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    用於電荷泵的平衡技術及電路
    1.
    发明专利
    用於電荷泵的平衡技術及電路 审中-公开
    用于电荷泵的平衡技术及电路

    公开(公告)号：TW201813263A

    公开(公告)日：2018-04-01

    申请号：TW106116594

    申请日：2017-05-19

    申请人： 線性科技股份有限公司 ,  LINEAR TECHNOLOGY CORPORATION

    发明人： 張旭 ,  ZHANG, XU ,  黎堅 ,  LI, JIAN ,  徐 山華 ,  CHEE, SAN HWA

    IPC分类号： H02M1/08 ,  H02M3/07

    CPC分类号： H02M3/07 ,  H02M1/08 ,  H02M1/36 ,  H02M3/073 ,  H02M2003/072

    摘要： 提供了預先平衡一切換式電容轉換器的方法及系統。一第一比較器包括一正輸入及一負輸入，該正輸入被配置為接收跨一輸出電容的一電壓，該負輸入被配置為接收一第一遲滯電壓。一第二比較器包括一正輸入及一負輸入，該正輸入被配置為接收跨該切換式電容轉換器之一輸入電容的一電壓，該負輸入被配置為接收一第二遲滯電壓。一第一電流源耦合在該輸出電容及GND之間，且被配置為在決定跨該輸出電容的該電壓是在由該第一遲滯電壓所提供的一容差以上之後將該輸出電容放電。一第二電流源耦合在該輸入電容及GND之間，且被配置為在決定跨該輸入電容的該電壓是在由該第二遲滯電壓所提供的一容差以上之後將該輸入電容放電。

    简体摘要： 提供了预先平衡一切换式电容转换器的方法及系统。一第一比较器包括一正输入及一负输入，该正输入被配置为接收跨一输出电容的一电压，该负输入被配置为接收一第一迟滞电压。一第二比较器包括一正输入及一负输入，该正输入被配置为接收跨该切换式电容转换器之一输入电容的一电压，该负输入被配置为接收一第二迟滞电压。一第一电流源耦合在该输出电容及GND之间，且被配置为在决定跨该输出电容的该电压是在由该第一迟滞电压所提供的一容差以上之后将该输出电容放电。一第二电流源耦合在该输入电容及GND之间，且被配置为在决定跨该输入电容的该电压是在由该第二迟滞电压所提供的一容差以上之后将该输入电容放电。

    整流器、使用其的交流發電機及電源
    7.
    发明专利
    整流器、使用其的交流發電機及電源 审中-公开
    整流器、使用其的交流发电机及电源

    公开(公告)号：TW201715835A

    公开(公告)日：2017-05-01

    申请号：TW105133435

    申请日：2016-10-17

    申请人： 日立功率半導體股份有限公司 ,  HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD.

    发明人： 石丸哲也 ,  ISHIMARU, TETSUYA ,  栗田信一 ,  KURITA, SHINICHI ,  寺川武士 ,  TERAKAWA, TAKESHI

    IPC分类号： H02M7/217

    CPC分类号： H02M1/36 ,  H02K7/006 ,  H02K11/046 ,  H02M1/08 ,  H02M7/217 ,  H02M7/219 ,  H03K17/30 ,  H03K17/302 ,  H03K2017/307 ,  H03K2217/0081

    摘要： 即使高電壓施加於同步整流MOSFET的汲極仍在不會引起高電壓施加所致的特性變動下進行正常的整流動作。整流器(108)，係具備：進行整流的整流MOSFET(101)；以及包含將整流MOSFET(101)的汲極連接於非反相輸入端子IN+並將源極連接於反相輸入端子IN-的比較器(102)，且以比較器(102)的輸出對整流MOSFET(101)的導通/關斷進行控制的控制電路(107)。控制電路(107)，係具備將整流MOSFET(101)的汲極與比較器(102)的非反相輸入端子IN+之間進行遮斷的遮斷MOSFET(105)；以及整流MOSFET(101)的汲極的電壓為第1既定電壓以上時使遮斷MOSFET(105)為關斷而將整流MOSFET(101)的汲極與比較器(102)的非反相輸入端子IN+之間進行電性遮斷的遮斷控制電路(106)。

