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    膜厚測量裝置
    4.
    发明专利
    膜厚測量裝置 有权
    膜厚测量设备

    公开(公告)号：TWI248507B

    公开(公告)日：2006-02-01

    申请号：TW090126798

    申请日：2001-10-29

    申请人： 愛發科股份有限公司 ULVAC, INC.

    发明人： 陳凱 CHEN, KAI ,  中村靜雄 NAKAMURA, SHIZUO ,  南津顯仁 MINAMITSU, AKIHITO

    IPC分类号： G01B ,  H01L

    CPC分类号： G01B7/085 ,  G01B7/105 ,  G01B21/08

    摘要： 本發明之課題，係提供能夠將形成在基板上的導電性之膜厚，有效率地以廉價測量之技術。
    本發明之膜厚測量裝置，係備有：可配置在導電膜51附近的預定位置，且對導電膜51使之發生預定的渦電流並且檢出由該渦電流之磁場的渦電流線圈察覺器20、和為了測量渦電流線圈察覺器20與導電膜51之間的變位用的雷射變位察覺器30，並根據在渦電流線圈察覺器20的電感之變化量、和以雷射變位察覺器30被測量的變位量，測量導電膜51之厚度。

    简体摘要： 本发明之课题，系提供能够将形成在基板上的导电性之膜厚，有效率地以廉价测量之技术。 本发明之膜厚测量设备，系备有：可配置在导电膜51附近的预定位置，且对导电膜51使之发生预定的涡电流并且检出由该涡电流之磁场的涡电流线圈察觉器20、和为了测量涡电流线圈察觉器20与导电膜51之间的变位用的激光变位察觉器30，并根据在涡电流线圈察觉器20的电感之变化量、和以激光变位察觉器30被测量的变位量，测量导电膜51之厚度。

    利用渦流之薄膜基板信號分離系統、方法及設備 SYSTEM, METHOD AND APPARATUS FOR THIN-FILM SUBSTRATE SIGNAL SEPARATION USING EDDY CURRENT
    5.
    发明专利
    利用渦流之薄膜基板信號分離系統、方法及設備 SYSTEM, METHOD AND APPARATUS FOR THIN-FILM SUBSTRATE SIGNAL SEPARATION USING EDDY CURRENT 审中-公开
    利用涡流之薄膜基板信号分离系统、方法及设备 SYSTEM, METHOD AND APPARATUS FOR THIN-FILM SUBSTRATE SIGNAL SEPARATION USING EDDY CURRENT

    公开(公告)号：TW200420880A

    公开(公告)日：2004-10-16

    申请号：TW092136542

    申请日：2003-12-23

    申请人： 蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION

    发明人： 葉海 高金斯 GOTKIS, YEHIEL

    IPC分类号： G01N ,  G01R

    CPC分类号： G01B7/105

    摘要： 一種系統及方法用以決定渦流感應器(ECS，eddycurrentsensor)信號可歸因於基板之成份，包括放置基板於相對於ECS於與ECS距第一個距離之第一個位置。基板可包括於基板第一個表面上之導電膜。以第一個位置中的基板可偵測第一個ECS信號。而後可將基板相對於ECS倒轉使得基板於相對於ECS於與ECS距第二個距離之第二個位置。第二個距離等於第一個距離減去約基板厚度。以第二個位置中的基板偵測第二個ECS信號。決定差異信號。差異信號等於在ECS的校正圖上第一個信號程度及第二個信號程度之間的差異。第二個訊號程度偏移約等於基板厚度之距離。計算第一個ECS信號之第一個基板成份。第一個ECS信號之第一個基板成份等於第一個距離及差異信號的乘積，除以基板厚度。

    简体摘要： 一种系统及方法用以决定涡流感应器(ECS，eddycurrentsensor)信号可归因于基板之成份，包括放置基板于相对于ECS于与ECS距第一个距离之第一个位置。基板可包括于基板第一个表面上之导电膜。以第一个位置中的基板可侦测第一个ECS信号。而后可将基板相对于ECS倒转使得基板于相对于ECS于与ECS距第二个距离之第二个位置。第二个距离等于第一个距离减去约基板厚度。以第二个位置中的基板侦测第二个ECS信号。决定差异信号。差异信号等于在ECS的校正图上第一个信号程度及第二个信号程度之间的差异。第二个信号程度偏移约等于基板厚度之距离。计算第一个ECS信号之第一个基板成份。第一个ECS信号之第一个基板成份等于第一个距离及差异信号的乘积，除以基板厚度。

