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    經改良的壓力感測器
    2.
    发明专利
    經改良的壓力感測器 审中-公开
    经改良的压力传感器

    公开(公告)号：TW201502483A

    公开(公告)日：2015-01-16

    申请号：TW103116053

    申请日：2014-05-06

    申请人： 村田製作所股份有限公司 ,  MURATA MANUFACTURING CO., LTD.

    发明人： 庫伊斯瑪 海琪 ,  KUISMA, HEIKKI

    IPC分类号： G01L7/08

    CPC分类号： G01L9/0072 ,  B81B3/007 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  G01L7/082 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0048 ,  G01L9/0054 ,  G01L9/0073

    摘要： 一種微機電壓力感測器結構，其中，隔膜的長度是隔膜的寬度之至少三倍。橢圓形隔膜是沿著隔膜的寬度而經歷在晶圓與隔膜的側向彎曲之間的最小化差異。朝一個垂直方向，隔膜是歸因於其準確對準於晶圓的彎曲形式而至少為較長三倍。歸因於此，顯著降低由該種結構的彎曲所引起的總誤差且達成一種更強健的結構。同時，較長的隔膜提供模式偏轉區域以供偵測且因此顯著改良該種裝置的靈敏度。

    简体摘要： 一种微机电压力传感器结构，其中，隔膜的长度是隔膜的宽度之至少三倍。椭圆形隔膜是沿着隔膜的宽度而经历在晶圆与隔膜的侧向弯曲之间的最小化差异。朝一个垂直方向，隔膜是归因于其准确对准于晶圆的弯曲形式而至少为较长三倍。归因于此，显着降低由该种结构的弯曲所引起的总误差且达成一种更强健的结构。同时，较长的隔膜提供模式偏转区域以供侦测且因此显着改良该种设备的灵敏度。

    微機電系統壓力感測器及其製造方法
    4.
    发明专利
    微機電系統壓力感測器及其製造方法 审中-公开
    微机电系统压力传感器及其制造方法

    公开(公告)号：TW201317178A

    公开(公告)日：2013-05-01

    申请号：TW101140248

    申请日：2012-10-31

    申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

    发明人： 游紹祺 ,  YU, SHAO CHI ,  許鴻生 ,  SHUE, HONG SENG

    IPC分类号： B81C1/00 ,  G01L1/18 ,  H01L21/22

    CPC分类号： G01L9/0048 ,  G01L9/0054 ,  H01L21/3063 ,  H01L29/84

    摘要： 一種微機電系統壓力感測器，包括一半導體基板，具有一深井位於一第一表面內與一孔穴位於相反的一第二表面內。半導體基板具有一第一摻雜型態。深井具有一第二摻雜型態，其帶有一梯度摻雜輪廓，從而在基板內形成一PN接面。孔穴形成包含深井的一隔膜，其係基板之一部份且薄於基底其他的部份。一或多個壓阻元件位於深井內。壓阻元件對改變孔穴的壓力而產生的隔膜形變(例如彎折)敏感。

    简体摘要： 一种微机电系统压力传感器，包括一半导体基板，具有一深井位于一第一表面内与一孔穴位于相反的一第二表面内。半导体基板具有一第一掺杂型态。深井具有一第二掺杂型态，其带有一梯度掺杂轮廓，从而在基板内形成一pn结。孔穴形成包含深井的一隔膜，其系基板之一部份且薄于基底其他的部份。一或多个压阻组件位于深井内。压阻组件对改变孔穴的压力而产生的隔膜形变(例如弯折)敏感。

    壓力感測器、攜帶機器、電子機器及移動體
    6.
    发明专利
    壓力感測器、攜帶機器、電子機器及移動體 审中-公开
    压力传感器、携带机器、电子机器及移动体

    公开(公告)号：TW201632856A

    公开(公告)日：2016-09-16

    申请号：TW105106207

    申请日：2016-03-01

    申请人： 精工愛普生股份有限公司 ,  SEIKO EPSON CORPORATION

    发明人： 竹內淳一 ,  TAKEUCHI, JUNICHI

    IPC分类号： G01L9/00 ,  G01L9/06

    CPC分类号： G01L9/0054 ,  G01L9/0042 ,  G01L19/0084 ,  G01L19/0654 ,  G01L19/143

    摘要： 本發明之目的在於提供一種謀求省電力化，且具有優異之檢測精度之壓力感測器，又，提供一種具備該壓力感測器之攜帶機器、電子機器及移動體。 本發明之壓力感測器係以因受壓而撓曲變形之2個隔膜部66之受壓面661彼此朝不同方向之方式配置，且配置於一側之隔膜部之壓電電阻元件7、與配置於另一側之隔膜部66之壓電電阻元件係串聯連接。

    简体摘要： 本发明之目的在于提供一种谋求省电力化，且具有优异之检测精度之压力传感器，又，提供一种具备该压力传感器之携带机器、电子机器及移动体。 本发明之压力传感器系以因受压而挠曲变形之2个隔膜部66之受压面661彼此朝不同方向之方式配置，且配置于一侧之隔膜部之压电电阻组件7、与配置于另一侧之隔膜部66之压电电阻组件系串联连接。

    半導體感測器及其製法 SEMICONDUCTOR SENSOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
    8.
    发明专利
    半導體感測器及其製法 SEMICONDUCTOR SENSOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
    半导体传感器及其制法 SEMICONDUCTOR SENSOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

    公开(公告)号：TW201036174A

    公开(公告)日：2010-10-01

    申请号：TW099104067

    申请日：2010-02-10

    申请人： 歐姆龍股份有限公司

    发明人： 安達佳孝 ,  井上勝之

    IPC分类号： H01L ,  G01L

    CPC分类号： G01L9/0042 ,  B81B3/007 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  G01L9/0048 ,  G01L9/0054

    摘要： 【課題】本發明提供一種隔膜不易破損,而且感測器感度的不穩定亦較小的半導體感測器。【解決手段】在將Si基板22與Si薄膜24隔著SiO2膜23相貼合的SOI基板的下面形成凹部26。Si薄膜24的一部分形成為作為感壓區域的隔膜25。在凹部26的上面外周部,SiO2膜23覆蓋隔膜25的下面外周部,在除了凹部26之上面外周部以外的區域係露出隔膜25的下面。覆蓋隔膜25之下面外周部的SiO2膜23(補强部23a)係在下面具有錐形部,隨著由隔膜25的外周側朝向隔膜25的中心部,膜厚逐漸變薄。

    简体摘要： 【课题】本发明提供一种隔膜不易破损,而且传感器感度的不稳定亦较小的半导体传感器。【解决手段】在将Si基板22与Si薄膜24隔着SiO2膜23相贴合的SOI基板的下面形成凹部26。Si薄膜24的一部分形成为作为感压区域的隔膜25。在凹部26的上面外周部,SiO2膜23覆盖隔膜25的下面外周部,在除了凹部26之上面外周部以外的区域系露出隔膜25的下面。覆盖隔膜25之下面外周部的SiO2膜23(补强部23a)系在下面具有锥形部,随着由隔膜25的外周侧朝向隔膜25的中心部,膜厚逐渐变薄。