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公开(公告)号：TW200735182A
公开(公告)日：2007-09-16
申请号：TW095109891
申请日：2006-03-22
CPC分类号： H01L29/221 , H01L21/02403 , H01L21/02414 , H01L21/02433 , H01L21/02472 , H01L21/02505 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02609 , H01L21/02631 , H01L29/045 , H01L29/225 , H01L29/7787 , H01L33/16 , H01L33/28 , H01S5/0422 , H01S5/2224 , H01S5/2231 , H01S5/327
摘要： 本發明係一種氧化鋅系化合物半導體元件,其中為由將A面(11-20)或M面(10-10)作為主面之MgxZn1-xO(0≦x≦0.5)而成之基板與,於該MgxZn1-xO而成之基板的前述主面上,與該主面平行之面則在{11-20}面或(10-10)面,且與前述主面垂直之面乃配向於{0001}面,而磊晶成長之ZnO系化合物半導體單結晶層所成者。
简体摘要： 本发明系一种氧化锌系化合物半导体组件,其中为由将A面(11-20)或M面(10-10)作为主面之MgxZn1-xO(0≦x≦0.5)而成之基板与,于该MgxZn1-xO而成之基板的前述主面上,与该主面平行之面则在{11-20}面或(10-10)面,且与前述主面垂直之面乃配向于{0001}面,而磊晶成长之ZnO系化合物半导体单结晶层所成者。
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公开(公告)号：TW554094B
公开(公告)日：2003-09-21
申请号：TW088117453
申请日：1999-10-08
申请人： 羅沐股份有限公司
CPC分类号： H01L29/22 , C30B23/002 , C30B23/02 , C30B29/16 , H01L21/02554 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02631 , H01L31/02963 , H01L33/28 , H01S5/327 , Y10T428/12681 , Y10T428/12792
摘要： 於真空室(1)內設置基板(2)，對此基板(2)，供給Zn及O與N(p型摻雜劑)及Ga(n型摻雜劑)之各原子狀氣體。藉由控制N及Ga之流量使在結晶內成為N：Ga=2：1，於基板(2)之上，使成長含有 N及Ga之P型ZnO單晶。
简体摘要： 于真空室(1)内设置基板(2)，对此基板(2)，供给Zn及O与N(p型掺杂剂)及Ga(n型掺杂剂)之各原子状气体。借由控制N及Ga之流量使在结晶内成为N：Ga=2：1，于基板(2)之上，使成长含有 N及Ga之P型ZnO单晶。
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公开(公告)号：TW413959B
公开(公告)日：2000-12-01
申请号：TW086106235
申请日：1997-05-10
申请人： 孟尼蘇泰礦務及製造公司 , 飛利浦電子北美公司
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/327 , H01S5/3409 , H01S5/347 , H01S2304/02
摘要： 一種II-VI族化合物半導體雷射二極體，其包含多個II-VI族半導體層，形成藉由單晶GaAs半導體基質所支撐之pn接面。在pn接面中所形成之諸層，係包括第一導電型之第一包覆層，第二導電型之第二包覆層，及至少一介於第一與第二包覆層間之第一引導層。一量子井活性層係位於pn接面內。電能係藉第一與第二電極耦合至雷射二極體。於雷射二極體中之不同層均使用Be而形成。
简体摘要： 一种II-VI族化合物半导体激光二极管，其包含多个II-VI族半导体层，形成借由单晶GaAs半导体基质所支撑之pn接面。在pn接面中所形成之诸层，系包括第一导电型之第一包覆层，第二导电型之第二包覆层，及至少一介于第一与第二包覆层间之第一引导层。一量子井活性层系位于pn接面内。电能系藉第一与第二电极耦合至激光二极管。于激光二极管中之不同层均使用Be而形成。
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4.发明专利金屬氧化半導體發光元件之改良型薄膜結構及其製造方法 IMPROVED FILMS AND STRUCTURES FOR METAL OXIDE SEMICINDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICES AND METHODS 审中-公开金属氧化半导体发光组件之改良型薄膜结构及其制造方法 IMPROVED FILMS AND STRUCTURES FOR METAL OXIDE SEMICINDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICES AND METHODS
