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公开(公告)号：TW201720052A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105123947
申请日：2016-07-28
发明人： 巴提努 佛羅奈爾G , BALTEANU, FLORINEL G. , 迪卡羅 保羅T , DICARLO, PAUL T. , 金波詩 , JIN BOSHI , 史賓克勒 史蒂芬 克里斯多弗 , SPRINKLE, STEVEN CHRISTOPHER , 懷特菲德 大衛 史考特 , WHITEFIELD, DAVID SCOTT
CPC分类号： H03F1/0277 , H03F1/0266 , H03F1/0272 , H03F1/223 , H03F1/56 , H03F3/19 , H03F3/193 , H03F3/245 , H03F2200/102 , H03F2200/222 , H03F2200/318 , H03F2200/387 , H03F2200/451
摘要： 本文中揭示功率放大(PA)系統，該等PA系統經組態以放大一信號，諸如一射頻信號。該PA系統包括經組態以放大在一信號輸入端處接收之一信號且在一信號輸出端處輸出該經放大信號的複數個功率放大器。該等功率放大器經組態以接收一供應電壓，該供應電壓為一電池電壓與一包絡追蹤信號之一組合。該PA系統包括一PA控制器，該PA控制器經組態以至少部分地基於該電池電壓或該等功率放大器之一功率輸出而控制該等功率放大器。該PA控制器可經組態以更改該PA系統之阻抗匹配組件以重組態該等功率放大器之一負載線。
简体摘要： 本文中揭示功率放大(PA)系统，该等PA系统经组态以放大一信号，诸如一射频信号。该PA系统包括经组态以放大在一信号输入端处接收之一信号且在一信号输出端处输出该经放大信号的复数个功率放大器。该等功率放大器经组态以接收一供应电压，该供应电压为一电池电压与一包络追踪信号之一组合。该PA系统包括一PA控制器，该PA控制器经组态以至少部分地基于该电池电压或该等功率放大器之一功率输出而控制该等功率放大器。该PA控制器可经组态以更改该PA系统之阻抗匹配组件以重组态该等功率放大器之一负载线。
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公开(公告)号：TW201633600A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW104141172
申请日：2015-12-08
发明人： 斯里拉坦那 努塔彭 , SRIRATTANA, NUTTAPONG , 史托瑞 大衛 萊恩 , STORY, DAVID RYAN , 懷特菲德 大衛 史考特 , WHITEFIELD, DAVID SCOTT , 劉志陽 , LIU,ZHIYANG
CPC分类号： H01P5/185
摘要： 態樣係關於一種具有一多區段耦合線之射頻(RF)耦合器。一裝置之一實例包含：一RF耦合器，其至少具有一功率輸入埠、一耦合埠及一隔離埠，該RF耦合器經組態以在一正向功率狀態中於該耦合埠處提供一RF輸入信號之正向RF功率之一指示且在一反向功率狀態中於該隔離埠處提供該RF信號之反向RF功率之一指示；一終端阻抗電路，其經組態以提供一可調整終端阻抗；及一開關電路，其經組態以在該正向功率狀態中使該終端阻抗電路電連接至該隔離埠且在該反向功率狀態中使該終端阻抗電路與該RF耦合器之該隔離埠電隔離。一裝置之另一實例包含一RF耦合器，其包含一功率輸入埠、一功率輸出埠、一耦合埠、一多區段耦合線及一開關，該開關經組態以調整電連接至該耦合埠之該多區段耦合線之一有效長度。
简体摘要： 态样系关于一种具有一多区段耦合线之射频(RF)耦合器。一设备之一实例包含：一RF耦合器，其至少具有一功率输入端口、一耦合端口及一隔离端口，该RF耦合器经组态以在一正向功率状态中于该耦合端口处提供一RF输入信号之正向RF功率之一指示且在一反向功率状态中于该隔离端口处提供该RF信号之反向RF功率之一指示；一终端阻抗电路，其经组态以提供一可调整终端阻抗；及一开关电路，其经组态以在该正向功率状态中使该终端阻抗电路电连接至该隔离端口且在该反向功率状态中使该终端阻抗电路与该RF耦合器之该隔离端口电隔离。一设备之另一实例包含一RF耦合器，其包含一功率输入端口、一功率输出端口、一耦合端口、一多区段耦合线及一开关，该开关经组态以调整电连接至该耦合端口之该多区段耦合线之一有效长度。
