利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

35 条记录 (耗时 0.015 秒)

    與一射頻濾波器或雙工器之低損失旁路相關的系統、電路及方法
    1.
    发明专利
    與一射頻濾波器或雙工器之低損失旁路相關的系統、電路及方法 审中-公开
    与一射频滤波器或双工器之低损失旁路相关的系统、电路及方法

    公开(公告)号：TW201526543A

    公开(公告)日：2015-07-01

    申请号：TW103140512

    申请日：2014-11-21

    申请人： 西凱渥資訊處理科技公司 ,  SKYWORKS SOLUTIONS, INC.

    发明人： 懷特菲爾德 大衛 史考特 ,  WHITEFIELD, DAVID SCOTT ,  史托瑞 大衛 萊恩 ,  STORY, DAVID RYAN ,  斯里拉坦那 努塔彭 ,  SRIRATTANA, NUTTAPONG ,  伊凡斯 戴瑞爾 伊爾 ,  EVANS, DARRYL EARL

    IPC分类号： H03K17/00

    CPC分类号： H01P5/16 ,  H01P1/10 ,  H01P1/15 ,  H01P1/20 ,  H01P1/213 ,  H01P5/12 ,  H01P11/00 ,  H04B1/00 ,  H04B1/401

    摘要： 本發明揭示與一射頻(RF)濾波器或雙工器之低損失旁路相關的系統、電路及方法。在一些實施例中，一種開關網路電路可包括一第一開關，該第一開關具有經組態以接收一射頻(RF)信號之一輸入極點、經組態以可連接至該輸入極點以允許將該RF信號投送至一RF組件之一直通投點及經組態以可連接至該輸入極點及至少一個旁路傳導路徑之至少一個專用旁路投點。該開關網路電路可進一步包括一第二開關，該第二開關具有一極點及一投點，且可連接於該RF組件之一輸出與該旁路傳導路徑之間。在該第一開關中使用該(該等)專用旁路投點允許該濾波器或雙工器之低損失旁路之實施。

    简体摘要： 本发明揭示与一射频(RF)滤波器或双工器之低损失旁路相关的系统、电路及方法。在一些实施例中，一种开关网络电路可包括一第一开关，该第一开关具有经组态以接收一射频(RF)信号之一输入极点、经组态以可连接至该输入极点以允许将该RF信号投送至一RF组件之一直通投点及经组态以可连接至该输入极点及至少一个旁路传导路径之至少一个专用旁路投点。该开关网络电路可进一步包括一第二开关，该第二开关具有一极点及一投点，且可连接于该RF组件之一输出与该旁路传导路径之间。在该第一开关中使用该(该等)专用旁路投点允许该滤波器或双工器之低损失旁路之实施。

    最佳化一射頻單極雙投開關之隔離及插入損耗
    2.
    发明专利
    最佳化一射頻單極雙投開關之隔離及插入損耗 审中-公开
    最优化一射频单极双投开关之隔离及插入损耗

    公开(公告)号：TW201448464A

    公开(公告)日：2014-12-16

    申请号：TW103108024

    申请日：2014-03-07

    申请人： 微晶片科技公司 ,  MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED

    发明人： 柯永林 ,  KOK, YON-LIN

    IPC分类号： H03K17/687 ,  H04B1/44

    CPC分类号： H04B1/44 ,  H01P1/15 ,  H01P1/213 ,  H03H7/465

    摘要： 本發明揭示一種單極雙投(SPDT)開關，其製造於一積體電路(IC)上且可包括兩個射頻(RF)開關裝置，該兩個射頻開關裝置之每一者具有耦合於各自RF開關裝置與一共用節點之間的一獨自的DC阻斷電容器。在該兩個RF開關裝置之間使用一細導電線提供一DC連接。此細導電線提供該兩個RF開關裝置之間的增大之隔離及減小之插入損耗。藉由在符合阻抗匹配條件時透過該細導電線之特性阻抗調諧該線而完成該增大之隔離及/或減小之插入損耗。藉由使用進一步降低該(該等)細電線電感之兩個或兩個以上細導電線可實質上降低在該SPDT開關中之非所要電路諧振。

    简体摘要： 本发明揭示一种单极双投(SPDT)开关，其制造于一集成电路(IC)上且可包括两个射频(RF)开关设备，该两个射频开关设备之每一者具有耦合于各自RF开关设备与一共享节点之间的一独自的DC阻断电容器。在该两个RF开关设备之间使用一细导电线提供一DC连接。此细导电线提供该两个RF开关设备之间的增大之隔离及减小之插入损耗。借由在符合阻抗匹配条件时透过该细导电线之特性阻抗调谐该线而完成该增大之隔离及/或减小之插入损耗。借由使用进一步降低该(该等)细电线电感之两个或两个以上细导电线可实质上降低在该SPDT开关中之非所要电路谐振。

