公开(公告)号：TWI607553B

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：TW105139115

申请日：2012-08-15

Applicant: 濱松赫德尼古斯股份有限公司 ,  HAMAMATSU PHOTONICS K. K.

Inventor： 永野輝昌 ,  NAGANO, TERUMASA ,  細川暢郎 ,  HOSOKAWA, NOBURO ,  鈴木智史 ,  SUZUKI, TOMOFUMI ,  馬場隆 ,  BABA, TAKASHI

IPC: H01L27/144

CPC classification number: H01L27/1446 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/14605 ,  H01L28/20 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/02322 ,  H01L31/107 ,  H01L2224/11

公开(公告)号：TWI591369B

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：TW104119277

申请日：2015-06-15

Applicant: JX金屬股份有限公司 ,  JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION

Inventor： 村上昌臣 ,  MURAKAMI, MASAOMI ,  三上充 ,  MIKAMI, MAKOTO ,  村上幸司 ,  MURAKAMI, KOUJI ,  野田朗 ,  NODA, AKIRA ,  伊森徹 ,  IMORI, TORU

IPC: G01T1/24 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/115

CPC classification number: G01T1/24 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/09 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14676 ,  H01L27/14696 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/02966 ,  H01L31/08 ,  H01L31/115 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05584 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664

公开(公告)号：TW201724533A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW104143693

申请日：2015-12-25

Applicant: 財團法人工業技術研究院 ,  INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE

Inventor： 許豐家 ,  HSU, FENG-CHIA ,  林育聖 ,  LIN, YU-SHENG ,  蔡俊胤 ,  TSAI, CHUN-YIN ,  邱勝任 ,  CHIU, SHENG-REN

IPC: H01L31/02 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L27/1443 ,  G01J5/023 ,  G01J5/024 ,  G01J5/10 ,  G01J5/12 ,  G01J5/20 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/024 ,  H01L31/18

Abstract: 一種光感測元件，其包括基材、半導體元件層、金屬與絕緣材料疊層結構以及光吸收層。基材具有凹陷部。半導體元件層位於基材上。金屬與絕緣材料疊層結構位於半導體元件層上且包括第一內連線結構以及位於第一內連線結構周圍之第二內連線結構以及元件導線。光吸收層位於金屬與絕緣材料疊層結構上，其中第一內連線結構位於光吸收層與半導體元件層之間，以使位於不同水平面的光吸收層以及半導體元件層彼此具有固體熱傳導途徑。

Abstract in simplified Chinese: 一种光传感组件，其包括基材、半导体组件层、金属与绝缘材料叠层结构以及光吸收层。基材具有凹陷部。半导体组件层位于基材上。金属与绝缘材料叠层结构位于半导体组件层上且包括第一内连接结构以及位于第一内连接结构周围之第二内连接结构以及组件导线。光吸收层位于金属与绝缘材料叠层结构上，其中第一内连接结构位于光吸收层与半导体组件层之间，以使位于不同水平面的光吸收层以及半导体组件层彼此具有固体热传导途径。

公开(公告)号：TW201717373A

公开(公告)日：2017-05-16

申请号：TW105123489

申请日：2016-07-25

Applicant: 光澄科技股份有限公司 ,  ARTILUX INC.

Inventor： 鄭斯璘 ,  CHENG, SZU-LIN ,  劉漢鼎 ,  LIU, HAN-DIN ,  陳書履 ,  CHEN, SHU-LU ,  那允中 ,  NA, YUN-CHUNG ,  陳慧文 ,  CHEN, HUI-WEN

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L31/1812 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1469 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0549 ,  H01L31/107 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547

Abstract: 本發明介紹的結構和技術能使用典型的半導體裝置製造技術以設計和製造光偵測器和/或其他電子電路，並減少對光偵測器性能的不利影響。本發明介紹的各種結構和技術的範例包括但不限於前置光偵測器同質晶圓接合技術、前置光偵測器異質晶圓接合技術、包括反射鏡之光偵測器結構、後置光偵測器晶圓接合技術及其組合。本發明以前述結構和技術，可使用典型的直接成長材料磊晶技術來實現光偵測器，同時減少由晶格差配而在材料介面處產生的缺陷層所產生的不利影響。

