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    片二次電池之製造裝置、片二次電池之製造方法及片元件之製造方法
    1.
    发明专利
    片二次電池之製造裝置、片二次電池之製造方法及片元件之製造方法 审中-公开
    片二次电池之制造设备、片二次电池之制造方法及片组件之制造方法

    公开(公告)号：TW201813175A

    公开(公告)日：2018-04-01

    申请号：TW106126919

    申请日：2017-08-09

    申请人： 日商日本麥克隆尼股份有限公司 ,  KABUSHIKI KAISHA NIHON MICRONICS

    发明人： 溝江佳亮 ,  MIZOE, YOSHIAKI ,  田中克己 ,  TANAKA, KATSUMI ,  植木勲 ,  UEKI, ISAO

    IPC分类号： H01M10/04

    CPC分类号： B01J19/12 ,  H01G13/00 ,  H01M10/04

    摘要： 本發明之片二次電池之製造裝置(100)係於片之兩面形成有元件之片二次電池之製造裝置(100)，且包括：一對搬送捲筒，具有捲取捲筒(64)及送出捲筒(63)；夾盤台(10)，進行藉由一對搬送捲筒而張設之片(70)之吸附；升降機構(66)，於夾盤台(10)未吸附片(70)時使夾盤台升降；紫外線燈(22)，對吸附於夾盤台(10)之片(70)照射光；冷卻器(23)，將吸附於夾盤台(10)之片冷卻；以及控制部(27)，以於夾盤台(10)與片(70)相隔開之狀態下搬送片(70)的方式驅動一對搬送捲筒。

    简体摘要： 本发明之片二次电池之制造设备(100)系于片之两面形成有组件之片二次电池之制造设备(100)，且包括：一对搬送卷筒，具有卷取卷筒(64)及送出卷筒(63)；夹盘台(10)，进行借由一对搬送卷筒而张设之片(70)之吸附；直升电梯构(66)，于夹盘台(10)未吸附片(70)时使夹盘台升降；紫外线灯(22)，对吸附于夹盘台(10)之片(70)照射光；冷却器(23)，将吸附于夹盘台(10)之片冷却；以及控制部(27)，以于夹盘台(10)与片(70)相隔开之状态下搬送片(70)的方式驱动一对搬送卷筒。

    陶瓷生片製造工程用剝離膜
    2.
    发明专利
    陶瓷生片製造工程用剝離膜 审中-公开
    陶瓷生片制造工程用剥离膜

    公开(公告)号：TW201725117A

    公开(公告)日：2017-07-16

    申请号：TW105140204

    申请日：2016-12-06

    申请人： 琳得科股份有限公司 ,  LINTEC CORPORATION

    发明人： 佐藤慶一 ,  SATO, KEIICHI ,  深谷知巳 ,  FUKAYA, TOMOMI

    IPC分类号： B32B27/08 ,  B32B27/36 ,  H01G4/12 ,  B32B27/42

    CPC分类号： B28B1/30 ,  B32B27/00 ,  B32B27/36 ,  H01G13/00

    摘要： 一種陶瓷生片製造工程用剝離膜1A，其係具備基材11、及設置在基材11的一側之剝離劑層12之陶瓷生片製造工程用剝離膜1A；該剝離劑層12係將含有三聚氰胺樹脂及聚有機矽氧烷之剝離劑組成物硬化而成者，藉由奈米壓痕試驗，在從剝離劑層12之與基材11為相反側的面所測定之被膜彈性模數為3.5~7.0GPa。使用此種陶瓷生片製造工程用剝離膜1A時，能夠抑制聚有機矽氧烷從剝離劑層往陶瓷生片遷移。

    简体摘要： 一种陶瓷生片制造工程用剥离膜1A，其系具备基材11、及设置在基材11的一侧之剥离剂层12之陶瓷生片制造工程用剥离膜1A；该剥离剂层12系将含有三聚氰胺树脂及聚有机硅氧烷之剥离剂组成物硬化而成者，借由奈米压痕试验，在从剥离剂层12之与基材11为相反侧的面所测定之被膜弹性模数为3.5~7.0GPa。使用此种陶瓷生片制造工程用剥离膜1A时，能够抑制聚有机硅氧烷从剥离剂层往陶瓷生片迁移。