    射頻切換 RF SWITCHES
    3.
    发明专利
    射頻切換 RF SWITCHES 审中-公开
    射频切换 RF SWITCHES

    公开(公告)号：TW201212554A

    公开(公告)日：2012-03-16

    申请号：TW100114507

    申请日：2011-04-26

    申请人： 艾康半導體公司

    发明人： 馬司里亞 丹尼斯

    IPC分类号： H04B

    CPC分类号： H01Q1/50 ,  H01P1/127 ,  H01P1/15 ,  H04B1/44

    摘要： 提供RF切換裝置,其交替地將一天線耦合至一傳輸器放大器或一接收器放大器。一例示性RF切換裝置包含兩個閥門,一個閥門用於該天線與該接收器放大器之間的一接收器傳輸線,另一個閥門用於該天線與功率放大器之間的一傳輸器傳輸線。每一閥門可切換地耦合於接地與其傳輸線之間。在耦合至接地時,流經該閥門之電流增大該傳輸線之阻抗,藉此衰減該傳輸線上之信號。在自接地解耦時,該傳輸線之該阻抗基本上不受影響。控制該對閥門以使得在一個閥門接通時,另一個閥門斷開,且在一個閥門斷開時,另一個閥門接通,使得該天線自該功率放大器接收信號,或該接收器放大器自該天線接收信號。

    简体摘要： 提供RF切换设备,其交替地将一天线耦合至一传输器放大器或一接收器放大器。一例示性RF切换设备包含两个阀门,一个阀门用于该天线与该接收器放大器之间的一接收器传输线,另一个阀门用于该天线与功率放大器之间的一传输器传输线。每一阀门可切换地耦合于接地与其传输线之间。在耦合至接地时,流经该阀门之电流增大该传输线之阻抗,借此衰减该传输在线之信号。在自接地解耦时,该传输线之该阻抗基本上不受影响。控制该对阀门以使得在一个阀门接通时,另一个阀门断开,且在一个阀门断开时,另一个阀门接通,使得该天线自该功率放大器接收信号,或该接收器放大器自该天线接收信号。

    天線切換電路的安裝構造
    4.
    发明专利
    天線切換電路的安裝構造 失效
    天线切换电路的安装构造

    公开(公告)号：TW569559B

    公开(公告)日：2004-01-01

    申请号：TW091117481

    申请日：2002-08-02

    申请人： 阿爾普士電氣股份有限公司 ALPS ELECTRIC CO., LTD.

    发明人： 馬場敏喜

    IPC分类号： H04B ,  H01P

    CPC分类号： H04B1/48 ,  H01P1/15

    摘要： 〔課題〕 儘量減小開關二極體本身所具有的內部的浮游電容，使得由與低通濾波器的組合的傳送特性而產生的共振頻率移動到接收不會受到影響之高的一方。
    〔解決手段〕 將第一開關二極體4連接到第一導體圖案1a與第二導體圖案1b之間，將電感器元件5a連接到第一導體圖案1a與第三導體圖案1c之間，此外，也將第一電容元件5c連接到第三導體圖案1c與第四導體圖案1d之間，以裸晶片8a構成第二開關二極體8，除了將裸晶片8a載置在第四導體圖案1d上外，也將其陰極連接到第四導體圖案1d，藉由接合線9將裸晶片8a的陽極連接到第三導體圖案1c。

    简体摘要： 〔课题〕 尽量减小开关二极管本身所具有的内部的浮游电容，使得由与低通滤波器的组合的发送特性而产生的共振频率移动到接收不会受到影响之高的一方。 〔解决手段〕 将第一开关二极管4连接到第一导体图案1a与第二导体图案1b之间，将电感器组件5a连接到第一导体图案1a与第三导体图案1c之间，此外，也将第一电容组件5c连接到第三导体图案1c与第四导体图案1d之间，以裸芯片8a构成第二开关二极管8，除了将裸芯片8a载置在第四导体图案1d上外，也将其阴极连接到第四导体图案1d，借由接合线9将裸芯片8a的阳极连接到第三导体图案1c。

    高頻切換電路
    5.
    发明专利
    高頻切換電路 失效
    高频切换电路

    公开(公告)号：TW522645B

    公开(公告)日：2003-03-01

    申请号：TW091101641

    申请日：2002-01-31

    申请人： 日本電氣股份有限公司

    发明人： 沼田圭市

    IPC分类号： H03K

    CPC分类号： H03K17/693 ,  H01P1/15

    摘要： 一種高頻切換電路包括：複數高頻端子(101、102、103)，輸出入高頻信號；及複數高頻半導體開關部(121、122)，開閉這些高頻端子之間。在構造上複數高頻半導體開關部各自利用直流電位分離部(131)在直流狀態彼此分離，而且處於和對在各高頻半導體開關部之控制側所配置之切換信號端子(111、112)作用之直流電位相反之關係之直流電位作用於各高頻半導體開關部之輸入側及輸出側之兩側或至少一側。

    简体摘要： 一种高频切换电路包括：复数高频端子(101、102、103)，输出入高频信号；及复数高频半导体开关部(121、122)，开闭这些高频端子之间。在构造上复数高频半导体开关部各自利用直流电位分离部(131)在直流状态彼此分离，而且处于和对在各高频半导体开关部之控制侧所配置之切换信号端子(111、112)作用之直流电位相反之关系之直流电位作用于各高频半导体开关部之输入侧及输出侧之两侧或至少一侧。

