利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

23 条记录 (耗时 0.026 秒)

    光檢測裝置
    2.
    发明专利
    光檢測裝置 审中-公开
    光检测设备

    公开(公告)号：TW201717371A

    公开(公告)日：2017-05-16

    申请号：TW105142732

    申请日：2012-08-15

    申请人： 濱松赫德尼古斯股份有限公司 ,  HAMAMATSU PHOTONICS K.K.

    发明人： 永野輝昌 ,  NAGANO, TERUMASA ,  細川暢郎 ,  HOSOKAWA, NOBURO ,  鈴木智史 ,  SUZUKI, TOMOFUMI ,  馬場隆 ,  BABA, TAKASHI

    IPC分类号： H01L27/144

    CPC分类号： H01L31/107 ,  G01J1/42 ,  G01T1/208 ,  H01L27/144 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14658 ,  H01L27/14663 ,  H01L28/20 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/022408

    摘要： 本發明之半導體光檢測元件10包含：複數個雪崩光電二極體APD，其以蓋革模式動作並且形成於半導體基板1N內；滅弧電阻R1，其相對於各雪崩光電二極體APD串列連接並且配置於半導體基板1N之主面1Na側；及複數個貫通電極TE，其與滅弧電阻R1電性連接且自主面1Na側至主面1Nb側為止貫通半導體基板1N而形成。搭載基板20包含對應於每個貫通電極TE而配置於主面20a側之複數個電極E9。貫通電極TE與電極E9經由凸塊電極BE而電性連接，且半導體基板1N之側面1Nc與玻璃基板30之側面30c為同一平面。

    简体摘要： 本发明之半导体光检测组件10包含：复数个雪崩光电二极管APD，其以盖革模式动作并且形成于半导体基板1N内；灭弧电阻R1，其相对于各雪崩光电二极管APD串行连接并且配置于半导体基板1N之主面1Na侧；及复数个贯通电极TE，其与灭弧电阻R1电性连接且自主面1Na侧至主面1Nb侧为止贯通半导体基板1N而形成。搭载基板20包含对应于每个贯通电极TE而配置于主面20a侧之复数个电极E9。贯通电极TE与电极E9经由凸块电极BE而电性连接，且半导体基板1N之侧面1Nc与玻璃基板30之侧面30c为同一平面。

    光檢測裝置
    4.
    发明专利
    光檢測裝置 审中-公开
    光检测设备

    公开(公告)号：TW201318152A

    公开(公告)日：2013-05-01

    申请号：TW101129605

    申请日：2012-08-15

    申请人： 濱松赫德尼古斯股份有限公司 ,  HAMAMATSU PHOTONICS K.K.

    发明人： 永野輝昌 ,  NAGANO, TERUMASA ,  細川暢郎 ,  HOSOKAWA, NOBURO ,  鈴木智史 ,  SUZUKI, TOMOFUMI ,  馬場隆 ,  BABA, TAKASHI

    IPC分类号： H01L27/144

    CPC分类号： H01L31/107 ,  G01J1/42 ,  G01T1/208 ,  H01L27/144 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14658 ,  H01L27/14663 ,  H01L28/20 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/022408

    摘要： 本發明之半導體光檢測元件10包含：複數個雪崩光電二極體APD，其以蓋革模式動作並且形成於半導體基板1N內；滅弧電阻R1，其相對於各雪崩光電二極體APD串列連接並且配置於半導體基板1N之主面1Na側；及複數個貫通電極TE，其與滅弧電阻R1電性連接且自主面1Na側至主面1Nb側為止貫通半導體基板1N而形成。搭載基板20包含對應於每個貫通電極TE而配置於主面20a側之複數個電極E9。貫通電極TE與電極E9經由凸塊電極BE而電性連接，且半導體基板1N之側面1Nc與玻璃基板30之側面30c為同一平面。

    简体摘要： 本发明之半导体光检测组件10包含：复数个雪崩光电二极管APD，其以盖革模式动作并且形成于半导体基板1N内；灭弧电阻R1，其相对于各雪崩光电二极管APD串行连接并且配置于半导体基板1N之主面1Na侧；及复数个贯通电极TE，其与灭弧电阻R1电性连接且自主面1Na侧至主面1Nb侧为止贯通半导体基板1N而形成。搭载基板20包含对应于每个贯通电极TE而配置于主面20a侧之复数个电极E9。贯通电极TE与电极E9经由凸块电极BE而电性连接，且半导体基板1N之侧面1Nc与玻璃基板30之侧面30c为同一平面。

    正電子ＣＴ裝置及時序修正方法 POSITRON CT APPARATUS AND TIMING CORRECTION METHOD
    5.
    发明专利
    正電子ＣＴ裝置及時序修正方法 POSITRON CT APPARATUS AND TIMING CORRECTION METHOD 失效
    正电子ＣＴ设备及时序修正方法 POSITRON CT APPARATUS AND TIMING CORRECTION METHOD