公开(公告)号：TW200816527A
公开(公告)日：2008-04-01
申请号：TW096132090
申请日：2007-08-29
CPC分类号： H01L33/28 , H01L33/02 , H01S5/183 , H01S5/3213 , H01S5/327
摘要： 半導體薄膜和結構,例如使用氧化鋅或其他的金屬氧化物,以及用以形成如此的薄膜和結構的製程,供金屬氧化半導體發光元件,以及其他的金屬氧化半導體發光元件,如氧化鋅基半導體元件。
简体摘要： 半导体薄膜和结构,例如使用氧化锌或其他的金属氧化物,以及用以形成如此的薄膜和结构的制程,供金属氧化半导体发光组件,以及其他的金属氧化半导体发光组件,如氧化锌基半导体组件。
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5.发明专利金屬氧化物半導體裝置及薄膜結構與方法 METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICES AND FILM STRUCTURES AND METHODS 审中-公开金属氧化物半导体设备及薄膜结构与方法 METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICES AND FILM STRUCTURES AND METHODS
公开(公告)号：TW200723521A
公开(公告)日：2007-06-16
申请号：TW095109364
申请日：2006-03-17
摘要： 一種用於改善半導體裝置的層及薄膜結構包含單一量子井與多重量子井以及雙異質結構與超晶格結構。
简体摘要： 一种用于改善半导体设备的层及薄膜结构包含单一量子井与多重量子井以及双异质结构与超晶格结构。
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公开(公告)号：TW200512955A
公开(公告)日：2005-04-01
申请号：TW093110013
申请日：2004-04-09
摘要： 本發明提供一種鋅硒系發光元件，該鋅硒系發光元件可延長發光元件之壽命。本發明具備活性層(4)，其形成於化合物半導體基板1上，且位於n型鋅鎂硫硒(ZnMgSSe)包覆層(3)與p型鋅鎂硫硒包覆層(5)之間，並在活性層(4)與p型鋅鎂硫硒包覆層(5)之間具有障壁層(11)，其具有比p型鋅鎂硫硒包覆層之帶隙大的帶隙。
简体摘要： 本发明提供一种锌硒系发光组件，该锌硒系发光组件可延长发光组件之寿命。本发明具备活性层(4)，其形成于化合物半导体基板1上，且位于n型锌镁硫硒(ZnMgSSe)包覆层(3)与p型锌镁硫硒包覆层(5)之间，并在活性层(4)与p型锌镁硫硒包覆层(5)之间具有障壁层(11)，其具有比p型锌镁硫硒包覆层之带隙大的带隙。
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公开(公告)号：TW200810155A
公开(公告)日：2008-02-16
申请号：TW096120834
申请日：2007-06-08
发明人： 中原健 NAKAHARA, KEN , 湯地洋行 YUJI, HIROYUKI , 田村謙太郎 TAMURA, KENTARO , 赤俊輔 AKASAKA, SHUNSUKE , 川崎雅司 KAWASAKI, MASASHI , 塚崎敦 TSUKAZAKI, ATSUSHI , 大友明 OHTOMO, AKIRA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C30B23/02 , C30B29/16 , H01L21/02403 , H01L21/02414 , H01L21/02433 , H01L21/02554 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L29/22 , H01L29/267 , H01L29/7782 , H01L29/7787 , H01L33/0083 , H01L33/16 , H01S5/0211 , H01S5/3202 , H01S5/327
摘要： 本發明係提供一種ZnO系半導體元件,其係於疊層側之主面朝向c軸方向之MgZnO基板上,使平坦的ZnO系半導體層成長。於將+C面(0001)至少往m軸方向傾斜之面作為主面的MgxZn1-xO(0≦x
