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    整流器、使用其的交流發電機及電源
    2.
    发明专利
    整流器、使用其的交流發電機及電源 审中-公开
    整流器、使用其的交流发电机及电源

    公开(公告)号：TW201715835A

    公开(公告)日：2017-05-01

    申请号：TW105133435

    申请日：2016-10-17

    申请人： 日立功率半導體股份有限公司 ,  HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD.

    发明人： 石丸哲也 ,  ISHIMARU, TETSUYA ,  栗田信一 ,  KURITA, SHINICHI ,  寺川武士 ,  TERAKAWA, TAKESHI

    IPC分类号： H02M7/217

    CPC分类号： H02M1/36 ,  H02K7/006 ,  H02K11/046 ,  H02M1/08 ,  H02M7/217 ,  H02M7/219 ,  H03K17/30 ,  H03K17/302 ,  H03K2017/307 ,  H03K2217/0081

    摘要： 即使高電壓施加於同步整流MOSFET的汲極仍在不會引起高電壓施加所致的特性變動下進行正常的整流動作。整流器(108)，係具備：進行整流的整流MOSFET(101)；以及包含將整流MOSFET(101)的汲極連接於非反相輸入端子IN+並將源極連接於反相輸入端子IN-的比較器(102)，且以比較器(102)的輸出對整流MOSFET(101)的導通/關斷進行控制的控制電路(107)。控制電路(107)，係具備將整流MOSFET(101)的汲極與比較器(102)的非反相輸入端子IN+之間進行遮斷的遮斷MOSFET(105)；以及整流MOSFET(101)的汲極的電壓為第1既定電壓以上時使遮斷MOSFET(105)為關斷而將整流MOSFET(101)的汲極與比較器(102)的非反相輸入端子IN+之間進行電性遮斷的遮斷控制電路(106)。

    简体摘要： 即使高电压施加于同步整流MOSFET的汲极仍在不会引起高电压施加所致的特性变动下进行正常的整流动作。整流器(108)，系具备：进行整流的整流MOSFET(101)；以及包含将整流MOSFET(101)的汲极连接于非反相输入端子IN+并将源极连接于反相输入端子IN-的比较器(102)，且以比较器(102)的输出对整流MOSFET(101)的导通/关断进行控制的控制电路(107)。控制电路(107)，系具备将整流MOSFET(101)的汲极与比较器(102)的非反相输入端子IN+之间进行遮断的遮断MOSFET(105)；以及整流MOSFET(101)的汲极的电压为第1既定电压以上时使遮断MOSFET(105)为关断而将整流MOSFET(101)的汲极与比较器(102)的非反相输入端子IN+之间进行电性遮断的遮断控制电路(106)。

    整流器及使用其之發電機
    4.
    发明专利
    整流器及使用其之發電機 审中-公开
    整流器及使用其之发电机

    公开(公告)号：TW201820762A

    公开(公告)日：2018-06-01

    申请号：TW106141378

    申请日：2017-11-28

    申请人： 日商日立功率半導體股份有限公司 ,  HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD.

    发明人： 石丸哲也 ,  ISHIMARU, TETSUYA ,  森睦宏 ,  MORI, MUTSUHIRO ,  栗田信一 ,  KURITA, SHINICHI

    IPC分类号： H02M7/21 ,  H01L29/00 ,  B60R16/03

    摘要： 本發明係即便對同步整流MOSFET之汲極施加高電壓亦不會產生因高電壓施加所引起之特性變動而可進行正常之整流動作。 本發明之整流器108具備：整流MOSFET101，其進行整流；及控制電路107，其包含將整流MOSFET101之汲極連接於非反轉輸入端子IN+，將源極連接於反轉輸入端子IN-之比較器102，且以比較器102之輸出控制整流MOSFET101之接通/斷開。控制電路107具備：遮斷MOSFET105，其於整流MOSFET101之汲極與比較器102之非反轉輸入端子IN+之間進行遮斷；及遮斷控制電路106，其於整流MOSFET101之汲極之電壓為第1特定電壓以上時，使遮斷MOSFET105斷開而將整流MOSFET101之汲極與比較器102之非反轉輸入端子IN+之間電性地遮斷。

    简体摘要： 本发明系即便对同步整流MOSFET之汲极施加高电压亦不会产生因高电压施加所引起之特性变动而可进行正常之整流动作。 本发明之整流器108具备：整流MOSFET101，其进行整流；及控制电路107，其包含将整流MOSFET101之汲极连接于非反转输入端子IN+，将源极连接于反转输入端子IN-之比较器102，且以比较器102之输出控制整流MOSFET101之接通/断开。控制电路107具备：遮断MOSFET105，其于整流MOSFET101之汲极与比较器102之非反转输入端子IN+之间进行遮断；及遮断控制电路106，其于整流MOSFET101之汲极之电压为第1特定电压以上时，使遮断MOSFET105断开而将整流MOSFET101之汲极与比较器102之非反转输入端子IN+之间电性地遮断。

    半導體裝置及使用其之交流發電機
    8.
    发明专利
    半導體裝置及使用其之交流發電機 审中-公开
    半导体设备及使用其之交流发电机

    公开(公告)号：TW201911727A

    公开(公告)日：2019-03-16

    申请号：TW107127212

    申请日：2018-08-06

    申请人： 日商日立功率半導體股份有限公司 ,  HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD.