    公开(公告)号：TW201200894A

    公开(公告)日：2012-01-01

    申请号：TW100117139

    申请日：2011-05-17

    申请人： 島津製作所股份有限公司

    发明人： 津田倫明 ,  佐藤允信

    IPC分类号： G01T

    CPC分类号： A61B6/037 ,  A61B6/4266 ,  A61B6/485 ,  G01T1/1647 ,  G01T1/172 ,  G01T1/2018 ,  G01T1/208 ,  G01T1/2985

    摘要： 本發明的PET裝置及時序修正方法為，選擇2個要進行同時計數之對象的γ射線檢測器3，且選擇該所選之2個γ射線檢測器3當中的一檢測器、即基準檢測器S，並選擇不同於另一對向檢測器O的γ射線檢測器3，在反覆進行該選擇之際，將和過去所選擇的2個γ射線檢測器3相關連之時差直方圖設為基準，依據該基準來修正和本次所選擇的2個γ射線檢測器3相關連的時差直方圖。然後，反覆進行以和該已修正過的2個γ射線檢測器3相關連的時差直方圖作為新基準的作業，藉此可在未反覆多次測定或運算之下求得最適當的時差直方圖。

    简体摘要： 本发明的PET设备及时序修正方法为，选择2个要进行同时计数之对象的γ射线检测器3，且选择该所选之2个γ射线检测器3当中的一检测器、即基准检测器S，并选择不同于另一对向检测器O的γ射线检测器3，在反复进行该选择之际，将和过去所选择的2个γ射线检测器3相关连之时差直方图设为基准，依据该基准来修正和本次所选择的2个γ射线检测器3相关连的时差直方图。然后，反复进行以和该已修正过的2个γ射线检测器3相关连的时差直方图作为新基准的作业，借此可在未反复多次测定或运算之下求得最适当的时差直方图。

    光電倍增管連接介面裝置 INTERFACE DEVICE FOR PHOTOMULTIPLIER TUBE
    6.
    发明专利
    光電倍增管連接介面裝置 INTERFACE DEVICE FOR PHOTOMULTIPLIER TUBE 失效
    光电倍增管连接界面设备 INTERFACE DEVICE FOR PHOTOMULTIPLIER TUBE

    公开(公告)号：TW200919526A

    公开(公告)日：2009-05-01

    申请号：TW096140014

    申请日：2007-10-25

    申请人： 行政院原子能委員會核能研究所 INSTITUTE OF NUCLEAR ENERGY RESEARCH ATOMIC ENERGY COUNCIL, EXECUTIVE YUAN

    发明人： 游適帆 YU, SHIH FAN ,  吳宗達 WU, TZONG DAR ,  詹美齡 JAN, MEEI LING

    IPC分类号： H01J

    CPC分类号： G01T1/208

    摘要： 本發明提供一種光電倍增管連接介面裝置,包括:一光電倍增模組以及一電路基板。該光電倍增模組,其前端具有複數個電性接腳。該電路基板,其一側面係具有複數電性接點,其係分別與該複數個電性接腳作電性連接,該電路基板之另一側面周圍具有一電性連接座,其係與該電性接點作電性連接。利用本發明之介面裝置可以改善習用光電倍增管電性接線裸露的問題,除了可以保護光電倍增管與電路基板間電性連接關係免於損壞以及減少高頻雜訊之外,更可以使得光電倍增管與該電路基板之組裝或者是更換更具便利性。

    简体摘要： 本发明提供一种光电倍增管连接界面设备,包括:一光电倍增模块以及一电路基板。该光电倍增模块,其前端具有复数个电性接脚。该电路基板,其一侧面系具有复数电性接点,其系分别与该复数个电性接脚作电性连接,该电路基板之另一侧面周围具有一电性连接座,其系与该电性接点作电性连接。利用本发明之界面设备可以改善习用光电倍增管电性接线裸露的问题,除了可以保护光电倍增管与电路基板间电性连接关系免于损坏以及减少高频噪声之外,更可以使得光电倍增管与该电路基板之组装或者是更换更具便利性。

    光偵測器電路及半導體裝置
    9.
    发明专利
    光偵測器電路及半導體裝置 审中-公开
    光侦测器电路及半导体设备

    公开(公告)号：TW201728161A

    公开(公告)日：2017-08-01

    申请号：TW106109791

    申请日：2013-09-09

    申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    发明人： 黒川義元 ,  KUROKAWA, YOSHIYUKI ,  鶴目卓也 ,  TSURUME, TAKUYA

    IPC分类号： H04N5/3745 ,  G01J1/44

    CPC分类号： H01L27/14643 ,  G01T1/2018 ,  G01T1/208 ,  H01L27/144 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14678 ,  H04N5/357 ,  H04N5/3745

    摘要： 提供能夠在不同週期取得訊號而不受光電轉換元件的特徵影響之光偵測器電路。光偵測器電路具有n個連接至光電轉換元件的訊號輸出電路(n是2或更大的自然數)。此外，n個訊號輸出電路均包含下述：電晶體，其閘極電位根據進入光電轉換元件的光量而變；第一切換元件，固持電晶體的閘極電位；以及，第二切換元件，控制電晶體輸出的訊號。因此，在根據進入光電轉換元件的光量之資料被固持作為電晶體的閘極電位之後，第二切換元件開啟，因而可以取得在不同週期的訊號而不受光電轉換元件的特徵影響。

    简体摘要： 提供能够在不同周期取得信号而不受光电转换组件的特征影响之光侦测器电路。光侦测器电路具有n个连接至光电转换组件的信号输出电路(n是2或更大的自然数)。此外，n个信号输出电路均包含下述：晶体管，其闸极电位根据进入光电转换组件的光量而变；第一切换组件，固持晶体管的闸极电位；以及，第二切换组件，控制晶体管输出的信号。因此，在根据进入光电转换组件的光量之数据被固持作为晶体管的闸极电位之后，第二切换组件打开，因而可以取得在不同周期的信号而不受光电转换组件的特征影响。