    具光及渦流雙重監視功能之終點偵測系統
    6.
    发明专利
    具光及渦流雙重監視功能之終點偵測系統 失效
    具光及涡流双重监视功能之终点侦测系统

    公开(公告)号：TW550690B

    公开(公告)日：2003-09-01

    申请号：TW091109176

    申请日：2002-05-02

    申请人： 應用材料股份有限公司

    发明人： 柏格斯勞A 史威克 ,  曼伍卻爾拜藍 ,  尼斯傑哈森

    IPC分类号： H01L

    CPC分类号： B24B37/013 ,  B24B49/02 ,  B24B49/10 ,  B24B49/12 ,  G01B7/105 ,  G01B11/0683

    摘要： 茲提出一種可使用一渦流偵測系統及一光偵測系統之化學機械式研磨處理裝置及方法。由該等偵測系統所產生之訊號可整合於一輸出線路中，並可由一電腦所擷取，一研磨處理墊之厚度可被計算出。該渦流偵測系統及光偵測系統可大致上測量該基材上之相同位置。

    简体摘要： 兹提出一种可使用一涡流侦测系统及一光侦测系统之化学机械式研磨处理设备及方法。由该等侦测系统所产生之信号可集成于一输出线路中，并可由一电脑所截取，一研磨处理垫之厚度可被计算出。该涡流侦测系统及光侦测系统可大致上测量该基材上之相同位置。

    頻率測定裝置,使用該頻率測定裝置之磨光裝置,以及渦流感測器
    7.
    发明专利
    頻率測定裝置,使用該頻率測定裝置之磨光裝置,以及渦流感測器 失效
    频率测定设备,使用该频率测定设备之磨光设备,以及涡流传感器

    公开(公告)号：TW541425B

    公开(公告)日：2003-07-11

    申请号：TW090125752

    申请日：2001-10-18

    申请人： 荏原製作所股份有限公司

    发明人： 多田光男 ,  山崎裕延 ,  須藤康成

    IPC分类号： G01R ,  H01L

    CPC分类号： B24B37/013 ,  B24B49/04 ,  B24B49/10 ,  B24B49/105 ,  G01B7/105 ,  G01D5/202 ,  G01R23/10

    摘要： 本發明揭示一種頻率測定裝置，該裝置經由在一段短期間內獲得高準確度之頻率測定結果，能夠正確地偵測出一個半導體晶圓之磨光終止點。一種FC裝置，用來量測一個測定訊號之頻率。Vin包含一個計算部分，此計算部分包括i[i2]個N元計數器1至i；一個時間基準電路13，該電路13輸出一個時間基準訊號T，該基準訊號之持續時間為t，每一個時間間隔為p，以及I個閘電路Gl到Gi，該等閘電路之輸出端連接到該N元計數器的1至I個輸入端。該閘電路在第一輸入端接收該測定訊號Vin，以及在第二輸入端以時間間隔期p接收該時間基準訊號T。以此種結構，該計算部分於每一個時間間隔p提供測定訊號Vin的頻率量測結果。
    更進一步，本發明提供一個渦電流感測器，該感測器能夠穩定運行，用來正確地偵測出磨光終止點。渦電流感測器藉著一個導電薄膜產生之渦電流損耗之變化，偵測一個導電薄膜的厚度。渦電流感測器包含感測器線圈，用來於導電薄膜內生成渦電流，以及包含一個有源元件單元(active element unit)，用來連接到該感測器線圈，並根據該渦電流損耗使一個可變頻率產生振盪。該感測器線圈與有源元件單元整合配置成渦電流感測器。另一選擇方案是，渦電流感測器包含一個感測器線圈，用來在該導電薄膜內生成渦電流，以及包含一個偵測器，從由該感測器線圈和導電薄膜所形成之阻抗內之電阻成分[R]之變化，用來偵測出於該導電薄膜厚度之變化。