Abstract in simplified Chinese: 本发明介绍的结构和技术能使用典型的半导体设备制造技术以设计和制造光侦测器和/或其他电子电路，并减少对光侦测器性能的不利影响。本发明介绍的各种结构和技术的范例包括但不限于前置光侦测器同质晶圆接合技术、前置光侦测器异质晶圆接合技术、包括反射镜之光侦测器结构、后置光侦测器晶圆接合技术及其组合。本发明以前述结构和技术，可使用典型的直接成长材料磊晶技术来实现光侦测器，同时减少由晶格差配而在材料界面处产生的缺陷层所产生的不利影响。

公开(公告)号：TW201631626A

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：TW104138944

申请日：2015-11-24

Applicant: 光澄科技股份有限公司 ,  ARTILUX, INC.

Inventor： 鄭斯璘 ,  CHENG, SZU LIN ,  陳書履 ,  CHEN, SHU LU

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/0216 ,  H01L29/78 ,  H01L23/535 ,  H01L27/14 ,  H01L21/8234 ,  H01L31/18 ,  H01L31/028 ,  H01L31/105

CPC classification number: H01L31/02019 ,  H01L21/70 ,  H01L21/77 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53271 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/78 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1808 ,  H01L31/1868 ,  H01L31/1876

Abstract: 本文中所介紹的各項技術的範例包含，但是並不受限於在淺溝槽隔離構形期間的突丘高度調整方式、電晶體通道優先方式、以及多吸收層方式。如下面的進一步說明，本文中所介紹的技術包含能夠獨自及/或共同解決或減輕和在相同基板上製造PD以及電晶體有關的一或更多項傳統限制(例如，本文中所討論的可靠度問題、效能問題、以及製程溫度問題)的各式各樣觀點。

Abstract in simplified Chinese: 本文中所介绍的各项技术的范例包含，但是并不受限于在浅沟槽隔离构形期间的突丘高度调整方式、晶体管信道优先方式、以及多吸收层方式。如下面的进一步说明，本文中所介绍的技术包含能够独自及/或共同解决或减轻和在相同基板上制造PD以及晶体管有关的一或更多项传统限制(例如，本文中所讨论的可靠度问题、性能问题、以及制程温度问题)的各式各样观点。

公开(公告)号：TWI546948B

公开(公告)日：2016-08-21

申请号：TW101128809

申请日：2012-08-09

Applicant: 美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 舒柏 馬丁F ,  SCHUBERT, MARTIN F.

IPC: H01L27/15

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L27/153 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/03048 ,  H01L33/0012 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI456808B

公开(公告)日：2014-10-11

申请号：TW101104821

申请日：2012-02-15

Applicant: 歐斯朗奧托半導體股份有限公司 ,  OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： 赫爾曼 塞格佛萊 ,  HERRMANN, SIEGFRIED ,  伊雷克 史蒂芬 ,  ILLEK, STEFAN

IPC: H01L33/62

CPC classification number: H01L31/02002 ,  H01L31/02005 ,  H01L33/382 ,  H01L33/486 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0203 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/05 ,  H05K1/11 ,  H05K1/113 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/09781 ,  H05K2201/09845 ,  H05K2201/10106 ,  H05K2201/10121 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201421553A

公开(公告)日：2014-06-01

申请号：TW102142601

申请日：2009-08-17

Applicant: 住友電木股份有限公司 ,  SUMITOMO BAKELITE CO., LTD.

Inventor： 佐佐木曉嗣 ,  SASAKI, AKITSUGU

IPC: H01L21/30

CPC classification number: H01L24/75 ,  C08L33/10 ,  C08L33/12 ,  C08L63/00 ,  C09J7/10 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/24 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/02008 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/15798 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30105 ,  Y02E10/50 ,  C08L2666/22 ,  H01L2924/00014 ,  C08L25/08 ,  C08L51/00 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/05341 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

