公开(公告)号：TW201724210A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW105119570

申请日：2016-06-22

Applicant: 迪思科股份有限公司 ,  DISCO CORPORATION

Inventor： 梁仙一 ,  RYO, SENICHI ,  松本浩一 ,  MATSUMOTO, HIROKAZU ,  吉川敏行 ,  YOSHIKAWA, TOSHIYUKI ,  大浦幸伸 ,  OHURA, YUKINOBU

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  B23K26/53 ,  B23K26/57

CPC classification number: H01L21/02076 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/02098 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2223/5446

Abstract: 提供可抑制異物發生之晶圓之加工方法。晶圓之加工方法係在藉由形成在由InP所成之基板的表面的複數切割道被區劃的複數區域，將元件及形成有凸塊的晶圓，沿著切割道進行雷射加工的方法。晶圓之加工方法係包含：保持晶圓的工程(ST1)；在晶圓表面形成水溶性保護膜的保護膜形成工程(ST2)；沿著切割道，對晶圓照射雷射光的雷射光照射工程(ST3)；在照射雷射光後，將晶圓洗淨來去除保護膜的洗淨工程(ST4)；及在洗淨工程(ST4)後，藉由雷射光照射工程(ST3)而在雷射加工部生成之含磷的反應生成物會氣化而與空氣中的水分起反應，在凸塊上生成含磷異物，在洗淨工程(ST4)後且經過預定時間後，將異物去除的異物去除工程(ST6)。

Abstract in simplified Chinese: 提供可抑制异物发生之晶圆之加工方法。晶圆之加工方法系在借由形成在由InP所成之基板的表面的复数切割道被区划的复数区域，将组件及形成有凸块的晶圆，沿着切割道进行激光加工的方法。晶圆之加工方法系包含：保持晶圆的工程(ST1)；在晶圆表面形成水溶性保护膜的保护膜形成工程(ST2)；沿着切割道，对晶圆照射激光光的激光光照射工程(ST3)；在照射激光光后，将晶圆洗净来去除保护膜的洗净工程(ST4)；及在洗净工程(ST4)后，借由激光光照射工程(ST3)而在激光加工部生成之含磷的反应生成物会气化而与空气中的水分起反应，在凸块上生成含磷异物，在洗净工程(ST4)后且经过预定时间后，将异物去除的异物去除工程(ST6)。

公开(公告)号：TW201625421A

公开(公告)日：2016-07-16

申请号：TW104132962

申请日：2015-10-07

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 施應慶 ,  SHIH, YING CHING ,  林俊成 ,  LIN, JING CHENG ,  盧思維 ,  LU, SZU WEI

IPC: B32B38/16 ,  B32B43/00 ,  B32B38/10

CPC classification number: B32B43/006 ,  B32B38/10 ,  B32B38/162 ,  B32B38/1858 ,  B32B2310/0825 ,  B32B2310/0831 ,  B32B2310/0843 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/02076 ,  H01L21/02079 ,  H01L21/02096 ,  H01L21/02098 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/68785 ,  H01L24/96 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/95001 ,  Y10S901/40 ,  Y10S901/43 ,  Y10T156/1111 ,  Y10T156/1158 ,  Y10T156/1917 ,  Y10T156/1928

Abstract: 本申請案係揭露用於剝離與清理基板的方法與工具。方法包含從第二基板剝離第一基板的表面，以及在剝離之後，清理第一基板的表面。清理步驟包括將清理機構實體接觸第一基板的表面。工具包含剝離模組與清理模組。剝離模組包括第一卡盤、用以朝向第一卡盤發射輻射的輻射源、以及具有真空系統的第一機器手臂。真空系統係用以固定且自第一卡盤移除基板。清理模組包括第二卡盤、用以朝向第二卡盤噴灑流體的噴嘴、以及具有清理裝置的第二機器手臂，用以將清理裝置實體接觸第二卡盤上的基板。

Abstract in simplified Chinese: 本申请案系揭露用于剥离与清理基板的方法与工具。方法包含从第二基板剥离第一基板的表面，以及在剥离之后，清理第一基板的表面。清理步骤包括将清理机构实体接触第一基板的表面。工具包含剥离模块与清理模块。剥离模块包括第一卡盘、用以朝向第一卡盘发射辐射的辐射源、以及具有真空系统的第一机器手臂。真空系统系用以固定且自第一卡盘移除基板。清理模块包括第二卡盘、用以朝向第二卡盘喷洒流体的喷嘴、以及具有清理设备的第二机器手臂，用以将清理设备实体接触第二卡盘上的基板。

公开(公告)号：TWI601641B

公开(公告)日：2017-10-11

申请号：TW104132962

申请日：2015-10-07

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 施應慶 ,  SHIH, YING CHING ,  林俊成 ,  LIN, JING CHENG ,  盧思維 ,  LU, SZU WEI

IPC: B32B38/16 ,  B32B43/00 ,  B32B38/10

CPC classification number: B32B43/006 ,  B32B38/10 ,  B32B38/162 ,  B32B38/1858 ,  B32B2310/0825 ,  B32B2310/0831 ,  B32B2310/0843 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/02076 ,  H01L21/02079 ,  H01L21/02096 ,  H01L21/02098 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/68785 ,  H01L24/96 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/95001 ,  Y10S901/40 ,  Y10S901/43 ,  Y10T156/1111 ,  Y10T156/1158 ,  Y10T156/1917 ,  Y10T156/1928