    積層陶瓷電子零件之製造方法
    7.
    发明专利
    積層陶瓷電子零件之製造方法 审中-公开
    积层陶瓷电子零件之制造方法

    公开(公告)号：TW201303932A

    公开(公告)日：2013-01-16

    申请号：TW101114774

    申请日：2012-04-25

    申请人： 村田製作所股份有限公司 ,  MURATA MANUFACTURING CO., LTD.

    发明人： 濱中建一 ,  HAMANAKA, KENICHI ,  伊藤英治 ,  ITO, EIJI ,  山下泰治 ,  YAMASHITA, YASUHARU ,  岡島健一 ,  OKAJIMA, KENICHI ,  松井透悟 ,  MATSUI, TOGO

    IPC分类号： H01G4/12 ,  H01G4/30

    CPC分类号： H01G4/30 ,  B32B37/00 ,  B32B38/0004 ,  C04B37/00 ,  C04B2237/00 ,  C04B2237/12 ,  H01G4/12 ,  H01G7/00 ,  H01G13/00

    摘要： 本發明提供一種可藉由對於積層體晶片之側面具有所需之絕緣體部之厚度而獲得電氣特性穩定之高可靠性之積層陶瓷電子零件的積層陶瓷電子零件之製造方法。本發明之積層陶瓷電子零件之製造方法包括如下步驟：準備以使內部電極之兩側端緣於側面露出之方式而形成之積層體晶片；將積層體晶片之一側面及另一側面抵壓至具有任意體積之溝槽且於上述體積之溝槽內填充有絕緣體部用糊膏之金屬板，且於將積層體晶片自金屬板拉離時使金屬板向任意方向搖動，從而形成第1絕緣體部及第2絕緣體部；進而對形成有第1絕緣體部及第2絕緣體部之積層體晶片進行煅燒。絕緣體部用糊膏之特徵在於黏度為500 Pa．s~2500 Pa．s，且無機固形物成分之含量C(vol%)滿足特定條件。

    简体摘要： 本发明提供一种可借由对于积层体芯片之侧面具有所需之绝缘体部之厚度而获得电气特性稳定之高可靠性之积层陶瓷电子零件的积层陶瓷电子零件之制造方法。本发明之积层陶瓷电子零件之制造方法包括如下步骤：准备以使内部电极之两侧端缘于侧面露出之方式而形成之积层体芯片；将积层体芯片之一侧面及另一侧面抵压至具有任意体积之沟槽且于上述体积之沟槽内填充有绝缘体部用煳膏之金属板，且于将积层体芯片自金属板拉离时使金属板向任意方向摇动，从而形成第1绝缘体部及第2绝缘体部；进而对形成有第1绝缘体部及第2绝缘体部之积层体芯片进行煅烧。绝缘体部用煳膏之特征在于黏度为500 Pa．s~2500 Pa．s，且无机固形物成分之含量C(vol%)满足特定条件。

    電子零件測定裝置及其控制方法 電子零件測定裝置及其控制方法
    9.
    发明专利
    電子零件測定裝置及其控制方法 電子零件測定裝置及其控制方法 有权
    电子零件测定设备及其控制方法 电子零件测定设备及其控制方法