Abstract: 本發明提供一種半導體裝置之製造方法，其可將半導體元件與引線框架、有機基板等半導體元件搭載用支持構件於相對較低之溫度範圍內黏接，而不會對黏接性、作業性造成障礙，且可抑制空隙之產生。本發明之半導體裝置之製造方法係經由黏接薄膜之硬化物將半導體元件與支持構件黏接者，其特徵在於，依下述步驟(a)~(d)之順序進行：(a)準備附有黏接薄膜之半導體元件之步驟；(b)將附有黏接薄膜之半導體元件熱壓合於支持構件，獲得由附有黏接薄膜之半導體元件與支持構件所構成的半導體零件之熱壓合步驟；(c)使用加壓流體對由附有黏接薄膜之半導體元件與支持構件所構成的半導體零件進行加熱、加壓，進行黏接薄膜之硬化的加壓固化步驟；以及(d)將半導體元件與支持構件加以電性連接之步驟。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种半导体设备之制造方法，其可将半导体组件与引线框架、有机基板等半导体组件搭载用支持构件于相对较低之温度范围内黏接，而不会对黏接性、作业性造成障碍，且可抑制空隙之产生。本发明之半导体设备之制造方法系经由黏接薄膜之硬化物将半导体组件与支持构件黏接者，其特征在于，依下述步骤(a)~(d)之顺序进行：(a)准备附有黏接薄膜之半导体组件之步骤；(b)将附有黏接薄膜之半导体组件热压合于支持构件，获得由附有黏接薄膜之半导体组件与支持构件所构成的半导体零件之热压合步骤；(c)使用加压流体对由附有黏接薄膜之半导体组件与支持构件所构成的半导体零件进行加热、加压，进行黏接薄膜之硬化的加压固化步骤；以及(d)将半导体组件与支持构件加以电性连接之步骤。

公开(公告)号：TW201418812A

公开(公告)日：2014-05-16

申请号：TW102131571

申请日：2013-09-02

Applicant: 安華高科技通用IP(新加坡)公司 ,  AVAGO TECHNOLOGIES GENERAL IP (SINGAPORE) PTE. LTD.

Inventor： 泰 葛瑞 ,  TAY, GARY ,  杰羅梅瑞詹 普利庫馬爾 ,  JEROMERAJAN, PREMKUMAR ,  馬斯 高皮納斯 ,  MAASI, GOPINATH

IPC: G02B6/42 ,  G02B6/24

CPC classification number: G02B6/4246 ,  G02B6/4298 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/167 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本發明揭示一種光電裝置。該光電裝置可用作為使電路彼此電隔離之一單通道或多通道光耦合器。該光耦合器可包含促進光信號自一光源至一光偵測器之一有效率傳送的一或多個光導。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种光电设备。该光电设备可用作为使电路彼此电隔离之一单信道或多信道光耦合器。该光耦合器可包含促进光信号自一光源至一光侦测器之一有效率发送的一或多个光导。

公开(公告)号：TW201320320A

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：TW101128809

申请日：2012-08-09

Applicant: 美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 舒柏 馬丁F ,  SCHUBERT, MARTIN F.

IPC: H01L27/15

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L27/153 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/03048 ,  H01L33/0012 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明揭示一種高電壓固態轉換器(SST)裝置及其相關系統和方法。根據本技術之一特定實施例之一SST裝置包含一載體基板、一第一端子、一第二端子及串聯連接於該等第一與第二端子之間之複數個SST晶粒。該等個別SST晶粒可包含具有一p-n接面之一轉換器結構、一第一接觸件及一第二接觸件。該轉換器結構形成一第一區與一第二區之間之一邊界，其中該載體基板位於該第一區中。該等第一及第二端子可經組態以接收一輸出電壓且各SST晶粒可具有小於該輸出電壓之一正向接面電壓。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种高电压固态转换器(SST)设备及其相关系统和方法。根据本技术之一特定实施例之一SST设备包含一载体基板、一第一端子、一第二端子及串联连接于该等第一与第二端子之间之复数个SST晶粒。该等个别SST晶粒可包含具有一p-n接面之一转换器结构、一第一接触件及一第二接触件。该转换器结构形成一第一区与一第二区之间之一边界，其中该载体基板位于该第一区中。该等第一及第二端子可经组态以接收一输出电压且各SST晶粒可具有小于该输出电压之一正向接面电压。