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    半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
    5.
    发明专利
    半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
    半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

    公开(公告)号：TW201138111A

    公开(公告)日：2011-11-01

    申请号：TW099141020

    申请日：2010-11-26

    申请人： 半導體能源研究所股份有限公司

    发明人： 山崎舜平

    IPC分类号： H01L

    CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2206 ,  H01L29/221 ,  H01L29/24 ,  H01L29/263 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

    摘要： 實施例是半導體裝置,半導體裝置包含:在具有絕緣表面的基底上的第一氧化物半導體層以及包含從第一氧化物半導體層的表面朝向內部的生長所形成的結晶區;在第一氧化物半導體層上的第二氧化物半導體層;與第二氧化物半導體層接觸的源極電極層和汲極電極層;遮蓋第二氧化物半導體層、源極電極層、和汲極電極層之閘極絕緣層;以及在閘極絕緣層上且在與第二氧化物半導體層重疊的區域中之閘極電極層。第二氧化物半導體層是包含從結晶區生長所形成的晶體之層。

    简体摘要： 实施例是半导体设备,半导体设备包含:在具有绝缘表面的基底上的第一氧化物半导体层以及包含从第一氧化物半导体层的表面朝向内部的生长所形成的结晶区;在第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层;与第二氧化物半导体层接触的源极电极层和汲极电极层;遮盖第二氧化物半导体层、源极电极层、和汲极电极层之闸极绝缘层;以及在闸极绝缘层上且在与第二氧化物半导体层重叠的区域中之闸极电极层。第二氧化物半导体层是包含从结晶区生长所形成的晶体之层。

    半導體裝置及其製造方法
    7.
    发明专利
    半導體裝置及其製造方法 审中-公开
    半导体设备及其制造方法

    公开(公告)号：TW201601321A

    公开(公告)日：2016-01-01

    申请号：TW104132156

    申请日：2010-11-26

    申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/04

    CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2206 ,  H01L29/221 ,  H01L29/24 ,  H01L29/263 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

    摘要： 實施例是半導體裝置，半導體裝置包含：在具有絕緣表面的基底上的第一氧化物半導體層以及包含從第一氧化物半導體層的表面朝向內部的生長所形成的結晶區；在第一氧化物半導體層上的第二氧化物半導體層；與第二氧化物半導體層接觸的源極電極層和汲極電極層；遮蓋第二氧化物半導體層、源極電極層、和汲極電極層之閘極絕緣層；以及在閘極絕緣層上且在與第二氧化物半導體層重疊的區域中之閘極電極層。第二氧化物半導體層是包含從結晶區生長所形成的晶體之層。

    简体摘要： 实施例是半导体设备，半导体设备包含：在具有绝缘表面的基底上的第一氧化物半导体层以及包含从第一氧化物半导体层的表面朝向内部的生长所形成的结晶区；在第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层；与第二氧化物半导体层接触的源极电极层和汲极电极层；遮盖第二氧化物半导体层、源极电极层、和汲极电极层之闸极绝缘层；以及在闸极绝缘层上且在与第二氧化物半导体层重叠的区域中之闸极电极层。第二氧化物半导体层是包含从结晶区生长所形成的晶体之层。

    金屬氧化物半導體薄膜、結構及方法 METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FILMS, STRUCTURES AND METHODS
    8.
    发明专利
    金屬氧化物半導體薄膜、結構及方法 METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FILMS, STRUCTURES AND METHODS 审中-公开
    金属氧化物半导体薄膜、结构及方法 METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FILMS, STRUCTURES AND METHODS

    公开(公告)号：TW200711058A

    公开(公告)日：2007-03-16

    申请号：TW095111337

    申请日：2006-03-30

    申请人： 莫克斯托尼克斯股份有限公司 MOXTRONICS, INC.

