同的條件下將鋁基材陽極氧化的情形時的電流密度設定為D2時，滿足(D1)/2>D2的電解液。
简体摘要： 本发明的模具的制造方法包括：利用混合有两种以上的酸的电解液于60 V以上、120 V以下的电压下将铝基材阳极氧化，于铝基材的表面上形成具有多个细孔的氧化皮膜的步骤(a)；以及将氧化皮膜的至少一部分去除的步骤(b)；且使用以下电解液作为步骤(a)中的电解液：于将利用两种以上的酸中仅酸解离常数Ka最高的酸A的电解液于与步骤(a)相同的条件下将铝基材阳极氧化的情形时的电流密度设置为D1，将利用与步骤(a)相同的电解液于与步骤(a)相同的条件下将铝基材阳极氧化的情形时的电流密度设置为D2时，满足(D1)/2>D2的电解液。
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公开(公告)号：TW201341196A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：TW102106130
申请日：2013-02-22
申请人： 比亞迪股份有限公司 , BYD COMPANY LIMITED
发明人： 孫劍 , SUN, JIAN , 曾娟 , ZENG, JUAN , 張云俠 , ZHANG, YUNXIA , 程俊 , CHENG, JUN
CPC分类号： B32B7/04 , B29B13/00 , B29C45/14311 , B29C45/14795 , B29C45/7207 , B29C71/02 , B29C2045/14868 , B29C2071/022 , B29K2081/04 , B29K2705/02 , B29K2715/003 , B29L2031/3481 , B32B7/12 , B32B15/08 , B32B2457/00 , B32B2457/208 , C25D11/08 , C25D11/16 , C25D11/24 , C25D11/246 , H04M1/0202 , H05K5/0091 , Y10T428/24174 , Y10T428/24917 , Y10T428/31507 , Y10T428/31533
摘要： 本發明提供了一種手機殼體及其製備方法，其中手機殼體包括塑膠件及與塑膠件結合的金屬殼本體；金屬殼本體與塑膠件結合的面表面含有氧化膜層，氧化膜層與塑膠件相對的面表面上含有腐蝕孔，腐蝕孔的孔徑為200nm~2000nm，氧化膜層內含有奈米微孔，奈米微孔的孔徑為10nm~100nm，形成所述塑膠件的樹脂組合物填充於奈米微孔和腐蝕孔中。製備的手機殼體耐磨、防摔、抗腐蝕。
简体摘要： 本发明提供了一种手机壳体及其制备方法，其中手机壳体包括塑胶件及与塑胶件结合的金属壳本体；金属壳本体与塑胶件结合的面表面含有氧化膜层，氧化膜层与塑胶件相对的面表面上含有腐蚀孔，腐蚀孔的孔径为200nm~2000nm，氧化膜层内含有奈米微孔，奈米微孔的孔径为10nm~100nm，形成所述塑胶件的树脂组合物填充于奈米微孔和腐蚀孔中。制备的手机壳体耐磨、防摔、抗腐蚀。
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公开(公告)号：TW200732495A
公开(公告)日：2007-09-01
申请号：TW095142263
申请日：2006-11-15
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C25D11/08
摘要： 本發明係以提供可形成優異耐氣體腐蝕性及耐電漿性的同時、亦具有優良黏附性之陽極氧化被膜之鋁構件或鋁合金構件,及相關之由具優異耐腐蝕性之鋁構件或鋁合金構件所構成之真空裝置用構件為目的。又,本發明提供一種於利用電漿的製程中,為保持穩定電漿狀態,而具有充分的耐電壓性之構件為目的。本發明之目的,係以下述方法達成。(1)陽極氧化被膜的阻抗在頻率10^-2 Hz中為10^7���以上,且被膜硬度在維氏硬度(Hv)為400以上之鋁構件或鋁合金構件,或(2)陽極氧化被膜的阻抗在頻率10^-2 Hz中為10^8���以上,且被膜硬度在維氏硬度(Hv)為350以上之鋁構件或鋁合金構件。
简体摘要： 本发明系以提供可形成优异耐气体腐蚀性及耐等离子性的同时、亦具有优良黏附性之阳极氧化被膜之铝构件或铝合金构件,及相关之由具优异耐腐蚀性之铝构件或铝合金构件所构成之真空设备用构件为目的。又,本发明提供一种于利用等离子的制程中,为保持稳定等离子状态,而具有充分的耐电压性之构件为目的。本发明之目的,系以下述方法达成。(1)阳极氧化被膜的阻抗在频率10^-2 Hz中为10^7���以上,且被膜硬度在维氏硬度(Hv)为400以上之铝构件或铝合金构件,或(2)阳极氧化被膜的阻抗在频率10^-2 Hz中为10^8���以上,且被膜硬度在维氏硬度(Hv)为350以上之铝构件或铝合金构件。
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9.发明专利具非均勻磁場强度之金屬件 METALS WITH IMHOMOGENEOUS MAGNETIC FIELD STRENGTH 审中-公开具非均匀磁场强度之金属件 METALS WITH IMHOMOGENEOUS MAGNETIC FIELD STRENGTH
公开(公告)号：TW200724265A
公开(公告)日：2007-07-01
申请号：TW094145993
申请日：2005-12-23
发明人： 黃建和 HUANG CHIEN-HO , 許文榮 SHU WEN-YUNG , 黎俊驛 LI CHUN-YI , 施修正 SHY HSIOU-JENG , 黃宏芳 HUANG HUNG-FANG
IPC分类号： B22F
CPC分类号： C25D1/04 , B82Y25/00 , C25D1/10 , C25D11/06 , C25D11/08 , G01R33/02 , G01R33/0213 , G01R33/093 , G01R33/12
摘要： 利用鋁或鋁合金的陽極處理獲取之多孔性氧化膜作為電鑄磁性金屬件的模版,使電鑄的金屬之一面或部分面上具有奈米金屬線的結構,此奈米金屬線的深寬比除了由陽極處理之電解條件與電解質決定外,也由陽極處理後的擴孔條件加以控制,較高深寬比的磁性金屬奈米線有較高的磁場强度,所以使電鑄的金屬件能在選擇性的面積上有較高的磁場强度,形成具有非均勻磁場强度的金屬件。
简体摘要： 利用铝或铝合金的阳极处理获取之多孔性氧化膜作为电铸磁性金属件的模版,使电铸的金属之一面或部分面上具有奈米金属线的结构,此奈米金属线的深宽比除了由阳极处理之电解条件与电解质决定外,也由阳极处理后的扩孔条件加以控制,较高深宽比的磁性金属奈米线有较高的磁场强度,所以使电铸的金属件能在选择性的面积上有较高的磁场强度,形成具有非均匀磁场强度的金属件。
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