    简体摘要： 即使高电压施加于同步整流MOSFET的汲极仍在不会引起高电压施加所致的特性变动下进行正常的整流动作。整流器(108)，系具备：进行整流的整流MOSFET(101)；以及包含将整流MOSFET(101)的汲极连接于非反相输入端子IN+并将源极连接于反相输入端子IN-的比较器(102)，且以比较器(102)的输出对整流MOSFET(101)的导通/关断进行控制的控制电路(107)。控制电路(107)，系具备将整流MOSFET(101)的汲极与比较器(102)的非反相输入端子IN+之间进行遮断的遮断MOSFET(105)；以及整流MOSFET(101)的汲极的电压为第1既定电压以上时使遮断MOSFET(105)为关断而将整流MOSFET(101)的汲极与比较器(102)的非反相输入端子IN+之间进行电性遮断的遮断控制电路(106)。

    用於串聯並聯諧振功率轉換器之一次側啟動方法及電路配置
    8.
    发明专利
    用於串聯並聯諧振功率轉換器之一次側啟動方法及電路配置 审中-公开
    用于串联并联谐振功率转换器之一次侧启动方法及电路配置

    公开(公告)号：TW201707360A

    公开(公告)日：2017-02-16

    申请号：TW105117245

    申请日：2016-06-01

    申请人： 微晶片科技公司 ,  MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED

    发明人： 奎葛雷 湯馬士 ,  QUIGLEY, THOMAS

    IPC分类号： H02M1/36 ,  H02M3/335

    CPC分类号： H02M3/33507 ,  H02M1/32 ,  H02M1/36 ,  H02M3/33592 ,  H02M3/337 ,  H02M2001/0006 ,  H02M2001/0009 ,  H02M2001/0035 ,  H02M2001/0058 ,  Y02B70/1433 ,  Y02B70/1475 ,  Y02B70/1491 ,  Y02B70/16

    摘要： 一串聯並聯諧振功率轉換器包括一一次側啟動控制器及一二次側控制器，其中當功率(電壓)首先被施加至該串聯並聯諧振功率轉換器時，該一次側啟動控制器發送功率至該二次側控制器。該啟動控制器使用一開迴路啟動技術來啟動該串聯並聯諧振功率轉換器，其中當該二次側閉迴路控制器變成通電及啟動時，該二次側閉迴路控制器即接管該串聯並聯諧振功率轉換器之控制。在輕負載或無負載條件期間，該二次側控制器發送一斷開諧振較高頻率或一待機編碼禁止(停用)命令至該啟動控制器。當功率需要被發送至該變壓器之該二次側以給一二次側電容器充電時，該二次側控制器可發送一啟用編碼命令至該啟動控制器，其中其經偵測以允許該啟動控制器使用該二次側控制器依一正常方式操作。

    简体摘要： 一串联并联谐振功率转换器包括一一次侧启动控制器及一二次侧控制器，其中当功率(电压)首先被施加至该串联并联谐振功率转换器时，该一次侧启动控制器发送功率至该二次侧控制器。该启动控制器使用一开回路启动技术来启动该串联并联谐振功率转换器，其中当该二次侧闭回路控制器变成通电及启动时，该二次侧闭回路控制器即接管该串联并联谐振功率转换器之控制。在轻负载或无负载条件期间，该二次侧控制器发送一断开谐振较高频率或一待机编码禁止(停用)命令至该启动控制器。当功率需要被发送至该变压器之该二次侧以给一二次侧电容器充电时，该二次侧控制器可发送一激活编码命令至该启动控制器，其中其经侦测以允许该启动控制器使用该二次侧控制器依一正常方式操作。