    发明人： 陸永瑞 YUNGRYEL RYU ,  李泰錫 TAE-SEOK LEE ,  亨利W. 懷特 HENRY W. WHITE

    IPC分类号： H01L ,  H01S

    CPC分类号： H01L33/28 ,  C01B19/002 ,  C01B19/007 ,  C01G9/00 ,  C01G11/00 ,  C01G11/006 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/16 ,  C30B29/46 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02617 ,  H01L29/22 ,  H01L29/221 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/3018

    摘要： 用於提昇半導體裝置性能的材料與結構包括ZnBeO合金材料、ZnCdOSe合金材料、含有鎂以利晶格匹配之ZnBeO合金材料、以及BeO材料。在ZnBeO合金系統(亦即Zu1-xBexO)中,可改變Be的原子比例x來增加氧化鋅的能帶間隙値,以使其高於氧化鋅的能帶間隙値;而在ZnCdOSe合金系統(亦即Zn1-yCdyO1-zSez)中,可改變Cd的原子比例y與Se的原子比例z來降低氧化鋅的能帶間隙値,以使其低於氧化鋅的能帶間隙値。利用所選擇之摻質元素,所形成的每一種合金可為未經摻雜、p型摻雜、或n型摻雜;這些合金可以單獨或以組合方式加以使用,以形成可發射一定範圍波長値的主動光子層、如單一與多重量子井之異質結構、以及超晶格層或覆層,並可用以製造光學或電子半導體裝置。這些就可用於提昇半導體裝置的功能、容量與性能。

    简体摘要： 用于提升半导体设备性能的材料与结构包括ZnBeO合金材料、ZnCdOSe合金材料、含有镁以利晶格匹配之ZnBeO合金材料、以及BeO材料。在ZnBeO合金系统(亦即Zu1-xBexO)中,可改变Be的原子比例x来增加氧化锌的能带间隙値,以使其高于氧化锌的能带间隙値;而在ZnCdOSe合金系统(亦即Zn1-yCdyO1-zSez)中,可改变Cd的原子比例y与Se的原子比例z来降低氧化锌的能带间隙値,以使其低于氧化锌的能带间隙値。利用所选择之掺质元素,所形成的每一种合金可为未经掺杂、p型掺杂、或n型掺杂;这些合金可以单独或以组合方式加以使用,以形成可发射一定范围波长値的主动光子层、如单一与多重量子井之异质结构、以及超晶格层或覆层,并可用以制造光学或电子半导体设备。这些就可用于提升半导体设备的功能、容量与性能。

    半導體裝置及其製造方法
    9.
    发明专利
    半導體裝置及其製造方法 审中-公开
    半导体设备及其制造方法

    公开(公告)号：TW201639171A

    公开(公告)日：2016-11-01

    申请号：TW105123898

    申请日：2010-11-26

    申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/04

    CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2206 ,  H01L29/221 ,  H01L29/24 ,  H01L29/263 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

    摘要： 實施例是半導體裝置，半導體裝置包含：在具有絕緣表面的基底上的第一氧化物半導體層以及包含從第一氧化物半導體層的表面朝向內部的生長所形成的結晶區；在第一氧化物半導體層上的第二氧化物半導體層；與第二氧化物半導體層接觸的源極電極層和汲極電極層；遮蓋第二氧化物半導體層、源極電極層、和汲極電極層之閘極絕緣層；以及在閘極絕緣層上且在與第二氧化物半導體層重疊的區域中之閘極電極層。第二氧化物半導體層是包含從結晶區生長所形成的晶體之層。

    简体摘要： 实施例是半导体设备，半导体设备包含：在具有绝缘表面的基底上的第一氧化物半导体层以及包含从第一氧化物半导体层的表面朝向内部的生长所形成的结晶区；在第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层；与第二氧化物半导体层接触的源极电极层和汲极电极层；遮盖第二氧化物半导体层、源极电极层、和汲极电极层之闸极绝缘层；以及在闸极绝缘层上且在与第二氧化物半导体层重叠的区域中之闸极电极层。第二氧化物半导体层是包含从结晶区生长所形成的晶体之层。