    電晶體單刀單擲電路裝置 SINGLE-POLE SINGLE-THROW SWITCH CIRCUIT DEVICE
    9.
    发明专利
    電晶體單刀單擲電路裝置 SINGLE-POLE SINGLE-THROW SWITCH CIRCUIT DEVICE 失效
    晶体管单刀单掷电路设备 SINGLE-POLE SINGLE-THROW SWITCH CIRCUIT DEVICE

    公开(公告)号：TWI350053B

    公开(公告)日：2011-10-01

    申请号：TW097102781

    申请日：2008-01-25

    申请人： 國立臺灣大學

    发明人： 鄧平援 ,  江簡富

    IPC分类号： H03K ,  H01L

    CPC分类号： H01P1/15 ,  H03K17/693

    摘要： 一種電晶體單刀單擲電路裝置，係至少包括一具有第一電晶體以及第二電晶體之電晶體單刀單擲電路，以及一電感電容(LC)共振器，該LC共振器之電感與電容係為一串聯架構，且該LC共振器之兩端係連接於第一電晶體之第一源極與第一汲極。又該電晶體單刀單擲電路裝置係採用一電感與電容串聯之LC共振器連接於該第一電晶體之該第一源極與該第一汲極，而該電感可與電晶體之寄生電容產生耦合共振，以降低寄生電容對於習知單刀單擲電路於選取較大寬度之開關電晶體時，湧現寄生電容所致生之訊號損耗。

    简体摘要： 一种晶体管单刀单掷电路设备，系至少包括一具有第一晶体管以及第二晶体管之晶体管单刀单掷电路，以及一电感电容(LC)共振器，该LC共振器之电感与电容系为一串联架构，且该LC共振器之两端系连接于第一晶体管之第一源极与第一汲极。又该晶体管单刀单掷电路设备系采用一电感与电容串联之LC共振器连接于该第一晶体管之该第一源极与该第一汲极，而该电感可与晶体管之寄生电容产生耦合共振，以降低寄生电容对于习知单刀单掷电路于选取较大宽度之开关晶体管时，涌现寄生电容所致生之信号损耗。

    絕緣層上半導體射頻開關之偏壓生成電路 BIAS VOLTAGE GENERATION CIRCUIT FOR AN SOI RADIO FREQUENCY SWITCH
    10.
    发明专利
    絕緣層上半導體射頻開關之偏壓生成電路 BIAS VOLTAGE GENERATION CIRCUIT FOR AN SOI RADIO FREQUENCY SWITCH 审中-公开
    绝缘层上半导体射频开关之偏压生成电路 BIAS VOLTAGE GENERATION CIRCUIT FOR AN SOI RADIO FREQUENCY SWITCH

    公开(公告)号：TW201110329A

    公开(公告)日：2011-03-16

    申请号：TW098139763

    申请日：2009-11-23

    申请人： 萬國商業機器公司

    发明人： 波圖拉 亞倫B ,  諾瓦克 愛德華J

    IPC分类号： H01L ,  H01P

    CPC分类号： H01L27/1203 ,  H01L27/0218 ,  H01P1/15 ,  H03K17/693 ,  H03K2217/0018

    摘要： 本發明揭示一種射頻(radio frequency,RF)開關,其位於包含一底端半導體層內至少一電偏壓(electrically biased)區的一絕緣層上半導體(,semiconductor-on-insulator,SOI)基板上。該RF開關接收來自一功率放大器的一RF信號,並將該RF信號傳輸至一天線。該電偏壓區可被偏壓來消除或縮小積累區(accumulation region)、穩定一空乏區,及/或避免在該底端半導體層內形成一反轉區,藉此減少由於該RF信號產生的寄生耦合與諧波。一電壓分壓器(divider)電路與一整流器電路產生至少一偏壓,其幅度隨該RF信號的幅度而變。將該至少一偏壓供應給該至少一電偏壓區來維持該底端半導體層的適當偏壓,以將寄生耦合、信號耗損以及諧波生成降至最少。

    简体摘要： 本发明揭示一种射频(radio frequency,RF)开关,其位于包含一底端半导体层内至少一电偏压(electrically biased)区的一绝缘层上半导体(,semiconductor-on-insulator,SOI)基板上。该RF开关接收来自一功率放大器的一RF信号,并将该RF信号传输至一天线。该电偏压区可被偏压来消除或缩小积累区(accumulation region)、稳定一空乏区,及/或避免在该底端半导体层内形成一反转区,借此减少由于该RF信号产生的寄生耦合与谐波。一电压分压器(divider)电路与一整流器电路产生至少一偏压,其幅度随该RF信号的幅度而变。将该至少一偏压供应给该至少一电偏压区来维持该底端半导体层的适当偏压,以将寄生耦合、信号耗损以及谐波生成降至最少。