公开(公告)号：TW202008073A

公开(公告)日：2020-02-16

申请号：TW108123895

申请日：2019-07-08

申请人： 美商應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 吉達 維胡 ,  JINDAL, VIBHU ,  馮 慧倪 ,  FONG, HUI NI GRACE ,  瓦吉斯 賓尼 ,  VARGHESE, BINNI ,  劉樹圍 ,  LIU, SHUWEI ,  雷斯堤格 艾巴斯 ,  RASTEGAR, ABBAS

IPC分类号： G03F1/22 ,  G03F1/54

摘要： 茲揭示極紫外光(EUV)遮罩胚料、其製造方法和生產系統。所述EUV遮罩胚料包含：基板；位於基板上之反射層之多層堆疊；位於反射層之多層堆疊上之覆蓋層；及位於覆蓋層上之吸收劑層，所述吸收劑層由鉭和鎳之合金製成。

简体摘要： 兹揭示极紫外光(EUV)遮罩胚料、其制造方法和生产系统。所述EUV遮罩胚料包含：基板；位于基板上之反射层之多层堆栈；位于反射层之多层堆栈上之覆盖层；及位于覆盖层上之吸收剂层，所述吸收剂层由钽和镍之合金制成。

公开(公告)号：TW201812434A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW106122347

申请日：2017-07-04

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 吉達 維胡 ,  JINDAL, VIBHU

IPC分类号： G03F1/22 ,  G03F1/50 ,  G03F7/09 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F1/58 ,  G03F1/24 ,  G03F1/52 ,  G03F1/60

摘要： 揭露了極紫外（EUV）遮罩坯料及其製造方法及其生產系統。EUV遮罩坯料包含覆蓋層上的吸收層的多層堆疊，吸收層的多層堆疊包括複數個吸收層對。

简体摘要： 揭露了极紫外（EUV）遮罩坯料及其制造方法及其生产系统。EUV遮罩坯料包含覆盖层上的吸收层的多层堆栈，吸收层的多层堆栈包括复数个吸收层对。

公开(公告)号：TW202026752A

公开(公告)日：2020-07-16

申请号：TW108137859

申请日：2019-10-21

申请人： 美商應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 吉達 維胡 ,  JINDAL, VIBHU ,  仙卓須德 麥哈維R ,  CHANDRACHOOD, MADHAVI R. ,  班西亞 維卡許 ,  BANTHIA, VIKASH

IPC分类号： G03F1/22 ,  G03F7/20 ,  H01L21/20 ,  H01L21/027

摘要： 揭露了極紫外線（EUV）掩模胚、用於製造該等極紫外線掩模胚的方法、及該等極紫外線掩模胚的生產系統。該EUV掩模胚包括：基板，具有第一側及第二側；後側塗層，包括該基板的該第一側上的鉭與鎳的合金；反射層多層堆疊，位在該基板的該第二側上，該反射層多層堆疊包括複數個反射層，該複數個反射層包括反射層對；蓋頂層，位在該反射層多層堆疊上；及吸收層，位在該蓋頂層上。

简体摘要： 揭露了极紫外线（EUV）掩模胚、用于制造该等极紫外线掩模胚的方法、及该等极紫外线掩模胚的生产系统。该EUV掩模胚包括：基板，具有第一侧及第二侧；后侧涂层，包括该基板的该第一侧上的钽与镍的合金；反射层多层堆栈，位在该基板的该第二侧上，该反射层多层堆栈包括复数个反射层，该复数个反射层包括反射层对；盖顶层，位在该反射层多层堆栈上；及吸收层，位在该盖顶层上。

公开(公告)号：TW202014792A

公开(公告)日：2020-04-16

申请号：TW108122484

申请日：2019-06-27

申请人： 美商應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 艾柏希納德 塞 ,  ABHINAND, SAI ,  劉樹圍 ,  LIU, SHUWEI ,  馮 慧倪 ,  FONG, HUI NI GRACE ,  柯常 ,  KE, CHANG ,  吉達 維胡 ,  JINDAL, VIBHU

IPC分类号： G03F1/22

摘要： 揭露了極紫外線（EUV）遮罩胚、用於製造該等極紫外線遮罩胚的方法及該等極紫外線遮罩胚的生產系統。用於形成EUV遮罩胚的方法包括以下步驟：將基板安置在多陰極物理氣相沉積腔室中，該腔室包括至少三個靶，第一鉬靶與矽靶的第一側相鄰，且第二鉬靶與該矽靶的第二側相鄰。

简体摘要： 揭露了极紫外线（EUV）遮罩胚、用于制造该等极紫外线遮罩胚的方法及该等极紫外线遮罩胚的生产系统。用于形成EUV遮罩胚的方法包括以下步骤：将基板安置在多阴极物理气相沉积腔室中，该腔室包括至少三个靶，第一钼靶与硅靶的第一侧相邻，且第二钼靶与该硅靶的第二侧相邻。

公开(公告)号：TW202026770A

公开(公告)日：2020-07-16

申请号：TW108137825

申请日：2019-10-21

申请人： 美商應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 劉樹圍 ,  LIU, SHUWEI ,  吉達 維胡 ,  JINDAL, VIBHU ,  雷斯堤格 艾巴斯 ,  RASTEGAR, ABBAS

IPC分类号： G03F7/20 ,  C23C14/34 ,  H01L21/30

摘要： 揭露了極紫外線（EUV）掩模胚、用於製造該等極紫外線掩模胚的方法、及該等極紫外線掩模胚的生產系統。該EUV掩模胚包括：基板；反射層多層堆疊，位在該基板上；蓋頂層，位在該反射層多層堆疊上；及吸收層，包括鉭與銅的合金，該吸收層位在該蓋頂層上。

简体摘要： 揭露了极紫外线（EUV）掩模胚、用于制造该等极紫外线掩模胚的方法、及该等极紫外线掩模胚的生产系统。该EUV掩模胚包括：基板；反射层多层堆栈，位在该基板上；盖顶层，位在该反射层多层堆栈上；及吸收层，包括钽与铜的合金，该吸收层位在该盖顶层上。

公开(公告)号：TW201830122A

公开(公告)日：2018-08-16

申请号：TW106123154

申请日：2017-07-11

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 吉達 維胡 ,  JINDAL, VIBHU

IPC分类号： G03F1/24 ,  G03F1/52 ,  G03F1/54 ,  G03F1/58 ,  G03F1/60

摘要： 揭露了極紫外（EUV）遮罩坯料及其製造方法及其生產系統。EUV遮罩坯料包含在覆蓋層上的吸收層，吸收層由至少兩種吸收材料的合金所製成。

简体摘要： 揭露了极紫外（EUV）遮罩坯料及其制造方法及其生产系统。EUV遮罩坯料包含在覆盖层上的吸收层，吸收层由至少两种吸收材料的合金所制成。