    公开(公告)号：TWI330165B

    公开(公告)日：2010-09-11

    申请号：TW095133140

    申请日：2006-09-08

    申请人： 村田製作所股份有限公司

    发明人： 池田充

    IPC分类号： B65G ,  G01R

    CPC分类号： B65G47/1485 ,  B65G47/1457 ,  B65G47/525 ,  H01G13/00

    摘要： 本發明，可得到在運轉停止時可從搬送構件之貫通孔內排出所有電子零件、且能抑制不良品產生之電子零件測定裝置及其控制方法。
    在使電子零件測定裝置之運轉停止時，停止貫通孔3內之負壓狀態，再從壓縮空氣噴出機構10之噴出口11噴出較電子零件測定裝置之運轉時更強的壓縮空氣。藉此，即於貫通孔3之導引構件5側之開口部產生氣簾，防止電子零件30進入貫通孔3內。又，位於噴出口11位置之搬送方向X下游側之貫通孔3內的殘留電子零件30，被搬送至測定區間加以測定，且在排出區間被排出機構排出，其後，即停止搬送構件2之旋轉。

    简体摘要： 本发明，可得到在运转停止时可从搬送构件之贯通孔内排出所有电子零件、且能抑制不良品产生之电子零件测定设备及其控制方法。 在使电子零件测定设备之运转停止时，停止贯通孔3内之负压状态，再从压缩空气喷出机构10之喷出口11喷出较电子零件测定设备之运转时更强的压缩空气。借此，即于贯通孔3之导引构件5侧之开口部产生气帘，防止电子零件30进入贯通孔3内。又，位于喷出口11位置之搬送方向X下游侧之贯通孔3内的残留电子零件30，被搬送至测定区间加以测定，且在排出区间被排出机构排出，其后，即停止搬送构件2之旋转。

    疊層陶磁電容器之篩選方法 SCREENING METHOD FOR LAMINATED CERAMIC CAPACITORS
    10.
    发明专利
    疊層陶磁電容器之篩選方法 SCREENING METHOD FOR LAMINATED CERAMIC CAPACITORS 失效
    叠层陶磁电容器之筛选方法 SCREENING METHOD FOR LAMINATED CERAMIC CAPACITORS

    公开(公告)号：TWI329327B

    公开(公告)日：2010-08-21

    申请号：TW093128660

    申请日：2004-09-22

    申请人： TDK股份有限公司

    发明人： 伊東和則 ,  堀江優作 ,  長谷部和幸

    IPC分类号： H01G

    CPC分类号： G01R31/028 ,  H01G4/30 ,  H01G13/00

    摘要： 本案提供一種疊層陶瓷電容器的篩選方法，其不會產生電致伸縮破裂(electrostrictive crack)，亦不會對端子電極造成損傷，保證具有高度的可靠度。
    本案的疊層陶瓷電容器C係於介電體基體1的內部層狀地埋設複數個內部電極21、22，內部電極21係與位於介電體基體1之外側的一對端子電極3、4形成導通，端子電極3、4具有以錫(Sn)作為主成份的最外層33、43，篩選方法係包含將疊層陶瓷電容器C置於125℃以上180℃以下的溫度環境下，並於端子電極3-4之間施加直流電壓以測定直流絕緣阻抗之步驟，而施加直流電壓的步驟係包括第一步驟及第二步驟；第一步驟係施加20~40(V/μm)之範圍內的直流電壓V1(V/μm)，第二步驟係於第一步驟結束後施加考慮於額定電壓的直流電壓V2(V)。

    简体摘要： 本案提供一种叠层陶瓷电容器的筛选方法，其不会产生电致伸缩破裂(electrostrictive crack)，亦不会对端子电极造成损伤，保证具有高度的可靠度。 本案的叠层陶瓷电容器C系于介电体基体1的内部层状地埋设复数个内部电极21、22，内部电极21系与位于介电体基体1之外侧的一对端子电极3、4形成导通，端子电极3、4具有以锡(Sn)作为主成份的最外层33、43，筛选方法系包含将叠层陶瓷电容器C置于125℃以上180℃以下的温度环境下，并于端子电极3-4之间施加直流电压以测定直流绝缘阻抗之步骤，而施加直流电压的步骤系包括第一步骤及第二步骤；第一步骤系施加20~40(V/μm)之范围内的直流电压V1(V/μm)，第二步骤系于第一步骤结束后施加考虑于额定电压的直流电压V2(V)。