简体摘要： 本发明系提供一种ZnO系半导体组件,其系于叠层侧之主面朝向c轴方向之MgZnO基板上,使平坦的ZnO系半导体层成长。于将+C面(0001)至少往m轴方向倾斜之面作为主面的MgxZn1-xO(0≦x<1)基板1上,磊晶成长有ZnO系半导体层2~6。然后,于ZnO系半导体层5上形成有p电极8,于MgxZn1-xO基板1之表面,形成排列于m轴方向之守则台阶,以防止称为台阶聚集(step bunching)之现象,可提升叠层于基板1上之半导体层之膜的平坦性。
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公开(公告)号：TWI232599B
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：TW093110013
申请日：2004-04-09
摘要： 本發明提供一種鋅硒系發光元件，該鋅硒系發光元件可延長發光元件之壽命。本發明具備活性層(4)，其形成於化合物半導體基板1上，且位於n型鋅鎂硫硒(ZnMgSSe)包覆層(3)與p型鋅鎂硫硒包覆層(5)之間，並在活性層(4)與p型鋅鎂硫硒包覆層(5)之間具有障壁層(11)，其具有比p型鋅鎂硫硒包覆層之帶隙大的帶隙。
简体摘要： 本发明提供一种锌硒系发光组件，该锌硒系发光组件可延长发光组件之寿命。本发明具备活性层(4)，其形成于化合物半导体基板1上，且位于n型锌镁硫硒(ZnMgSSe)包覆层(3)与p型锌镁硫硒包覆层(5)之间，并在活性层(4)与p型锌镁硫硒包覆层(5)之间具有障壁层(11)，其具有比p型锌镁硫硒包覆层之带隙大的带隙。
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公开(公告)号：TW506169B
公开(公告)日：2002-10-11
申请号：TW090117807
申请日：2001-07-20
申请人： 摩托羅拉公司
CPC分类号： H01L33/30 , H01L21/02381 , H01L21/02439 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02488 , H01L21/02505 , H01L21/02521 , H01L33/0066 , H01S5/021 , H01S5/0218 , H01S5/183 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/32333 , H01S5/327 , H01S2301/173
摘要： 本發明揭示一種可覆蓋大型矽晶圓生長的高品質合成半導體材料磊晶層，其方式是先在矽晶圓生長一容納緩衝層。該容納緩衝層是藉由一氧化矽之非結晶界面層而與矽晶圓分隔的單結晶氧化物層。該非結晶界面層耗散應變(dissipates strain)，並准許生長高品質單結晶氧化物容納緩衝層。該非結晶界面層負責處理容納緩衝層與基礎矽基底間任何不匹配的晶格。如可見光雷射及發光二極體之光學結構在可高品質磊晶合成半導體材料上生長，以產生可降低成本的高可靠裝置。
简体摘要： 本发明揭示一种可覆盖大型硅晶圆生长的高品质合成半导体材料磊晶层，其方式是先在硅晶圆生长一容纳缓冲层。该容纳缓冲层是借由一氧化硅之非结晶界面层而与硅晶圆分隔的单结晶氧化物层。该非结晶界面层耗散应变(dissipates strain)，并准许生长高品质单结晶氧化物容纳缓冲层。该非结晶界面层负责处理容纳缓冲层与基础硅基底间任何不匹配的晶格。如可见光激光及发光二极管之光学结构在可高品质磊晶合成半导体材料上生长，以产生可降低成本的高可靠设备。
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公开(公告)号：TW469511B
公开(公告)日：2001-12-21
申请号：TW089114903
申请日：2000-07-26
CPC分类号： H01L33/28 , H01L33/0087 , H01S5/021 , H01S5/32308 , H01S5/32341 , H01S5/327
摘要： 本發明為在矽基片(l)之表面設矽氮化膜(2)，並在該矽氮化膜(2)上疊積至少含ZnO系化合物半導體構成之n形層(3)、(4)及p形層(6)、(7)，以形成發光層之半導體疊積部(11)。且該矽氮化膜(2)最好在氨氣等氮存在之環境下以熱處理形成。同時，其他形態為以與藍寶石基片之C面直交之面為主面，並長成ZnO系化合物半導體層以形成發光元件等。其結果可以得到使用結晶性非常優良，且具高發光效率LED等特性優良之ZnO系化合物的元件。
简体摘要： 本发明为在硅基片(l)之表面设硅氮化膜(2)，并在该硅氮化膜(2)上叠积至少含ZnO系化合物半导体构成之n形层(3)、(4)及p形层(6)、(7)，以形成发光层之半导体叠积部(11)。且该硅氮化膜(2)最好在氨气等氮存在之环境下以热处理形成。同时，其他形态为以与蓝宝石基片之C面直交之面为主面，并长成ZnO系化合物半导体层以形成发光组件等。其结果可以得到使用结晶性非常优良，且具高发光效率LED等特性优良之ZnO系化合物的组件。
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