    发明人： 白石正樹 ,  SHIRAISHI, MASAKI ,  石丸哲也 ,  ISHIMARU, TETSUYA ,  坂野順一 ,  SAKANO, JUNICHI ,  森睦宏 ,  MORI, MUTSUHIRO ,  栗田信一 ,  KURITA, SHINICHI

    IPC分类号： H02M7/21 ,  H02H9/00

    摘要： [課題] 　　提供應付交流發電機的高輸出化的半導體裝置(整流元件)。 [解決手段] 　　具備：第1外部電極，具有第1電極面部；第2外部電極，具有第2電極面部；內置齊納二極體之MOSFET晶片(103)，具有作用區與周邊區域；控制IC晶片(104)，基於MOSFET晶片的汲極電極與源極電極之間的電壓或電流，驅動MOSFET晶片的閘極；電容器(105)，對MOSFET晶片與控制IC晶片供應電源；其中，第1電極面部與MOSFET晶片的汲極電極或源極電極中的一者連接，第2電極面部與MOSFET晶片的源極電極或汲極電極中的另一者連接，於作用區，設置內置齊納二極體之MOSFET的複數個單格，含於單格的齊納二極體的耐壓設定為比周邊區域的耐壓低。

    简体摘要： [课题] 　　提供应付交流发电机的高输出化的半导体设备(整流组件)。 [解决手段] 　　具备：第1外部电极，具有第1电极面部；第2外部电极，具有第2电极面部；内置齐纳二极管之MOSFET芯片(103)，具有作用区与周边区域；控制IC芯片(104)，基于MOSFET芯片的汲极电极与源极电极之间的电压或电流，驱动MOSFET芯片的闸极；电容器(105)，对MOSFET芯片与控制IC芯片供应电源；其中，第1电极面部与MOSFET芯片的汲极电极或源极电极中的一者连接，第2电极面部与MOSFET芯片的源极电极或汲极电极中的另一者连接，于作用区，设置内置齐纳二极管之MOSFET的复数个单格，含於单格的齐纳二极管的耐压设置为比周边区域的耐压低。

    半導體裝置及使用其之交流發電機
    10.
    发明专利
    半導體裝置及使用其之交流發電機 审中-公开
    半导体设备及使用其之交流发电机

    公开(公告)号：TW201719856A

    公开(公告)日：2017-06-01

    申请号：TW105137893

    申请日：2016-11-18

    申请人： 日立功率半導體股份有限公司 ,  HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD.

    发明人： 河野賢哉 ,  KAWANO, KENYA ,  石丸哲也 ,  ISHIMARU, TETSUYA ,  栗田信一 ,  KURITA, SHINICHI ,  寺川武士 ,  TERAKAWA, TAKESHI

    IPC分类号： H01L25/04 ,  H01L25/18

    CPC分类号： H01L23/49568 ,  H01L23/051 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49589 ,  H01L2224/01 ,  H01L2224/73265 ,  H02K11/046

    摘要： 在低成本且不需要複雜的製程下，提供簡便地實現之半導體裝置及使用其之交流發電機。具備：具有台座(24)的基極(21)、具有引線集管(25)的引線(22)、及電子電路體(100)；其中，在基極與引線之間具有電子電路體，台座係連接於電子電路體的第1面，引線集管係連接於電子電路體的第2面；電子電路體，係包含以下而被一體地以樹脂(16)覆蓋而構成：具有切換元件的電晶體電路晶片(11)控制切換元件的控制電路晶片(12)、汲極框(14)、及源極框(15)；其中，汲極框及源極框中的任一方及基極被連接，源極框及汲極框中的另一方及引線被連接。

    简体摘要： 在低成本且不需要复杂的制程下，提供简便地实现之半导体设备及使用其之交流发电机。具备：具有台座(24)的基极(21)、具有引线集管(25)的引线(22)、及电子电路体(100)；其中，在基极与引线之间具有电子电路体，台座系连接于电子电路体的第1面，引线集管系连接于电子电路体的第2面；电子电路体，系包含以下而被一体地以树脂(16)覆盖而构成：具有切换组件的晶体管电路芯片(11)控制切换组件的控制电路芯片(12)、汲极框(14)、及源极框(15)；其中，汲极框及源极框中的任一方及基极被连接，源极框及汲极框中的另一方及引线被连接。