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公开(公告)号：TW202015330A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW108148314
申请日：2016-07-28
发明人： 巴提努 佛羅奈爾 G , BALTEANU, FLORINEL G. , 迪卡羅 保羅 T , DICARLO, PAUL T. , 金波詩 , JIN, BOSHI , 史賓克勒 史蒂芬 克里斯多弗 , SPRINKLE, STEVEN CHRISTOPHER , 懷特菲德 大衛 史考特 , WHITEFIELD, DAVID SCOTT
摘要： 本文中揭示功率放大(PA)系統，該等PA系統經組態以放大一信號，諸如一射頻信號。該PA系統包括經組態以放大在一信號輸入端處接收之一信號且在一信號輸出端處輸出該經放大信號的複數個功率放大器。該等功率放大器經組態以接收一供應電壓，該供應電壓為一電池電壓與一包絡追蹤信號之一組合。該PA系統包括一PA控制器，該PA控制器經組態以至少部分地基於該電池電壓或該等功率放大器之一功率輸出而控制該等功率放大器。該PA控制器可經組態以更改該PA系統之阻抗匹配組件以重組態該等功率放大器之一負載線。
简体摘要： 本文中揭示功率放大(PA)系统，该等PA系统经组态以放大一信号，诸如一射频信号。该PA系统包括经组态以放大在一信号输入端处接收之一信号且在一信号输出端处输出该经放大信号的复数个功率放大器。该等功率放大器经组态以接收一供应电压，该供应电压为一电池电压与一包络追踪信号之一组合。该PA系统包括一PA控制器，该PA控制器经组态以至少部分地基于该电池电压或该等功率放大器之一功率输出而控制该等功率放大器。该PA控制器可经组态以更改该PA系统之阻抗匹配组件以重组态该等功率放大器之一负载线。
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公开(公告)号：TW201719964A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105129383
申请日：2016-09-09
发明人： 斯里拉坦那 努塔彭 , SRIRATTANA, NUTTAPONG , 懷特菲德 大衛 史考特 , WHITEFIELD, DAVID SCOTT , 史托瑞 大衛 萊恩 , STORY, DAVID RYAN
CPC分类号： H04B1/0458 , H01P5/12 , H01P5/187 , H04B1/0057 , H04B1/40
摘要： 本發明揭示經組態以同時偵測多個頻率之多輸出電磁耦合器及包含該等多輸出電磁耦合器之裝置及系統。在一實例中，一種多輸出電磁耦合器包含：一主耦合器傳輸線，其在一輸入埠與一輸出埠之間延伸且電連接該輸入埠及該輸出埠；一第一耦合線區段，其經組態以耦合來自該主耦合器傳輸線之一第一頻帶中之電磁功率而在一第一耦合埠處提供一第一耦合輸出信號；及一第二耦合線區段，其經組態以耦合來自該主耦合器傳輸線之一第二頻帶中之電磁功率而與在該第一耦合埠處提供該第一耦合輸出信號同時地在一第二耦合埠處提供一第二耦合輸出信號。
简体摘要： 本发明揭示经组态以同时侦测多个频率之多输出电磁耦合器及包含该等多输出电磁耦合器之设备及系统。在一实例中，一种多输出电磁耦合器包含：一主耦合器传输线，其在一输入端口与一输出端口之间延伸且电连接该输入端口及该输出端口；一第一耦合线区段，其经组态以耦合来自该主耦合器传输线之一第一频带中之电磁功率而在一第一耦合端口处提供一第一耦合输出信号；及一第二耦合线区段，其经组态以耦合来自该主耦合器传输线之一第二频带中之电磁功率而与在该第一耦合端口处提供该第一耦合输出信号同时地在一第二耦合端口处提供一第二耦合输出信号。
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公开(公告)号：TW201707135A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW105110389
申请日：2016-03-31
发明人： 傅 漢清 , FUH, HANCHING , 史普林寇 史蒂芬 克里斯多夫 , SPRINKLE, STEVEN CHRISTOPHER , 懷特菲德 大衛 史考特 , WHITEFIELD, DAVID SCOTT , 馬森 傑瑞德F , MASON, JEROD F.