    简体摘要： 本发明揭示一种频率测定设备，该设备经由在一段短期间内获得高准确度之频率测定结果，能够正确地侦测出一个半导体晶圆之磨光终止点。一种FC设备，用来量测一个测定信号之频率。Vin包含一个计算部分，此计算部分包括i[i2]个N元计数器1至i；一个时间基准电路13，该电路13输出一个时间基准信号T，该基准信号之持续时间为t，每一个时间间隔为p，以及I个门电路Gl到Gi，该等门电路之输出端连接到该N元计数器的1至I个输入端。该门电路在第一输入端接收该测定信号Vin，以及在第二输入端以时间间隔期p接收该时间基准信号T。以此种结构，该计算部分于每一个时间间隔p提供测定信号Vin的频率量测结果。 更进一步，本发明提供一个涡电流传感器，该传感器能够稳定运行，用来正确地侦测出磨光终止点。涡电流传感器借着一个导电薄膜产生之涡电流损耗之变化，侦测一个导电薄膜的厚度。涡电流传感器包含传感器线圈，用来于导电薄膜内生成涡电流，以及包含一个有源组件单元(active element unit)，用来连接到该传感器线圈，并根据该涡电流损耗使一个可变频率产生振荡。该传感器线圈与有源组件单元集成配置成涡电流传感器。另一选择方案是，涡电流传感器包含一个传感器线圈，用来在该导电薄膜内生成涡电流，以及包含一个侦测器，从由该传感器线圈和导电薄膜所形成之阻抗内之电阻成分[R]之变化，用来侦测出于该导电薄膜厚度之变化。

    膜厚測定值之補正方法、膜厚補正器、及渦電流檢測器
    8.
    发明专利
    膜厚測定值之補正方法、膜厚補正器、及渦電流檢測器 审中-公开
    膜厚测定值之补正方法、膜厚补正器、及涡电流检测器

    公开(公告)号：TW201534432A

    公开(公告)日：2015-09-16

    申请号：TW104107162

    申请日：2015-03-06

    申请人： 荏原製作所股份有限公司 ,  EBARA CORPORATION

    发明人： 中村顕 ,  NAKAMURA, AKIRA ,  澁江宏明 ,  SHIBUE, HIROAKI ,  廣尾康正 ,  HIROO, YASUMASA ,  太田裕志 ,  OTA, HIROSHI ,  高橋太郎 ,  TAKAHASHI, TARO ,  多田光男 ,  TADA, MITSUO

    IPC分类号： B24B49/04 ,  B24B49/10 ,  G01B7/06

    CPC分类号： H01L22/26 ,  B24B37/013 ,  B24B49/105 ,  G01B7/105 ,  H01L22/14

    摘要： 以簡易之構成精確補正測定研磨對象物的膜厚之檢測器的溫度偏差。 本發明之膜厚測定值的補正方法係在進行研磨工序之中補正渦電流檢測器的輸出信號。研磨工序包含：渦電流檢測器與研磨對象物不相對之第一狀態；以及渦電流檢測器與研磨對象物相對之第二狀態。膜厚測定值之補正方法係在第一狀態下，取得從渦電流檢測器輸出之第一測定信號(Xout，Yout)(步驟S108)，依據取得之第一測定信號與對第一測定信號預設之基準信號(Xsd，Ysd)算出補正值(ΔX，ΔY)(步驟S109)；在第二狀態下取得從渦電流檢測器輸出之第二測定信號(X，Y)(步驟S104)，在進行研磨工序之中，依據算出之補正值補正所取得之第二測定信號(步驟S105)。

    简体摘要： 以简易之构成精确补正测定研磨对象物的膜厚之检测器的温度偏差。 本发明之膜厚测定值的补正方法系在进行研磨工序之中补正涡电流检测器的输出信号。研磨工序包含：涡电流检测器与研磨对象物不相对之第一状态；以及涡电流检测器与研磨对象物相对之第二状态。膜厚测定值之补正方法系在第一状态下，取得从涡电流检测器输出之第一测定信号(Xout，Yout)(步骤S108)，依据取得之第一测定信号与对第一测定信号默认之基准信号(Xsd，Ysd)算出补正值(ΔX，ΔY)(步骤S109)；在第二状态下取得从涡电流检测器输出之第二测定信号(X，Y)(步骤S104)，在进行研磨工序之中，依据算出之补正值补正所取得之第二测定信号(步骤S105)。