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/84 , H01L23/498 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/66 , H01L25/065 , H01L27/12 , H01L29/06 , H01L29/10
CPC分类号： H01L27/1203 , H01L21/76251 , H01L21/84 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/66 , H01L25/0655 , H01L27/0222 , H01L27/088 , H01L29/0649 , H01L29/1087 , H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2224/49171 , H01L2924/15184 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： 本發明揭示用於場效電晶體(FET)裝置的基板偏壓。在一些實施例中，一射頻(RF)裝置可包括：一FET，其經實施於一基板層上方；及一電連接，其經實施以提供與該基板層相關聯之一基板偏壓節點。該RF裝置可進一步包括一不接地電路，該不接地電路連接至該基板偏壓節點以調整該FET之RF效能。在一些實施例中，該電連接可包括與該基板層電接觸之一或多個導電特徵之一圖案。
简体摘要： 本发明揭示用于场效应管(FET)设备的基板偏压。在一些实施例中，一射频(RF)设备可包括：一FET，其经实施于一基板层上方；及一电连接，其经实施以提供与该基板层相关联之一基板偏压节点。该RF设备可进一步包括一不接地电路，该不接地电路连接至该基板偏压节点以调整该FET之RF性能。在一些实施例中，该电连接可包括与该基板层电接触之一或多个导电特征之一图案。
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公开(公告)号：TW201703261A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW105115007
申请日：2016-05-13
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L23/562 , H01L21/30604 , H01L21/6835 , H01L21/76251 , H01L21/764 , H01L21/76802 , H01L21/76877 , H01L21/76895 , H01L21/76898 , H01L21/84 , H01L23/3121 , H01L23/5283 , H01L23/535 , H01L23/66 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/16 , H01L27/1203 , H01L27/20 , H01L28/10 , H01L29/0649 , H01L29/66772 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68359 , H01L2221/68368 , H01L2223/6677 , H01L2224/03 , H01L2224/03002 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/06135 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/1306 , H01L2924/1421 , H01L2924/15192 , H01L2924/15313 , H03H9/02566 , H03H9/24 , H04B1/40 , H04B1/44 , H01L2224/45099
摘要： 製造射頻(RF)裝置涉及：提供一場效電晶體(FET)，該FET形成於在一半導體基板上形成之氧化物層上方；移除該半導體基板之至少部分以曝露該氧化物層之一背面之至少一部分；將一犧牲材料施加至該氧化物層之該背面；將一界面材料施加至該氧化物層之該背面的至少一部分，該界面材料至少部分地覆蓋該犧牲材料；及移除該犧牲材料之至少一部分以形成由該界面層至少部分覆蓋之一空腔。
简体摘要： 制造射频(RF)设备涉及：提供一场效应管(FET)，该FET形成于在一半导体基板上形成之氧化物层上方；移除该半导体基板之至少部分以曝露该氧化物层之一背面之至少一部分；将一牺牲材料施加至该氧化物层之该背面；将一界面材料施加至该氧化物层之该背面的至少一部分，该界面材料至少部分地覆盖该牺牲材料；及移除该牺牲材料之至少一部分以形成由该界面层至少部分覆盖之一空腔。
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公开(公告)号：TWI682579B
公开(公告)日：2020-01-11
申请号：TW104141172
申请日：2015-12-08
发明人： 斯里拉坦那 努塔彭 , SRIRATTANA, NUTTAPONG , 史托瑞 大衛 萊恩 , STORY, DAVID RYAN , 懷特菲德 大衛 史考特 , WHITEFIELD, DAVID SCOTT , 劉志陽 , LIU,ZHIYANG
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公开(公告)号：TW201724363A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105123948
申请日：2016-07-28
发明人： 懷特菲德 大衛 史考特 , WHITEFIELD, DAVID SCOTT , 馬森 傑瑞德F , MASON, JEROD F.
CPC分类号： H01L27/13 , H01L21/6835 , H01L21/76256 , H01L21/84 , H01L23/15 , H01L24/94 , H01L27/1207 , H01L2221/68368
摘要： 本發明提供一種用於製造雙層射頻裝置之方法，該方法涉及：提供具有一半導體基板及形成於該半導體基板上之複數個積體電路裝置之一絕緣體上矽積體電路晶圓；至少部分地將該半導體基板自該積體電路晶圓之一背面移除；將一低損耗替換基板添加至該積體電路晶圓之該背面；及在添加該低損耗替換基板以形成一雙層晶圓之後在該複數個積體電路裝置中之每一者上方形成一整合式被動裝置。
简体摘要： 本发明提供一种用于制造双层射频设备之方法，该方法涉及：提供具有一半导体基板及形成于该半导体基板上之复数个集成电路设备之一绝缘体上硅集成电路晶圆；至少部分地将该半导体基板自该集成电路晶圆之一背面移除；将一低损耗替换基板添加至该集成电路晶圆之该背面；及在添加该低损耗替换基板以形成一双层晶圆之后在该复数个集成电路设备中之每一者上方形成一集成式被动设备。
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公开(公告)号：TW201711142A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105114765
申请日：2016-05-12
发明人： 馬森 傑瑞德F , MASON, JEROD F. , 懷特菲德 大衛 史考特 , WHITEFIELD, DAVID SCOTT , 巴透 狄倫 查爾斯 , BARTLE, DYLAN CHARLES
IPC分类号： H01L21/84 , H01L21/762
CPC分类号： H01L27/1203 , H01L21/6835 , H01L21/76251 , H01L21/84 , H01L23/535 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L29/1087 , H01L29/78603 , H01L29/78648 , H01L29/78654 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68368 , H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48229 , H01L2224/49171 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/13091 , H01L2924/1421 , H04B1/44 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099
摘要： 本發明係關於具有接觸層之絕緣體上之矽(SOI)裝置。在一些實施例中，射頻(RF)裝置可包括實施於一基板層上方之一場效電晶體(FET)，及實施於該FET與該基板層之間的一絕緣體層。該RF裝置可進一步包括實施於該絕緣體層與該基板層之間以允許調整該FET之RF效能之一接觸層。在一些實施例中，此RF裝置可實施為諸如一晶粒、一封裝模組及一無線裝置之各種產品中之一RF開關。
简体摘要： 本发明系关于具有接触层之绝缘体上之硅(SOI)设备。在一些实施例中，射频(RF)设备可包括实施于一基板层上方之一场效应管(FET)，及实施于该FET与该基板层之间的一绝缘体层。该RF设备可进一步包括实施于该绝缘体层与该基板层之间以允许调整该FET之RF性能之一接触层。在一些实施例中，此RF设备可实施为诸如一晶粒、一封装模块及一无线设备之各种产品中之一RF开关。
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公开(公告)号：TWI433418B
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW099143561
申请日：2010-12-13
发明人： 懷特菲德 大衛 史考特 , WHITEFIELD, DAVID SCOTT , 華倫 肯尼斯 , WARREN, KENNETH
CPC分类号： H01T4/08 , H01L2224/48091 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/181 , H05K1/0259 , H05K1/026 , H05K1/181 , H05K3/284 , H05K2203/1316 , Y10T29/49156 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
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